Personnalisation: | Disponible |
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Structure d′encapsulation: | Plastic Transistor Sealed |
Application: | Produits électroniques |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Audité par une agence d'inspection indépendante
Paramètre |
Symboles |
SS14F | SS16F | SS110F | SS115F | SS120F | Unité |
Tension inverse maximale répétitive de crête |
VRM | 40 | 60 | 100 | 150 | 200 | V |
Tension RMS maximale | VRMS | 28 | 42 | 70 | 105 | 140 | V |
Tension de blocage c.c. maximale |
VDC | 40 | 60 | 100 | 150 | 200 | V |
Courant rectifié avant moyen maximum |
IF (AV) | 1.0 | A | ||||
8.3 ms courant de pointe direct non répétitif 8.3 ms à moitié unique onde sinusoïdale | IFSM |
30 |
A |
||||
@IF=1.0A Tension maximale de marche avant |
VF | 0.50 | 0.70 | 0.85 | 0.92 | 0.95 | V |
@VDC Courant inverse maximum |
IR | 30 | ΜA | ||||
Résistance thermique type (Remarque 1) | RθJA | 95 | ºC/W | ||||
Plage de température de jonction de fonctionnement |
TJ | -55 --- +125 | -55 --- +150 | ºC | |||
Plage de température de stockage |
TÉT | -55 --- +150 | ºC |