dB157s Produits semi-conducteurs discrets originaux Diodes Redresseurs de Pont DBS 1kv 1.5A

Détails du Produit
Personnalisation: Disponible
Structure d′encapsulation: Plastic Transistor Sealed
Application: Produits électroniques
Membre d'Or Depuis 2017

Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées

Fournisseur Audité Fournisseur Audité

Audité par une agence d'inspection indépendante

Adresse
Building B3, Luotang Street, Jiangyan District, Taizhou City,Jiangsu Province
Conditions Commerciales Internationales(Incoterms)
FOB, EXW, FCA
Conditions de Paiement
T/T
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Info de Base

N° de Modèle.
DB151S-DB157S
certificat
RoHS, CE, ISO, CCC
Intensité lumineuse
Standard
Structure
Alliage
Matériel
Silicium
matière première
cuivre
Paquet de Transport
par mer, emballage
Spécifications
dbs
Marque Déposée
marque zg
Origine
Auhui Province, China
Code SH
8541100000
Capacité de Production
50000000000000000000000000

Description de Produit

La diode de redressement rapide appartient à la diode de redressement à haute fréquence, appelée diode de redressement rapide, car la diode de redressement générale fonctionne généralement en basse fréquence (comme la fréquence secteur 50 hz), sa fréquence de fonctionnement inférieure à 3 KHZ.
La diode de redressement rapide appartient à la diode de redressement à haute fréquence, appelée diode de redressement rapide, car la diode de redressement générale fonctionne généralement en basse fréquence (comme la fréquence secteur 50 hz), la fréquence de fonctionnement est inférieure à 3 kHz, Lorsqu'il travaille dans une fréquence de quelques à plusieurs centaines de kHz, la tension change de sens, le temps de récupération lent, la diode de redressement ordinaire ne peut pas obtenir la normale pour obtenir un assistant unique, puis avec la diode de redressement rapide de restauration.
Les caractéristiques de la diode de récupération rapide sont son temps de récupération court, cette caractéristique la rend adaptée à haute fréquence (comme la fréquence de ligne TV) Du redresseur.une diode de récupération rapide détermine les performances des paramètres importants du temps de récupération inverse.le temps de récupération inverse est défini comme une transition rapide vers la diode de l'état par état, puisque l'impulsion de sortie est inférieure à zéro, Pour remettre la puissance au maximum 10% du temps nécessaire pour inverser le courant, symboles couramment utilisés TRR Said.ordinaire diode de redressement rapide TRR Andrew synnum pendant quelques secondes (10-9 s), diode de récupération rapide TRR général pour des dizaines de nanosecondes. Plus la fréquence de travail de la diode de récupération rapide TRR est petite, plus la fréquence de travail est élevée.
 

Paramètre
  DB
151S
DB
152S
DB
153S
DB
154S
DB
155S
DB
156S
DB
157S
 
Symboles Unité
  VRM 50 100 200 400 600 800 1000 V
Tension    inverse maximale répétitive de crête  
  Tension  RMS maximale   VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V
  VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V
   Tension de blocage c.c. maximale
  IF (AV) 1.5 A
Courant    rectifié avant moyen maximum  
 8.3  ms.
IFSM

50

A
Courant    de pointe direct non répétitif  
8.3 ms simple demi-onde sinusoïdale
  @IF=1.5A VF 1.1 V
  Tension maximale de marche avant
 @VDC TA  =  25 ºC IR 5 ΜA
  Courant inverse maximum
    Résistance thermique type  (Remarque  1) RθJC 40 ºC/W
  TJ, TÉT -55 --- +150 ºC
 Plage    de température de stockage et de jonction de fonctionnement  

 dB157s Original Discrete Semiconductor Products Diodes Bridge Rectifiers DBS 1kv 1.5A

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