Personnalisation: | Disponible |
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Structure d′encapsulation: | Plastic Transistor Sealed |
Application: | Produits électroniques |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Audité par une agence d'inspection indépendante
Paramètre |
Symboles |
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Valeur | Unité | ||
Tension inverse de crête répétitive |
VRM | 250 | V |
Tension inverse |
VRM | 200 | V |
Courant de marche avant moyen maximum |
IF (AV) | 200 | Ma |
() t=1US Courant de surtension sans répétition à 1 US |
IFSM | 4.0 | A |
SI = 100 mA Tension directe |
VFM | 1.0 | V |
VR=200V Courant inverse |
IRM | 0.1 | UA |
(Remarque 1) Temps de récupération inverse |
TRR | 50 | NS |
Dissipation de puissance |
PD | 200 | Poids brut |
Type résistance thermique |
RθJA | 620 | ºC/W |
Plage de température de stockage et de jonction de fonctionnement |
TJ , TSTG | -55 --- +150 | ºC |