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Transistors

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Original 2sk2313 K2313 Package à-3p 60A 60V transistor à effet de champ MOS à canal N de type K2313

Original 2sk2313 K2313 Package à-3p 60A 60V transistor à effet de champ MOS à canal N de type K2313

Original 2sk2313 K2313 Package à-3p 60A 60V transistor à effet de champ MOS à canal N de type K2313

Original 2sk2313 K2313 Package à-3p 60A 60V transistor à effet de champ MOS à canal N de type K2313

Original 2sk2313 K2313 Package à-3p 60A 60V transistor à effet de champ MOS à canal N de type K2313

Original 2sk2313 K2313 Package à-3p 60A 60V transistor à effet de champ MOS à canal N de type K2313

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Collection

Original 2sk2313 K2313 Package à-3p 60A 60V transistor à effet de champ MOS à canal N de type K2313

0,1-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Emballage: /

Standard: /

Marque Déposée: /

De nouveau à-3P transistor de puissance 2SA1941 2SC5198 A1941 C5198

De nouveau à-3P transistor de puissance 2SA1941 2SC5198 A1941 C5198

De nouveau à-3P transistor de puissance 2SA1941 2SC5198 A1941 C5198

De nouveau à-3P transistor de puissance 2SA1941 2SC5198 A1941 C5198

De nouveau à-3P transistor de puissance 2SA1941 2SC5198 A1941 C5198

De nouveau à-3P transistor de puissance 2SA1941 2SC5198 A1941 C5198

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Collection

De nouveau à-3P transistor de puissance 2SA1941 2SC5198 A1941 C5198

0,239-0,418 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fréquence de travail: Haute fréquence

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Standard: standard

Transistor MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce60p45K NCE -60V -45A

Transistor MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce60p45K NCE -60V -45A

Transistor MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce60p45K NCE -60V -45A

Transistor MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce60p45K NCE -60V -45A

Transistor MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce60p45K NCE -60V -45A

Transistor MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce60p45K NCE -60V -45A

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Collection

Transistor MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce60p45K NCE -60V -45A

0,116-0,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS

Emballage: Cardboard Box

Standard: TO-252-2L

Marque Déposée: NCE

Origine: China

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

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Collection

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

1,00-1,238 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: /

Standard: /

Marque Déposée: /

ULN2003ADR Trans Darlington NPN 50V 0.5A Service de nomenclature de transistor original

ULN2003ADR Trans Darlington NPN 50V 0.5A Service de nomenclature de transistor original

ULN2003ADR Trans Darlington NPN 50V 0.5A Service de nomenclature de transistor original

ULN2003ADR Trans Darlington NPN 50V 0.5A Service de nomenclature de transistor original

ULN2003ADR Trans Darlington NPN 50V 0.5A Service de nomenclature de transistor original

ULN2003ADR Trans Darlington NPN 50V 0.5A Service de nomenclature de transistor original

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Collection

ULN2003ADR Trans Darlington NPN 50V 0.5A Service de nomenclature de transistor original

0,1-0,2 $US / Pièce

2 500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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forme: Rond

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542399000

Mosfet canal N G30N03D3 30V 30A Boîtier Dfn Le transistor pour recharge rapide

Mosfet canal N G30N03D3 30V 30A Boîtier Dfn Le transistor pour recharge rapide

Mosfet canal N G30N03D3 30V 30A Boîtier Dfn Le transistor pour recharge rapide

Mosfet canal N G30N03D3 30V 30A Boîtier Dfn Le transistor pour recharge rapide

Mosfet canal N G30N03D3 30V 30A Boîtier Dfn Le transistor pour recharge rapide

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Collection

Mosfet canal N G30N03D3 30V 30A Boîtier Dfn Le transistor pour recharge rapide

0,001-0,19 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Emballage: Carton

Standard: DFN package

Original transistor MOSFET IRF3205 Original de l'IRF 3205 transistor MOSFET de puissance à canal N'IRF3205pbf

Original transistor MOSFET IRF3205 Original de l'IRF 3205 transistor MOSFET de puissance à canal N'IRF3205pbf

