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Nitrude d′aluminium (AlN) Nitrude de silicium (Si3N4) substrat à couche épaisse d′Amb

Application: Aerospace, Amb Substrate
Type: Insulating Ceramics
résistance à la compression: 2300mpa
épaisseur de revêtement: 8-30μm
couche de revêtement: cuivre
Plated Layer: Nickel/Copper/Gold

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Info de Base.

N° de Modèle.
AA INC-AMB Thick Film Substrate
conductivité thermique
25W/(M.K)
epaisseur de placage
2-9μm
Max. Use Temperature
1600ºc
densité
3,7 g/cm3
Paquet de Transport
Standard Cartons with Foam
Marque Déposée
INNOVACERA
Origine
Fujian, China
Capacité de Production
10000 Piece/Pieces Per Month

Description de Produit

Aluminum Nitride (AlN) Silicon Nitride (Si3N4) Amb Thick Film Substrate

 

 
Les substrats de brasage à l'arc actif sont une technologie en appliquant un alliage de métal actif (AG, Cu, Ti, etc.) à la surface en céramique, les éléments actifs tels que Ti et ZR peuvent réagir avec la céramique pour former une couche de réaction qui peut être mouillée par soudure liquide, cela permet de joindre le métal à la céramique sans métallisation. Cette liaison céramique-métal possède une résistance de liaison plus élevée et une bonne fiabilité, en plus de son excellente propriété mécanique et de sa bonne conductivité thermique, qui sont couramment utilisées dans les applications électroniques de haute puissance telles que les modules IGBT et SIC.
 
Aluminum Nitride (AlN) Silicon Nitride (Si3N4) Amb Thick Film Substrate
 
Avantages :
Conductivité thermique élevée
Excellente stabilité chimique
3.dissipation thermique élevée
4.épaisseur du cuivre : ~0,8 mm
5.traitement de surface: Ni/NiAu/AG
Aluminum Nitride (AlN) Silicon Nitride (Si3N4) Amb Thick Film Substrate
Aluminum Nitride (AlN) Silicon Nitride (Si3N4) Amb Thick Film Substrate
Aluminum Nitride (AlN) Silicon Nitride (Si3N4) Amb Thick Film Substrate
Propriétés des matériaux céramiques
 
 
 
Élément
Unité
Si3N4
ALN
Densité
g/cm3
≥ 3.2
≥ 3.3
Conductivité thermique
W/m·K
≥ 80
> 170
Coefficient de dilatation thermique
10-6/K
2.5 (20 à 300)
4.6 (20 à 300)
Résistance à la flexion
MPa
> 700
> 350
Perte diélectrique
x10-4 [1 MHz]
10
3.8
Constante diélectrique
1 MHz
8 à 9
9
Rigidité diélectrique
KV/mm
-
17
Résistivité du volume
Ω·cm
> 1014
> 1014
Module d'élasticité de Young
Gal
300 à 310
320
Epaisseur
 
 
Epaisseur
Céramique Si3N4
Cuivre
0.25
 
0.3
 
0.32
 
0.5
0.8
1
 
État de surface
 
Processus de placage
Epaisseur
Ni sans électricité
2 à 8 μm (6 % à 10 % P)
NiAu sans électricité
Au : 0.01 à 0,1 μm ; ni : 2 à 8 μm
Electrless AG
AG : 0.1 à 0,6 μm
Tolérance
 
 
Élément
Tolérance (mm)
 
Céramique
L x P : ±1 % (min. : 0,1 mm) T : ±10 %
 
Cuivre
Epaisseur de la coperépaisseur : > 0.3 à 0.5
±0.015
 
Epaisseur de la coperépaisseur : > 0.8 à 1.2
±0.035
Rugosité et déformation de la surface
 
 
Élément
Rugosité
Déformation
Céramique
0.2 à 0.8
≤0.25 %
Cuivre
≤0.8
≤0.05 %/25
Aluminum Nitride (AlN) Silicon Nitride (Si3N4) Amb Thick Film Substrate
Aluminum Nitride (AlN) Silicon Nitride (Si3N4) Amb Thick Film Substrate
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VR
Aluminum Nitride (AlN) Silicon Nitride (Si3N4) Amb Thick Film Substrate
 
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