Info de Base.
Description de Produit
Plaquette isolée soi semi-conducteur
Galette de substrat SOI
GALETTE de silicium SOI
Modèle : 2, 4, 5, 6, 8, 12 pouces
Galette de silicium isolée SOI
SOI désigne le placement d'une fine couche de silicium sur un substrat isolant. Le transistor sera préparé sur une fine couche de silicium appelée 'SOI'. Les dispositifs basés sur la structure soi peuvent essentiellement réduire la capacité de jonction et le courant de fuite, améliorer la vitesse de commutation, réduire la consommation d'énergie et atteindre un fonctionnement à haute vitesse et à faible consommation. En tant que nouvelle génération de circuits intégrés à base de silicium, la soi est largement utilisée dans la plupart des domaines de la microélectronique, tout en étant également appliquée dans d'autres domaines tels que l'optoélectronique et les MEMS.
La société peut fournir des plaquettes de 100 mm, 125 mm, 150 mm et 200 mm et leurs plaquettes épitaxiales. La série de produits comprend des plaquettes Simbond, des plaquettes collées, des plaquettes SIMOX à haute et faible dose, et peut être étendue à l'épaisseur de silicium de surface requise en fonction des besoins de l'utilisateur. En outre, la société fournit également aux utilisateurs une série SIMOX ultra-mince avec des silicium de couche supérieure de moins de 50 nm et des plaquettes SIMOX haute résistance pour l'intégration de systèmes RF.
L'épaisseur de la couche supérieure de silicium peut varier selon l'application. Grâce aux instruments de précision, à la technologie de collage et aux équipements épitaxiaux, la couche de silicium la plus fine peut atteindre 20 nanomètres et la couche la plus épaisse peut atteindre des dizaines de micromètres ou plus. Une couche supérieure plus épaisse de silicium est particulièrement importante pour les dispositifs de communication optique et MEMS.
Caractéristiques du produit :
LES plaquettes SOI présentent principalement les caractéristiques suivantes :
1. Augmenter la vitesse de fonctionnement
À une tension spécifique, la vitesse de fonctionnement des circuits construits sur des matériaux soi est 30 % plus rapide que celle des circuits construits sur des matériaux de silicium ordinaires, améliorant considérablement les performances des microprocesseurs et autres dispositifs.
2. Réduire la perte d'énergie
LES matériaux SOI peuvent réduire la consommation d'énergie de près de 30 % à 70 %, ce qui les rend particulièrement adaptés aux zones à forte consommation d'énergie.
3. Améliorer la performance opérationnelle
Les matériaux SOI peuvent supporter des températures élevées allant jusqu'à 350 degrés Celsius, voire 500 degrés Celsius, ce qui les rend particulièrement adaptés aux équipements qui doivent fonctionner correctement dans les environnements difficiles.
4. Réduire la taille de l'emballage
LES matériaux SOI peuvent répondre aux exigences de plus en plus petites des fabricants de ci pour les produits.
Adresse:
3rd Floor, Building G, No. 9 Xinbu Market, Tongxin Community, Baolong Street, Longgang District, Shenzhen, Guangdong, China
Type d'Entreprise:
Fabricant/Usine
Gamme de Produits:
Électricité & Électronique
Présentation de l'Entreprise:
Saniwave Technology Co., Ltd. A été créée en 2017. C′est une succursale de Shenzhen Saniwave Enterprise Limited. Saniwave Technology Co., Ltd. Se consacre à la fabrication de plaquettes de silicium et à la fourniture de lingots de silicium, de cristaux de graines de silicium, de plaquettes de cellules solaires, de tampons de polissage CMP, etc
