Personnalisation: | Disponible |
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technologie de fabrication: | périphérique discret |
type: | semi-conducteur de type n. |
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Description |
Série BT151 de redresseurs contrôlés par silicium, avec une grande capacité à résiste aux chocs de courant important et offre un dv/dt élevé taux avec une forte résistance aux interférences électromagnétiques. Ils sont particulièrement recommandés pour une utilisation sur les semi-conducteurs LE TO-220F fournit une tension d'isolation nominale de 2 000 V RMS à partir de les trois bornes au dissipateur thermique externe. Conforme à la série TO-220F Avec les normes UL |
PARAMÈTRE | SYMBOLE | VALEUR | UNITÉ | |
Tension de crête répétitive à l'état désactivé (TJ=25 ºC) | VDRM | 600/800 | V | |
Tension inverse de crête répétitive (TJ=25 ºC) | VRM | 600/800 | V | |
Courant RMS à l'état on | IT (RMS) | 12 | A | |
Courant de crête non répétitif à l'état on | tp=8,3 ms. | ITSM | 130 | A |
tp=10 ms. | 120 | A | ||
Valeur I2t pour la fusion (tp=10ms) | I2t | 72 | A | |
Plage de température de jonction de fonctionnement | TJ | - 40 ~ 125 | ºC | |
Plage de température de stockage | Tstg | - 40 ~ 150 | ºC |
Fonctionnalités |
Sortie courant élevé jusqu'à 12 A. |
Chute de tension à l'état on de crête basse |
Haute tension |
Haute fiabilité |
Applications |
relais |
Moto |
chargeur |
Outils en T, etc |
Spécifications du produit et modèles d'emballage | |||||
Modèle de produit | Type de package | Nom du repère | RoHS | Package | Quantité |
BT151-500R | TO-220M | BT151-500R | Sans PB | Tube | 1000/boîte |