Personnalisation: | Disponible |
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Structure d′encapsulation: | Plastic Transistor Sealed |
Application: | Produits électroniques |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Audité par une agence d'inspection indépendante
Paramètre |
Symboles |
RS1AF | RS1BF | RS1DF | RS1GF | RS1JF | RS1KF | RS1MF | Unité |
Tension inverse maximale répétitive de crête |
VRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Tension RMS maximale | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
Tension de blocage c.c. maximale |
VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Courant rectifié avant moyen maximum |
IF (AV) | 1.0 | A | ||||||
8.3 ms courant de pointe direct non répétitif 8.3 ms à moitié unique onde sinusoïdale | IFSM |
30 |
A |
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Résistance thermique type (Remarque 1) | RθJA | 90 | ºC/W | ||||||
Température de stockage et de jonction de fonctionnement |
TJ, TÉT | -55 --- +150 | ºC | ||||||
@IF=1.0A Tension maximale de marche avant |
VF | 1.3 | V | ||||||
@VDC TA= 25 ºC Courant inverse maximum |
IR | 5 | ΜA | ||||||
IF=0,5A , IR=1,0A , IRR=0,25A temps de récupération inverse maximum | TRR | 150 | 300 | ns |