Original transistor MOSFET IRF3205 Original de l'IRF 3205 transistor MOSFET de puissance à canal N'IRF3205pbf

Original transistor MOSFET IRF3205 Original de l'IRF 3205 transistor MOSFET de puissance à canal N'IRF3205pbf

Original transistor MOSFET IRF3205 Original de l'IRF 3205 transistor MOSFET de puissance à canal N'IRF3205pbf

Original transistor MOSFET IRF3205 Original de l'IRF 3205 transistor MOSFET de puissance à canal N'IRF3205pbf

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Collection

Original transistor MOSFET IRF3205 Original de l'IRF 3205 transistor MOSFET de puissance à canal N'IRF3205pbf

0,27-0,3 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Emballage: /

Standard: /

Marque Déposée: /

Origine: China

Capacité de Production: 100000000

Fabricant de MOSFET G48N03D3 30V 48A boîtier DFN IC Le transistor pour chargeur rapide

Fabricant de MOSFET G48N03D3 30V 48A boîtier DFN IC Le transistor pour chargeur rapide

Fabricant de MOSFET G48N03D3 30V 48A boîtier DFN IC Le transistor pour chargeur rapide

Fabricant de MOSFET G48N03D3 30V 48A boîtier DFN IC Le transistor pour chargeur rapide

Fabricant de MOSFET G48N03D3 30V 48A boîtier DFN IC Le transistor pour chargeur rapide

Fabricant de MOSFET G48N03D3 30V 48A boîtier DFN IC Le transistor pour chargeur rapide

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Collection

Fabricant de MOSFET G48N03D3 30V 48A boîtier DFN IC Le transistor pour chargeur rapide

0,07-0,08 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Emballage: Carton

Standard: DFN package

Transistor MOSFET de puissance mode d'amélioration Nce6005as Nce6005as NCE N-Channel 60 V et mcy ; & ocy ; & pcy ; -&tcy ; & rcy ; &acy; &ncy; &zcy; &icy; &scy; &tcy; &ocy; &rcy;

Transistor MOSFET de puissance mode d'amélioration Nce6005as Nce6005as NCE N-Channel 60 V et mcy ; & ocy ; & pcy ; -&tcy ; & rcy ; &acy; &ncy; &zcy; &icy; &scy; &tcy; &ocy; &rcy;

Transistor MOSFET de puissance mode d'amélioration Nce6005as Nce6005as NCE N-Channel 60 V et mcy ; & ocy ; & pcy ; -&tcy ; & rcy ; &acy; &ncy; &zcy; &icy; &scy; &tcy; &ocy; &rcy;

Transistor MOSFET de puissance mode d'amélioration Nce6005as Nce6005as NCE N-Channel 60 V et mcy ; & ocy ; & pcy ; -&tcy ; & rcy ; &acy; &ncy; &zcy; &icy; &scy; &tcy; &ocy; &rcy;

Transistor MOSFET de puissance mode d'amélioration Nce6005as Nce6005as NCE N-Channel 60 V et mcy ; & ocy ; & pcy ; -&tcy ; & rcy ; &acy; &ncy; &zcy; &icy; &scy; &tcy; &ocy; &rcy;

Transistor MOSFET de puissance mode d'amélioration Nce6005as Nce6005as NCE N-Channel 60 V et mcy ; & ocy ; & pcy ; -&tcy ; & rcy ; &acy; &ncy; &zcy; &icy; &scy; &tcy; &ocy; &rcy;

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Collection

Transistor MOSFET de puissance mode d'amélioration Nce6005as Nce6005as NCE N-Channel 60 V et mcy ; & ocy ; & pcy ; -&tcy ; & rcy ; а н з и с т о р

0,077-0,089 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

La haute tension GC11N65K Super Junction transistor MOSFET 650V 11A

La haute tension GC11N65K Super Junction transistor MOSFET 650V 11A

La haute tension GC11N65K Super Junction transistor MOSFET 650V 11A

La haute tension GC11N65K Super Junction transistor MOSFET 650V 11A

La haute tension GC11N65K Super Junction transistor MOSFET 650V 11A

La haute tension GC11N65K Super Junction transistor MOSFET 650V 11A

1/ 6

Collection

La haute tension GC11N65K Super Junction transistor MOSFET 650V 11A

0,001-0,2 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Emballage: Tube

Les composants électroniques Fgh60n60 60n60 à247 600V 60un transistor IGBT Fgh60n60SMD

