certificat: | RoHS |
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Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
Installation: | Through Hole |
Fonction: | Puissance Triode, NPN Transistor |
Structure: | NPN |
catégorie de produit: | transistors bipolaires - bjt |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Catégorie | Produits de semiconducteurs discrets Transistors - bipolaire (BJT) - simple |
Package | En vrac |
Type de transistor | NPN |
Saturation VCE (max.) à Ib, IC | 500 mV à 50 mA, 500 mA |
Courant - coupure du collecteur (max.) | 100 Na (IRBO) |
Gain de courant c.c. (hFE) (min) à IC, VCE | 40 à 150 mA, 2 V. |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Trou traversant |
Emballage/caisse | TO-225AA, TO-126-3 |
Package de périphérique fournisseur | TO-225AA |
Courant - collecteur (IC) (max) | 1.5 A. |
Tension - rupture de l'émetteur du collecteur (max.) | 80 V. |
Puissance - max | 1.25 W |
Numéro de produit de base | BD139 |
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