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Fournisseur Audité PULVÉRISATION DE MAGNÉTRON : VUE D'ENSEMBLE
L'pulvérisation est un processus de dépôt à base de plasma dans lequel les ions énergétiques sont accélérés vers une cible. Les ions frappent la cible et les atomes sont éjectés (ou pulvérisés) de la surface. Ces atomes se déplacent vers le substrat et s'intègrent dans le film en croissance.
Le matériel de revêtement par pulvérisation au magnétron est un instrument de revêtement spécial de laboratoire développé par notre société. L'équipement peut être équipé d'une alimentation CC et d'une alimentation RF. La puissance varie de 500 W à 1 000 W. Il peut être utilisé pour préparer des films minces ferroélectriques monocouches ou multicouches, des films conducteurs, des films en alliage, des films semi-conducteurs, des films en céramique, films diélectriques, films optiques, etc
Caractéristiques du système de pulvérisation de magnétron :
| Nom du produit | Cratère de pulvérisation de magnétron | |
| Modèle | TN-MSZ180-I-RF-SS | |
| Etape d'échantillonnage | Taille | φ100mm |
| Température de chauffage | <500 ºC | |
| Vitesse de rotation | 0 à 20 tr/min | |
| Pistolet à pulvérisation | 2 inch1, 50,8 mm, épaisseur < 3 mm | |
| Chambre à vide | Taille | φ180mm X 215 mm |
| Fenêtre d'observation | Quartz | |
| Matériau de la chambre | SUS304 | |
| Ouverture | Ouverture par le haut | |
| Système de vide | Pompe de secours | Pompe à vide rotative à palettes, 1,1 l/s. |
| Pompe secondaire | Pompe moléculaire, 600 l/S. | |
| Mesure de vide | Jauge de vide composite, plage : 10-5~105 Pa | |
| Port d'aspiration | KF16, KF40 | |
| Orifice d'échappement | KF16 | |
| Degré de vide | 1.0×10-4Pa | |
| Tension | 220 V CA 50 / 60 Hz | |
| Puissance de pulvérisation | Quantité | Alimentation CC*1 |
| Puissance de sortie | 300 W. | |
| Autres | Tension | 220 V CA, 50 Hz |
| Puissance totale | 2 kW | |
| Taille totale | 550*350*400mm | |
1. NOUS avons le cratère de pulvérisation du magnétron avec 1 cible, 2 cibles, 3 cibles, 4 cibles, etc. La cible peut être conçue en haut ou en bas de la chambre.
2. Une alimentation CC de 0 à 1 000 W ou une cible de puissance RF est disponible. La fonction de biais est facultative.
3. Taille cible : 1 pouce, 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, etc
4. Cible magnétique forte et cible magnétique permanente sont facultatives.
5. Cratère de pulvérisation de magnétron avec évaporation, E-Beam est disponible.
6. Service personnalisé toujours disponible!
Zhengzhou Tainuo film Materials Co., Ltd. Est une entreprise complète qui intègre la conception, la recherche et le développement, la production et la vente.
Les principaux produits de notre entreprise sont : le cratère de spin, le cratère d'évaporation thermique, le cratère de crapules de magnétron, le crapules de crapules de plasma, le crapules d'évaporation à faisceau E, Machine de revêtement laser à impulsions PLD, nettoyeur plasma, système CVD, système PECVD, machine de découpe de fil diamant, four de fusion/poêle, four de fusion à arc, etc
Nos produits sont largement utilisés dans le domaine de la recherche en sciences des matériaux. Nous avons une vaste coopération avec des universités, des laboratoires et des entreprises de nouveaux matériaux. Il a été exporté avec succès vers plus de 20 pays et régions, dont les États-Unis, le Royaume-Uni, l'Allemagne, la Russie, la Suisse, Le Canada, le Brésil, etc. Et ont établi des relations de coopération à long terme avec les concessionnaires locaux.
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Q. êtes-vous fabricant ou société de commerce?
R. nous sommes des fabricants professionnels d' instruments de laboratoire, nous disposons d'une équipe et d'un atelier de R&D professionnels, qui peuvent vous garantir la qualité et le service après-vente.
Q. Comment est votre garantie ?
R. notre garantie est de 12 mois et assure un entretien à vie. Nous fournissons un service en ligne 24 heures sur 24.
Q. combien de temps dure votre livraison ? Si je souhaite personnaliser l'instrument, combien de temps cela prend-il ?
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Q. alimentation et fiche ?
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Q. Comment payer?
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Q. Comment est le paquet de marchandises? Méthodes de livraison ?
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