Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

• certificat: RoHS
• Forme: GT
• Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube
• Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi
• Fonction: Transistor Haute Pression Retour, Micro-ondes Transistor, Commutateur Transistor, Transistor
• Fréquence de travail: Basse fréquence
• N° de Modèle.: IRFB4229PBF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Niveau d′énergie: Haute puissance
• Matériel: Silicium
• polarité/type de canal: canal n
• numéro de produit: Irfb4229pbf
• état: nouveau et original
• expédition par: dhl\ups\fedex\ems\hk postdhl\ups\fedex\ems\hk post
• catégorie: transistors
• technologie: mosfet
• Paquet de Transport: Tube
• Spécifications: iron and plastic
• Origine: Chn

Description de Produit

Les attributs de produit
 

Type de transistor FET	N-canal
La technologie	Le MOSFET (Metal Oxide)
- Continu actuelle (ID) de vidange @ 25°C	46A (TC)
Tension d'entraînement (Max, Min RDS de RDS de)	10V
Rds de (Max) @ Id, VGS	46MOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (max. ) @ Id	5V @ 250µA
Vgs (max. )	±30V
Fonctionnalité de FET	-
La dissipation de puissance (maxi)	330W (TC)

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