Sic Crystal

Cristal de sic
Possibilités technologiques :
1. 2" ; - 4" ; Gaufrettes de sic, incluant : Type sic, 6H-SiC4H-SiC semi-isolant de N
2. < d'aspérité ; 0.3nm
3. Density< de Microtubules ; 10/cm2, structure cristalline stabilisée (> ; 90%), type commandé de conduction (type de n ou semi-isolant)
4. droit de propriété intellectuel Individu-possédé

Le sic est un matériel large important de semi-conducteur d'espace de bande qui est considéré le représentant des matériaux larges third-generation de semi-conducteur d'espace de bande après (GaAs, Gap, INP) les matériaux de première génération (SI et GE) et de seconde génération de semi-conducteur composé. Le développement de l'exécution de dispositif de SI a été atteint la limite. Par conséquent, la recherche du matériel large de semi-conducteur d'espace de bande devient pressante et importante. Le sic a les propriétés attrayantes telles que l'espace de bande large, conductivité de chaleur élevée, taux de migration saturé électronique élevé et a été employé couramment pour l'appareil électronique optoélectronique et à haute fréquence de fabrication de puissance élevée.