ZG5N60 est un mode d'amélioration de canal N MOSFET, qui est produit usingZhongxin micro-électronique est propriétaire. L'auto-alignées processus planaire et amélioration de la borne de la technologie de réduire les pertes de conduction, améliorer les performances de commutation et de renforcer l'avalanche d'énergie. Le transistor peut être utilisé dans différents du circuit de commutation de puissance pour une plus grande efficacité et la miniaturisation. Caractéristiques principales
| VDSS |
600 |
V |
| ID |
4.0 |
Un |
| RDS(ON) |
2.0 |
Ω |
| Sir |
8 |
PF |
Cotes maximale absolue (Tc=25ºC)
| Le paramètre |
Symbole |
Valeur |
Unité |
| - La Tension drain/source |
VDSS |
600 |
V |
| Continue courant de vidange |
ID |
Tc=25ºC |
4* |
Un |
| Tc=100ºC |
2.5* |
| ( 1) Courant de vidange Plused (note 1) |
Le module IDM |
16 |
Un |
| Porte-à-source de tension |
VGS |
±30 |
V |
| ( 2) Avalanche pulsé unique (note 2) de l'énergie |
La fonction EAS |
218 |
MJ |
| ( 1) Courant d'avalanche (note 1) |
L'IRA |
4.0 |
Un |
| ( 1) Avalanche répétitifs d'énergie (note 1) |
L'oreille |
10 |
MJ |
| ( 3) Diode de crête de récupération (note 3) |
Dv/dt |
4.5 |
V/ns |
| La dissipation de puissance |
PD Tc=25ºC |
D-251/D-252 |
51 |
W |
| D-220/D-262 |
100 |
| D'-220F |
33 |
| Facteur de déclassement de dissipation de puissance |
PD(DF) Au-dessus de 25ºC |
D-251/D-252 |
0.39 |
W/ºC |
| D-220/D-262 |
0,8 |
| D'-220F |
0.26 |
| Fonctionnement et de la plage de température de stockage |
TJ,TSTG |
150,-55~+150 |
ºC |
| Température maximale pour le soudage |
TL |
300 |
ºC |
CHARACTERIASTIC THERMIQUE
| Le paramètre |
Symbole |
Max |
Unité |
| Résistance thermique,Junction à l'affaire |
Rth(J-C) |
D-251/D-252 |
2.5 |
W |
| D-220/D-262 |
1.25 |
| D'-220F |
3.79 |
| Résistance thermique,Junction à la température ambiante |
Rth(J-A) |
D-251/D-252 |
83 |
W/ºC |
| D-220/D-262 |
62,5 |
| D'-220F |
62,5 |
* * Vidanger courant limité par un maximum de température de jonction Caractéristiques électriques
| Off-Characteristics |
| Le paramètre |
Symbole |
Conditions de tests |
Min |
Type |
Max |
Unité |
| - Tension de rupture Drain/Source |
BVDSS |
ID=250 μA, VGS=0V |
600 |
- |
- |
V |
| La tension de claquage à Coefficient de température |
△BVDSS/△TJ |
ID=250 μA, référencé à 25ºC |
- |
0,7 |
- |
V/ºC |
| Zéro de tension de la porte actuelle de vidange |
Les IDS |
VDS=600V,VGS=0V, TC=25ºC |
- |
- |
1 |
Μa |
| VDS=480V, TC=125ºC |
- |
- |
10 |
| Gate-corps, le courant de fuite en avant |
IGSSF |
VDS=0V, VGS =30V |
- |
- |
100 |
NA |
| Gate-corps, inverser le courant de fuite |
IGSSR |
VDS=0V, -30V VGS = |
- |
- |
-100 |
NA |
| On-Characteristics |
| Le paramètre |
Symbole |
Conditions de tests |
Min |
Type |
Max |
Unité |
| Tension de seuil de porte |
VGS(th) |
VDS = VGS , ID=250 μA |
2.0 |
- |
4.0 |
V |
| Statique On-Resistance Drain/Source |
RDS(ON) |
VGS =10 V , ID=2.0A |
- |
2.0 |
2.5 |
Ω |
| Transconductance de marche avant |
Gfs |
VDS = 40V, ID=2.0A (Note4) |
- |
4.0 |
- |
S |
| Les caractéristiques dynamiques |
| Le paramètre |
Symbole |
Conditions de tests |
Min |
Type |
Max |
Unité |
| Capacité d'entrée |
Ciss |
VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ |
- |
510 |
660 |
PF |
| Capacité de sortie |
Coss |
- |
54 |
70 |
PF |
| Transfert inverse de la capacité |
Sir |
- |
8 |
10 |
PF |
| Caractéristiques de commutation |
| Le paramètre |
Symbole |
Conditions de tests |
Min |
Type |
Max |
Unité |
| Temps de retard Turn-On |
Td(le) |
La DMV=300V, ID=4A, RG=25Ω (Note 4,5) |
- |
16 |
42 |
Ns |
| Turn-On le temps de montée |
Tr |
- |
48 |
112 |
Ns |
| Temps de retard Turn-Off |
Td(arrêt) |
- |
48 |
105 |
Ns |
| Temps de chute Turn-Off |
Tf |
- |
38 |
86 |
Ns |
| Total des frais de porte |
Qg |
VDS =480v , id=4A, VGS =10V (Note 4,5) |
- |
15 |
20 |
NC |
| -Frais Gate-Source |
Qgs |
- |
2.8 |
