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Amplificateur de puissance MOSFET audio

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Amplificateurs linéaires HTSSOP-32 à circuits intégrés (ci) Tpa3118d2dapr amplificateurs audio

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Ssm2019brnzrl circuits intégrés (ci) amplificateurs linéaires amplificateurs audio SOIC-8

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Ssm2166sz-REEL7 circuits intégrés (ci) amplificateurs linéaires amplificateurs audio SOIC-14

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Tda7391 circuits intégrés (ci) amplificateurs linéaires amplificateurs audio Multiwatt-11

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PAM8403dr-H circuits intégrés (ci) amplificateurs audio LinearampliersSOP-16

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PAM8302aadcr circuits intégrés (ci) amplificateurs audio LinearaampliersSOP-8

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Tda7492p13tr circuits intégrés (ci) amplificateurs linéaires amplificateurs audio Powersso-36

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Max9737etg+ circuits intégrés (ci) Linearamplis amplificateurs audio Tqfn-24

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Lm48511sq/NOPB circuits intégrés (ci) amplificateurs linéaires amplificateurs audio Wqfn-24

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Amplificateurs linéaires à circuits intégrés (ci) Lm3886t/NOPB amplificateurs audio to-220-11

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Amplificateurs linéaires à circuits intégrés (ci) Lm3886t/NOPB amplificateurs audio to-220-11

Amplificateurs linéaires à circuits intégrés (ci) Lm3886t/NOPB amplificateurs audio to-220-11

Amplificateurs linéaires à circuits intégrés (ci) Lm3886t/NOPB amplificateurs audio to-220-11

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Amplificateurs linéaires à circuits intégrés (ci) Lm3886t/NOPB amplificateurs audio to-220-11

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Amplificateurs linéaires amplificateurs audio to-263-5 à circuits intégrés (ci) Lme49600ts/NOPB

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Max9744eth+T circuits intégrés (ci) amplificateurs linéaires amplificateurs audio Tqfn-44

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Amplificateurs linéaires amplificateurs audio to-220-11 à circuits intégrés (ci) Lm2876TF/NOPB

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Max98307ete+T circuits intégrés (ci) amplificateurs linéaires amplificateurs audio Tqfn-16

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Origine: Original

Nouveaux composants électroniques Original IC Chips Infineon Ibb117n20nfdata1 simple canal N MOSFET de puissance Optimos 200 V 11.7 Mohm 65 NC - D2PAK-3 en stock

Nouveaux composants électroniques Original IC Chips Infineon Ibb117n20nfdata1 simple canal N MOSFET de puissance Optimos 200 V 11.7 Mohm 65 NC - D2PAK-3 en stock

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1,48-1,66 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

L'intégration: SSI

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: N-CH 200V 84A 11.7 mOhm

Marque Déposée: Infineon

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

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Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

0,12-0,69 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Capacité de Production: 10000

1/ 2

Collection

Mjl4281UN Mjl Mjl4302un amplificateur audio43024281 Mjl transistor de puissance

2,4-3,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Matériel: Silicium

Emballage: Standard

Standard: standard

Marque Déposée: /

Origine: China

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

1/ 6

Collection

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

0,06-0,08 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

G70N04T-220 Le transistor pour redresseurs synchrones 40V 60un transistor de puissance MOSFET avec RoHS

G70N04T-220 Le transistor pour redresseurs synchrones 40V 60un transistor de puissance MOSFET avec RoHS

G70N04T-220 Le transistor pour redresseurs synchrones 40V 60un transistor de puissance MOSFET avec RoHS

G70N04T-220 Le transistor pour redresseurs synchrones 40V 60un transistor de puissance MOSFET avec RoHS

G70N04T-220 Le transistor pour redresseurs synchrones 40V 60un transistor de puissance MOSFET avec RoHS

1/ 5

Collection

G70N04T-220 Le transistor pour redresseurs synchrones 40V 60un transistor de puissance MOSFET avec RoHS

