Le GaN

600,00 $US / Pièce

Dispositifs de puissance RF GaN haute performance adaptés à la communication sans fil, à la compatibilité électromagnétique, au positionnement radio, aux applications de télémétrie Transistor GaN images et photos

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Quel est Dispositifs de puissance RF GaN haute performance adaptés à la communication sans fil, à la compatibilité électromagnétique, au positionnement radio, aux applications de télémétrie Transistor GaN

Name: Dispositifs de puissance RF GaN haute performance adaptés à la communication sans fil, à la compatibilité électromagnétique, au positionnement radio, aux applications de télémétrie Transistor GaN
Uploaded: 2025-12-23T06:19:52+08:00
Description: Profil de l'entreprise Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd fondée en 2014, est une entreprise de haute technologie intégrant la recherche et le développement, la productio

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À propos de cet article

Prix

Commande Min. Prix FOB de Référence

100 Pièces 600,00 $US / Pièce

Spécifications

Application Composants électroniques de puissance, Radio, Télévision, signal bloqué
Numéro de lot 2025
Certification CE, RoHS
Technologie de fabrication Dispositif discret
Matériel gan
Modèle gan
Paquet SMD
Traitement du signal Analogique Numérique Composite et Fonction
Type Semi-conducteur de type P
puissance élevée jusqu'à 600 w.
température de fonctionnement jusqu'à 150degree
bande de fréquence bande étroite ou bande large
Paquet de Transport bobine/ruban
Spécifications autre
Marque Déposée eversmart
Origine chine

Description de Produit

Profil de l'entreprise Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd fondée en 2014, est une entreprise de haute technologie intégrant la recherche et le développement, la production et la vente. Depuis sa création, l'entreprise a pris les produits de ...

Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.

Membre Diamant Depuis 2025

Fournisseur Audité

Notes et Commentaires: 5.0/5.0

(2 Commentaires)

Produits Principaux Anti-drone, bloqueur de signal, module amplificateur RF, transistor de puissance GaN
Adresse 1203, Building 2, Cofc0 Business Park, Xingdong Community, Xin'an Street, Bao'andistrict, Shenzhen City, Guangdong Province, Shenzhen, Guangdong, China
Principaux Marchés Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l'Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l'Est, Europe de l'Ouest
Délai Moyen Délai de Livraison en Pleine Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables, Délai de Livraison hors Saison, Dans les 15 Jours Ouvrables

Le GaN Comparaison

	Dispositifs de puissance RF GaN haute performance adaptés à la communication sans fil, à la compatibilité électromagnétique, au positionnement radio, aux applications de télémétrie Transistor GaN Contacter	Aperçu Rapide Qualité Japonaise Film300mm Testwafer P/N Type 8 Pouce Wafer en Silicium Contacter	Aperçu Rapide 12inch Dummy Testwafer Semiconductors Plaque de silicium poli Contacter	Aperçu Rapide Qualité japonaise 6/8/12 pouce Film Dummy Testwafer Wafer en silicium Contacter	Aperçu Rapide 2-12inch Plaque de film factice wafers Sic semi-conducteurs plaque de silicium poli Contacter

Informations sur la Transaction
	Dispositifs de puissance RF GaN haute performance adaptés à la communication sans fil, à la compatibilité électromagnétique, au positionnement radio, aux applications de télémétrie Transistor GaN Contacter	Aperçu Rapide Qualité Japonaise Film300mm Testwafer P/N Type 8 Pouce Wafer en Silicium Contacter	Aperçu Rapide 12inch Dummy Testwafer Semiconductors Plaque de silicium poli Contacter	Aperçu Rapide Qualité japonaise 6/8/12 pouce Film Dummy Testwafer Wafer en silicium Contacter	Aperçu Rapide 2-12inch Plaque de film factice wafers Sic semi-conducteurs plaque de silicium poli Contacter
Prix	600,00 $US / Pièce	25,00 $US / pc	25,00 $US / pc	25,00 $US / pc	25,00 $US / pc
Commande Min.	100 Pièces	50 pc	50 pc	50 pc	50 pc
Conditions de Paiement	-	T/T, PayPal	T/T, PayPal	T/T, PayPal	T/T, PayPal
Contrôle de qualité
Certification du produit	CE, RoHS	-	-	-	-
Certification du Système de Gestion	-	-	-	-	-
Capacité Commerciale
Marchés d'exportation	Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l'Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l'Est, Europe de l'Ouest	Asie du Sud-Est/Moyen-Orient, Asie de l'Est(Japon/Corée du Sud)	Asie du Sud-Est/Moyen-Orient, Asie de l'Est(Japon/Corée du Sud)	Asie du Sud-Est/Moyen-Orient, Asie de l'Est(Japon/Corée du Sud)	Asie du Sud-Est/Moyen-Orient, Asie de l'Est(Japon/Corée du Sud)
Recettes Annuelles d'Exportation	-	-	-	-	-
Modèle d'affaires	-	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM
Délai Moyen	Délai de Livraison en Pleine Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables	Délai de Livraison en Pleine Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables	Délai de Livraison en Pleine Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables	Délai de Livraison en Pleine Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables	Délai de Livraison en Pleine Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables
Attributs du Produit
Spécifications	Application: Composants électroniques de puissance, Radio, Télévision, signal bloqué; Numéro de lot: 2025; Technologie de fabrication: Dispositif discret; Matériel: gan; Modèle: gan; Paquet: SMD; Traitement du signal: Analogique Numérique Composite et Fonction; Type: Semi-conducteur de type P; puissance élevée: jusqu'à 600 w.; température de fonctionnement: jusqu'à 150degree; bande de fréquence: bande étroite ou bande large;	Application: équipement; Numéro de lot: n/a; Technologie de fabrication: Circuit intégré Dispositif; Matériel: Semiconducteur composé; Modèle: personnaliser; Paquet: semi-standard; Traitement du signal: n/a; Type: Semi-conducteur de type P; méthode de croissance: cz; orientation du cristal: 100; Dopant: bore; résistivité: 1-100Ω; côté avant: poli; arête: poli; diamètre: 300±0.2mm; epaisseur: 775±25μm; marque: fsm;	Matériel: Semiconducteur composé; Type: Semi-conducteur de type P; méthode de croissance: cz; orientation du cristal: 100; Dopant: bore; résistivité: 1-100Ω; côté avant: poli; arête: poli; diamètre: 300±0.2mm; epaisseur: 775±25μm;	méthode de croissance: cz; orientation du cristal: 100; Dopant: bore; résistivité: 1-100Ω; côté avant: poli; arête: poli; diamètre: 300±0.2mm; epaisseur: 775±25μm;	Matériel: Semiconducteur composé; Type: Semi-conducteur de type P; méthode de croissance: cz; orientation du cristal: 100; Dopant: bore; résistivité: 1-100Ω; côté avant: poli; arête: poli; diamètre: 300±0.2mm; epaisseur: 775±25μm;
Nom du fournisseur	Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.

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