Les composants électroniques Fgh60n60 60n60 à247 600V 60un transistor IGBT Fgh60n60SMD

Les composants électroniques Fgh60n60 60n60 à247 600V 60un transistor IGBT Fgh60n60SMD

Les composants électroniques Fgh60n60 60n60 à247 600V 60un transistor IGBT Fgh60n60SMD

Les composants électroniques Fgh60n60 60n60 à247 600V 60un transistor IGBT Fgh60n60SMD

Les composants électroniques Fgh60n60 60n60 à247 600V 60un transistor IGBT Fgh60n60SMD

1/ 6

Collection

Les composants électroniques Fgh60n60 60n60 à247 600V 60un transistor IGBT Fgh60n60SMD

0,923-0,95 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Standard: standard

Marque Déposée: JDP/Original

Transistors MOSFET AA3400 AA3400A AA3401 A3402 AA3403 AA3404 A3407 Service BOM

Transistors MOSFET AA3400 AA3400A AA3401 A3402 AA3403 AA3404 A3407 Service BOM

Transistors MOSFET AA3400 AA3400A AA3401 A3402 AA3403 AA3404 A3407 Service BOM

Transistors MOSFET AA3400 AA3400A AA3401 A3402 AA3403 AA3404 A3407 Service BOM

Transistors MOSFET AA3400 AA3400A AA3401 A3402 AA3403 AA3404 A3407 Service BOM

Transistors MOSFET AA3400 AA3400A AA3401 A3402 AA3403 AA3404 A3407 Service BOM

1/ 6

Collection

Transistors MOSFET AA3400 AA3400A AA3401 A3402 AA3403 AA3404 A3407 Service BOM

0,15-0,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors à encapsulation plastique SOT-363 applications de transistors à diodes transistor double de puissance (NPN+NPN) BC846S

Transistors à encapsulation plastique SOT-363 applications de transistors à diodes transistor double de puissance (NPN+NPN) BC846S

Transistors à encapsulation plastique SOT-363 applications de transistors à diodes transistor double de puissance (NPN+NPN) BC846S

Transistors à encapsulation plastique SOT-363 applications de transistors à diodes transistor double de puissance (NPN+NPN) BC846S

Transistors à encapsulation plastique SOT-363 applications de transistors à diodes transistor double de puissance (NPN+NPN) BC846S

Transistors à encapsulation plastique SOT-363 applications de transistors à diodes transistor double de puissance (NPN+NPN) BC846S

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Collection

Transistors à encapsulation plastique SOT-363 applications de transistors à diodes transistor double de puissance (NPN+NPN) BC846S

0,14-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Transistors à commutation à encapsulation plastique Joxing D882 40V3a (89 NPN)

Transistors à commutation à encapsulation plastique Joxing D882 40V3a (89 NPN)

Transistors à commutation à encapsulation plastique Joxing D882 40V3a (89 NPN)

Transistors à commutation à encapsulation plastique Joxing D882 40V3a (89 NPN)

Transistors à commutation à encapsulation plastique Joxing D882 40V3a (89 NPN)

Transistors à commutation à encapsulation plastique Joxing D882 40V3a (89 NPN)

1/ 6

Collection

Transistors à commutation à encapsulation plastique Joxing D882 40V3a (89 NPN)

0,0183-0,0486 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Bc848b Original New Transistors CMS

Bc848b Original New Transistors CMS

Bc848b Original New Transistors CMS

Bc848b Original New Transistors CMS

Bc848b Original New Transistors CMS

Bc848b Original New Transistors CMS

1/ 6

Collection

Bc848b Original New Transistors CMS

0,01 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Elecsound Technology Company Limited

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur Intrinsèque

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Demande: Télévision

Zdt751ta produits semi-conducteurs discrets Transistors - bipolaire (BJT) - Baies-223-8 sot