0,08-0,1 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Nouveaux composants électroniques Original IC Chips Infineon Bsc196n10nsgatma1 N-Channel 100 V 19.6 Mohm Optimos Power transistor - PG-Tdson-8 en stock

Nouveaux composants électroniques Original IC Chips Infineon Bsc196n10nsgatma1 N-Channel 100 V 19.6 Mohm Optimos Power transistor - PG-Tdson-8 en stock

Nouveaux composants électroniques Original IC Chips Infineon Bsc196n10nsgatma1 N-Channel 100 V 19.6 Mohm Optimos Power transistor - PG-Tdson-8 en stock

Nouveaux composants électroniques Original IC Chips Infineon Bsc196n10nsgatma1 N-Channel 100 V 19.6 Mohm Optimos Power transistor - PG-Tdson-8 en stock

Nouveaux composants électroniques Original IC Chips Infineon Bsc196n10nsgatma1 N-Channel 100 V 19.6 Mohm Optimos Power transistor - PG-Tdson-8 en stock

Nouveaux composants électroniques Original IC Chips Infineon Bsc196n10nsgatma1 N-Channel 100 V 19.6 Mohm Optimos Power transistor - PG-Tdson-8 en stock

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Nouveaux composants électroniques Original IC Chips Infineon Bsc196n10nsgatma1 N-Channel 100 V 19.6 Mohm Optimos Power transistor - PG-Tdson-8 en stock

0,48-9,56 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

L'intégration: SSI

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: N CH, 100V, 45A

Marque Déposée: Infineon

0,5 A Courant de sortie de l'optocoupleur d'entraînement de la porte de l'IGBT Hcpl-3150

0,5 A Courant de sortie de l'optocoupleur d'entraînement de la porte de l'IGBT Hcpl-3150

0,5 A Courant de sortie de l'optocoupleur d'entraînement de la porte de l'IGBT Hcpl-3150

0,5 A Courant de sortie de l'optocoupleur d'entraînement de la porte de l'IGBT Hcpl-3150

0,5 A Courant de sortie de l'optocoupleur d'entraînement de la porte de l'IGBT Hcpl-3150

0,5 A Courant de sortie de l'optocoupleur d'entraînement de la porte de l'IGBT Hcpl-3150

1/ 6

Collection

0,5 A Courant de sortie de l'optocoupleur d'entraînement de la porte de l'IGBT Hcpl-3150

1,23-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

L'intégration: GSI

Technique: Thin Film IC

Standard: Height: 3.56 mm Width: 6.6 mm

2sk1058 Le Mosfet N-CH TR 160V 7un transistor K1058

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2sk1058 Le Mosfet N-CH TR 160V 7un transistor K1058

0,69 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Matériel: Germanium

Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

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Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Fqd50n06 50A 60V N-Annel 50n06 Pat 252 Mosfet transistor à effet de champ

Fqd50n06 50A 60V N-Annel 50n06 Pat 252 Mosfet transistor à effet de champ

Fqd50n06 50A 60V N-Annel 50n06 Pat 252 Mosfet transistor à effet de champ

Fqd50n06 50A 60V N-Annel 50n06 Pat 252 Mosfet transistor à effet de champ

Fqd50n06 50A 60V N-Annel 50n06 Pat 252 Mosfet transistor à effet de champ

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Fqd50n06 50A 60V N-Annel 50n06 Pat 252 Mosfet transistor à effet de champ

0,09-0,1 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

2SB688 2SD718 transistor d'application de l'amplificateur de puissance élevée

2SB688 2SD718 transistor d'application de l'amplificateur de puissance élevée

2SB688 2SD718 transistor d'application de l'amplificateur de puissance élevée

2SB688 2SD718 transistor d'application de l'amplificateur de puissance élevée

2SB688 2SD718 transistor d'application de l'amplificateur de puissance élevée

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0,26 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

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