- |
NC |
| -Frais Gate-Drain |
Qgd |
- |
6.8 |
- |
NC |
| - Diode de Drain/Source Les caractéristiques et les cotes de maximum |
| Le paramètre |
Symbole |
Conditions de tests |
Min |
Type |
Max |
Unité |
| Diode de marche avant maximum drain/source de courant continu |
Est |
- |
- |
4 |
Un |
| Diode de marche avant maximum drain/source Courant pulsé |
ISM |
- |
- |
16 |
Un |
| Diode de drain/source de tension de marche avant |
VSD |
VGS=0V, est de=4A |
- |
- |
1.4 |
V |
| Le temps de récupération de marche arrière |
Les DRT |
VGS=0V, est de=4A Le dIF/dt=100A/μs (note 4) |
- |
320 |
- |
Ns |
| Frais de récupération de marche arrière |
Qrr |
- |
2.4 |
- |
ΜC |
Notes : Largeur d'impulsion de 1:limité par un maximum de température de jonction 2:L=25mH, IAS=4A, la DMV=50V, RG=25Ω, à partir TJ=25ºC 3:ISD ≤ 4A, di/dt ≤300A/μs, la DMV≤BVDSS, démarrage TJ=25ºC 4:Test d'impulsion : Pulse largeur ≤300μs, Cycle de service≤2 % 5:essentiellement indépendant de la température de fonctionnement Caractéristiques électriques (courbes) 1. 2. Fig. 1 Caractéristiques On-State Fig. 2 Caractéristiques de transfert 3. 4. Fig. 3 Ventilation vs température Variation de tension de la Fig. 4 Variation de température On-Resistance vs 5. 6. Fig. 5 Caractéristiques de capacitance Fig. 6 Caractéristiques de charge de la porte 7. 8. Fig. 7 Zone de fonctionnement maximale sécuritaire Fig. 8 maximum actuel de vidange vs température du boîtier 9. (D-251/D-252) Fig. 9 Courbe de réponse thermique transitoire (D-251/D-252) 10. (D-220/D-262) Fig. 10 Courbe de réponse thermique transitoire(D-220/D-262) 11. (D'-220F) Fig. 11 Courbe de réponse thermique transitoire(à-220F) Tester les circuits et les courbes 12. Fig.12 Circuit de test de commutation résistive & courbes 13. Fig.13 de la porte de la courbe de charge du circuit de Test & 14. Fig.14 desserré Tester le circuit de commutation inductive & courbes TPACKAGE Données mécaniques D-251
| DIM |
En millimètres |
DIM |
En millimètres |
| |
|
|
|
| Un |
2,2±0,5 |
H |
1,8±0,5 |
| |
|
|
|
| B |
5.2±0,25 |
Je |
0,8±0,05 |
| |
|
|
|
| C |
5.3±0,25 |
J |
0,508±0,015 |
| |
|
|
|
| D |
4,5±0,5 |
K |
2,3±0,25 |
| |
|
|
|
| E |
6.3±0,25 |
L |
0,5±0,1 |
| |
|
|
|
| F |
2,3±0,05 |
M |
0,508±0,015 |
| |
|
|
|
| G |
0,6±0,05 |
N |
7,5±0,5 |
| |
|
|
|
D-252
| DIM |
En millimètres |
DIM |
En millimètres |
| Un |
2,2±0,5 |
Je |
0,8±0,05 |
| |
|
|
|
| B |
5.2±0,25 |
J |
0,508±0,015 |
| |
|
|
|
| C |
5.3±0,25 |
K |
2,3±0,25 |
| |
|
|
|
| D |
4,5±0,5 |
L |
0,5±0,1 |
| |
|
|
|
| E |
6.3±0,25 |
M |
0,508±0,015 |
| |
|
|
|
| F |
2,3±0,05 |
N |
1,5±0,25 |
| |
|
|
|
| G |
0,6±0,05 |
O |
1,0±0,25 |
| |
|
|
|
| H |
0,7±0,5 |
|
|
| |
|
|
|
D-262
| DIM |
En millimètres |
DIM |
En millimètres |
| |
|
|
|
| Un |
4,70±0,08 |
E1 |
7,85±0,08 |
| |
|
|
|
| A1 |
2,75±0,05 |
E |
2,54±0,05 |
| |
|
|
|
| C |
0,38±0,03 |
L |
14.00±0,08 |
| |
|
|
|
| C2 |
1,27±0,03 |
L1 |
1,275±0.05 |
| |
|
|
|
| D |
8.40±0.05 |
L2 |
3,75±0,08 |
| |
|
|
|
| D1 |
6,55±0,08 |
B |
0,80±0,05 |
| |
|
|
|
| E |
10.15±0,08 |
B2 |
1.22±0.05 |
| |
|
|
|
Remarque : Dépassant le maximum d'Cotes de l'appareil dans les performances peuvent causer des dommages à l'appareil , même de la défaillance permanente, qui peuvent affecter la fiabilité de la machine. Il est suggéré à être utilisés sous 80 % de la cote maximale de l'appareil. Lorsque vous installez le dissipateur de chaleur , veuillez prêter attention au moment de torsion et la finesse du dissipateur de chaleur. VDMOSFETs est l'appareil qui est sensible à l'électricité statique , il est nécessaire pour protéger l'appareil à partir d'être endommagés par l'électricité statique lors de son utilisation. Cette publication est faite par Zhongxin la microélectronique et régulièrement soumis à des changement sans préavis.
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