Zdt751ta produits semi-conducteurs discrets Transistors - bipolaire (BJT) - Baies-223-8 sot

Zdt751ta produits semi-conducteurs discrets Transistors - bipolaire (BJT) - Baies-223-8 sot

Zdt751ta produits semi-conducteurs discrets Transistors - bipolaire (BJT) - Baies-223-8 sot

Zdt751ta produits semi-conducteurs discrets Transistors - bipolaire (BJT) - Baies-223-8 sot

Zdt751ta produits semi-conducteurs discrets Transistors - bipolaire (BJT) - Baies-223-8 sot

1/ 6

Collection

Zdt751ta produits semi-conducteurs discrets Transistors - bipolaire (BJT) - Baies-223-8 sot

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Emballage: N/a

Standard: DIP/SMD

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

Capacité de Production: 5000

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

1/ 6

Collection

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

1,00 $US / Sac

1 Sac (MOQ)

Shenzhen New Chip international Ltd

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forme: Appartement

Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Thick Film IC

Emballage: ESD Bag

Capacité de Production: 10000box/1month

MOSFET de puissance Ncep040n85g NCE canal N Super Trench II 85V 120A Transistor avec Dfn5*6-8L

MOSFET de puissance Ncep040n85g NCE canal N Super Trench II 85V 120A Transistor avec Dfn5*6-8L

MOSFET de puissance Ncep040n85g NCE canal N Super Trench II 85V 120A Transistor avec Dfn5*6-8L

MOSFET de puissance Ncep040n85g NCE canal N Super Trench II 85V 120A Transistor avec Dfn5*6-8L

MOSFET de puissance Ncep040n85g NCE canal N Super Trench II 85V 120A Transistor avec Dfn5*6-8L

MOSFET de puissance Ncep040n85g NCE canal N Super Trench II 85V 120A Transistor avec Dfn5*6-8L

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Collection

MOSFET de puissance Ncep040n85g NCE canal N Super Trench II 85V 120A Transistor avec Dfn5*6-8L

0,43-0,48 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Carton

Mmun5332DW Mmun5333DW Mmun5334DW Transistor SOT-363

Mmun5332DW Mmun5333DW Mmun5334DW Transistor SOT-363

Mmun5332DW Mmun5333DW Mmun5334DW Transistor SOT-363

Mmun5332DW Mmun5333DW Mmun5334DW Transistor SOT-363

Mmun5332DW Mmun5333DW Mmun5334DW Transistor SOT-363

Mmun5332DW Mmun5333DW Mmun5334DW Transistor SOT-363

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Collection

Mmun5332DW Mmun5333DW Mmun5334DW Transistor SOT-363

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 3K/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 550*210*220

To-126 transistors encapsuleurs en plastique C20604

To-126 transistors encapsuleurs en plastique C20604

To-126 transistors encapsuleurs en plastique C20604

To-126 transistors encapsuleurs en plastique C20604

To-126 transistors encapsuleurs en plastique C20604

To-126 transistors encapsuleurs en plastique C20604

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Collection

To-126 transistors encapsuleurs en plastique C20604

0,3 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible

Réseaux de transistors sérieux Tonn2803A Soic18

Réseaux de transistors sérieux Tonn2803A Soic18

Réseaux de transistors sérieux Tonn2803A Soic18

Réseaux de transistors sérieux Tonn2803A Soic18

Réseaux de transistors sérieux Tonn2803A Soic18

Réseaux de transistors sérieux Tonn2803A Soic18

1/ 6

Collection

Réseaux de transistors sérieux Tonn2803A Soic18

1 Pièce (MOQ)

Simentor Electronic Limited

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Technique: Semiconductor IC

Emballage: Reel

Standard: 2000/reel

Marque Déposée: ST

Origine: China

Capacité de Production: 12000

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

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Collection

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

0,086-0,15 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

CY Wireless Technology Limited

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Emballage: Cartons

Standard: NA

Transistors originaux Mmbt2907A transistors à encapsulation plastique Sot-23

Transistors originaux Mmbt2907A transistors à encapsulation plastique Sot-23

Transistors originaux Mmbt2907A transistors à encapsulation plastique Sot-23

Transistors originaux Mmbt2907A transistors à encapsulation plastique Sot-23

Transistors originaux Mmbt2907A transistors à encapsulation plastique Sot-23

Transistors originaux Mmbt2907A transistors à encapsulation plastique Sot-23

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Collection

Transistors originaux Mmbt2907A transistors à encapsulation plastique Sot-23

0,007-0,008 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Dulcimer Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Structure: PNP

