Encapsulation Structure: | Plastic Sealed Transistor |
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Application: | Electronic Products |
Certification: | RoHS, CE, ISO, CCC, SGS |
Luminous Intensity: | Standard |
Color: | Gray,Black |
Structure: | Planar |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Symboles | 1N4001S | 1N4002S | 1N4003S | 1N4004S | 1N4005S | 1N4006S | 1N4007S | Unités | |
Tension inverse maximale répétitive de crête | VRMM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts |
Tension RMS maximale | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | Volts |
Tension de blocage c.c. maximale | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts |
Courant rectifié avant moyen maximum @TA=75 ºC | I (AV) | 1.0 | Ampères | ||||||
Courant de pointe direct 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale Super imposé sur la charge nominale (méthode JEDEC) | IFSM | 30.0 | Ampères | ||||||
Tension maximale de marche avant à 1,0 A. | VF | 1.1 | Volts | ||||||
Courant continu inverse maximum TJ=25ºC à la tension de blocage CC nominale TJ=100 ºC | IR | 5.0 50.0 | ΜA | ||||||
Capacité de jonction type (Remarque 1) | CJ | 15.0 | PF | ||||||
Résistance thermique type (Remarque 2) | RθJA | 26.0 | ºC/W | ||||||
Plage de températures de fonctionnement | TJ | -55 à +125 | ºC | ||||||
Plage de température de stockage | TÉT | -55 à +150 | ºC |
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