• Diode 1n4007s 1n4002s a-405 600-800V redresseurs universels 1000V
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Diode 1n4007s 1n4002s a-405 600-800V redresseurs universels 1000V

Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
Application: Electronic Products
Certification: RoHS, CE, ISO, CCC, SGS
Luminous Intensity: Standard
Color: Gray,Black
Structure: Planar

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Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées

Fabricant/Usine, Société Commerciale

Info de Base.

N° de Modèle.
1N4001S-1N4007S
Material
Silicon
Paquet de Transport
by Sea, Packaging
Spécifications
A-405
Marque Déposée
ZG Brand
Origine
Auhui Province, China
Code SH
8541100000
Capacité de Production
50000000000000000000000000

Description de Produit

La société dispose d'une grande variété de produits aux spécifications complètes, y compris les suppresseurs de tension transitoire (TVS), tss, le redresseur général (STD), la diode de récupération rapide (FR), les redresseurs à haut rendement (HER/UF), diode de récupération super rapide (SF) et diode schottky (SKY). Le boîtier principal inclut SOD-123FL, SMA, SMB, SMC, DO-41, DO-15, DO-17, DO-27, R-6, etc   description du produit Photos détaillées Certifications Anhui Zhongxin Semiconductor Co., Ltd . A été fondée en 2010 et couvre une superficie de 20000 mètres carrés, située dans la province d'Anhui, près de Shanghai. Notre société se concentre sur le développement et la production de diodes, diodes de redressement, mosfet, diodes schottky, diodes de récupération rapide,  Pont redresseur, silicium galette, etc. Notre mission est d'être le fournisseur de semi-conducteurs le plus précieux à vos côtés. Nous vous invitons à nous contacter pour de futures relations d'affaires et pour une réussite mutuelle.
  Symboles 1N4001S 1N4002S 1N4003S 1N4004S 1N4005S 1N4006S 1N4007S Unités
Tension inverse maximale répétitive de crête VRMM 50 100 200 400 600 800 1000 Volts
Tension RMS maximale VRMS 35 70 140 280 420 560 700 Volts
Tension de blocage c.c. maximale VDC 50 100 200 400 600 800 1000 Volts
Courant rectifié avant moyen maximum @TA=75 ºC I (AV) 1.0 Ampères
Courant de pointe direct 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale Super imposé sur la charge nominale (méthode JEDEC) IFSM 30.0 Ampères
Tension maximale de marche avant à 1,0 A. VF 1.1 Volts
Courant continu inverse maximum TJ=25ºC à la tension de blocage CC nominale TJ=100 ºC IR 5.0 50.0 ΜA
Capacité de jonction type (Remarque 1) CJ 15.0 PF
Résistance thermique type (Remarque 2) RθJA 26.0 ºC/W
Plage de températures de fonctionnement TJ -55 à +125 ºC
Plage de température de stockage TÉT -55 à +150 ºC

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