5Mo10m MB10F Mo10s Bridge 1KV 500mA à-269AA 4SOIC Mo10m MB10F Mo10s

• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Application: Electronic Products
• Certification: RoHS, CE, ISO
• Luminous Intensity: Standard
• Color: Grey,Black
• Structure: Mbs,Mbm,DBS,dB,Wob,RS-2,Gbj2,Kbpc1,Kbp,Kbl,Gbj4
• Material: Silicon
• Paquet de Transport: by Sea, Packaging in Cartons
• Spécifications: MBS,MBM,DBS,DB,WOB,RS-2,GBJ2,KBPC1,KBP,KBL,GBJ4
• Marque Déposée: ZG Brand
• Origine: Anhui Province, China
• Code SH: 8541100000
• Capacité de Production: 9000000000000

Description de Produit

description du produit   Des photos détaillées Certifications Profil de la société   L'Anhui Zhongxin Semiconductor Co., Ltd.  a été  créé en 2010 et couvre une superficie de 20000 mètres carrés, qui est situé dans la  province de Anhui, près de Shanghai. Notre entreprise est l'accent sur le développement et de la production de Diode, diode redresseur, MOSFET, diode Schottky, diode de récupération rapide, le  pont redresseur, tranche de silicium, etc. Notre mission est d'être le plus précieux de fournisseur de semiconducteurs à côté de vous. Bienvenue à nous contacter pour de futures relations commerciales et de réussite mutuelle.

	Les symboles	MB2M	MB4M	MB6M	MB8M	MB10M	Les unités
Un maximum de marche arrière de crête répétitive La tension	VRMM	200	400	600	800	1000	Volts
Tension RMS maximum	VRMS	140	280	420	560	700	Volts
Tension de claquage CC maximum	Vcc	200	400	600	800	1000	Volts
Moyenne maximale de l'avant courant redressé à TA=30ºC  sur verre époxy P.C.B. Sur l'aluminium substrat(note 1,2)	Si(AV)	0,8					Ampères
Pic de Courant de surtension de marche avant 8.3ms seule demi Sine-Wave Super imposées à la charge nominale(JEDEC Méthode)	IFSM	30.0					Ampères
La tension maximum de marche avant à l'0.4A	VF	1.1					Volts
Un maximum de courant inverse DC  TA=25ºC À la valeur nominale de la tension de blocage DC  TA=100ºC	IR	5.0 100					Μa
Par la jambe typique de la capacité de jonction (Note 3)	CJ	15.0					PF
Résistance thermique typique par pied	RθJA	75.0					ºC/W
Plage de température de fonctionnement	TJ	-55 à +150					ºC
Plage de température de stockage	TSTG	-55 à +150					ºC