Machine de soudage par ultrasons G80n60 Le Mosfet N-CH 600V 80A

• Certification: RoHS, CE, ISO
• Function: Mosfet Transistor
• Structure: Diffusion
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Material: Silicon
• description: mosfet 650 v vds ; 30 v vgs
• N° de Modèle.: G80N60
• catégorie de produit: mosfet
• technologie: si
• style de montage: trou traversant
• polarité du transistor: canal n
• vgs - tension de la source de grille: - 30 v, + 30 v.
• type de produit: mosfet
• sous-catégorie: mosfet
• Origine: China

Description de Produit

Les attributs de produit

 

CatéGorie de produit :	Le MOSFET
La technologie :	Si
Style de montage :	ÀTravers le trou
Le transistor la polarité:	N-canal
Nombre de canaux :	Le canal 1
Tension de rupture vds - Drain/Source :	600 V
Id - vidange continu actuel :	80 A
Rds - Drain/Source réSistance :	32 mOhms
Vgs - Gate-Source tension :	- 30 V, + 30 V
Vgs Gate-Source th - Tension de seuil :	2 V
Qg - Charge de grille :	400 nC
TempéRature minimale de fonctionnement :	- 55 C
TempéRature maximale de fonctionnement :	+ 150 C
Pd - Dissipation de puissance :	520 W
Le mode de canal :	La mise en valeur
Emballage :	Le tube
Configuration :	Seul
SéRie :	EF
Le transistor de type :	1 N-canal

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 Type de paquet




Champs d'application




Informations de la sociéTé


Notre Exihibiton

FAQ

1.Qui êTes-vous ?
Nous sommes fabricant de haute qualitéDe la Chine de ses propres jetons inclus IC,,RéSistance, Transistor
Les condensateurs,Memory,IGBT, MOSFET,Traic/SCR,l'optoéLectronique.Presque tous les composants
De l'éLectronique dans notre production.

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L'original,de sorte que nous coopéRons avec certains original de la conception et déVeloppement
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