Emballage: Carton Box

Standard: MMBT2907A SOT-23

6es7212-1ab23-0xb8 entrées numériques et module de sortie T transistor

6es7212-1ab23-0xb8 entrées numériques et module de sortie T transistor

6es7212-1ab23-0xb8 entrées numériques et module de sortie T transistor

6es7212-1ab23-0xb8 entrées numériques et module de sortie T transistor

6es7212-1ab23-0xb8 entrées numériques et module de sortie T transistor

6es7212-1ab23-0xb8 entrées numériques et module de sortie T transistor

1/ 6

Collection

6es7212-1ab23-0xb8 entrées numériques et module de sortie T transistor

30,00-500,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Guangzhou he Neng Automation Equipment Co. , Ltd.

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Usage: Station de Travail,Serveur

Type: Câblé

Certificat: CE,ISO

État: Nouveau

Emballage: Carton

Marque Déposée: Siemens

Juxing Bcx56 100V1UN SOT-89 Plastic-Encapsulate transistors de commutation (NPN)

Juxing Bcx56 100V1UN SOT-89 Plastic-Encapsulate transistors de commutation (NPN)

Juxing Bcx56 100V1UN SOT-89 Plastic-Encapsulate transistors de commutation (NPN)

Juxing Bcx56 100V1UN SOT-89 Plastic-Encapsulate transistors de commutation (NPN)

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Juxing Bcx56 100V1UN SOT-89 Plastic-Encapsulate transistors de commutation (NPN)

0,0183-0,0486 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

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Amplificateur de basse fréquence nominale de Shell transistor NPN bipolaire D882 à-126

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Transistor à effet de champ à broches (PIN-FET)/ensemble récepteur optique/module récepteur optique/broche-FET

Transistor à effet de champ à broches (PIN-FET)/ensemble récepteur optique/module récepteur optique/broche-FET

Transistor à effet de champ à broches (PIN-FET)/ensemble récepteur optique/module récepteur optique/broche-FET

Transistor à effet de champ à broches (PIN-FET)/ensemble récepteur optique/module récepteur optique/broche-FET

Transistor à effet de champ à broches (PIN-FET)/ensemble récepteur optique/module récepteur optique/broche-FET

Transistor à effet de champ à broches (PIN-FET)/ensemble récepteur optique/module récepteur optique/broche-FET

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Transistor à effet de champ à broches (PIN-FET)/ensemble récepteur optique/module récepteur optique/broche-FET

230,00-300,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shanghai Rui Tai Photoelectric Technology Co., Ltd.

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Emballage: 100PCS Per Carton

Standard: custom as per demand

Marque Déposée: Raytek

Origine: China

Code SH: 8517795000

Capacité de Production: 100000000PCS Per Year

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

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Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

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Transistors SOT23 SMD

0,003 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Elecsound Technology Company Limited

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forme: TREMPER

Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Bulk / Reel

Standard: ROHS

Marque Déposée: ELECSOUND

Transistor MOSFET à diode axiale Sf52 de 5 a/100 V.

Transistor MOSFET à diode axiale Sf52 de 5 a/100 V.

Transistor MOSFET à diode axiale Sf52 de 5 a/100 V.

Transistor MOSFET à diode axiale Sf52 de 5 a/100 V.

Transistor MOSFET à diode axiale Sf52 de 5 a/100 V.

Transistor MOSFET à diode axiale Sf52 de 5 a/100 V.

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Transistor MOSFET à diode axiale Sf52 de 5 a/100 V.

0,001-0,003 $US / Pièce

50 000 Pièces (MOQ)

Chaozhou Haixinwei Electronics Factory

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur Intrinsèque

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Numérique

Demande: Radio

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