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Diode redresseuse axiale Mic 1n5401 3A 100V grande puce

Prix FOB de Référence: 0,56-2,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Overclocking
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Fonction: Photosensible

Triode à haute fréquence (BW1608J2)

Prix FOB de Référence: 3 200,00-3 900,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: Foam Packing
  • Marque Déposée: SETEC
  • Origine: China

Original Bss84lt1g P-Canal 50V 130mA (Ta) 225MW (Ta) Transistor Mosfet Bss84

Prix FOB de Référence: 0,1 $US / Pièce
Commande Minimum: 20 Pièces
  • certificat: RoHS
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode SMD
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Matériel: Silicium
  • Emballage: Standard

Irfz48n Mosfet N-Canal - 55V, 60A, Convient aux régulateurs de commutation et aux onduleurs

Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Emballage: Box
  • Standard: TO-220

Module IGBT Original Infineon en gros FF450r12kt4

Prix FOB de Référence: 90,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Structure: Planar
  • Emballage: Original Packaging
  • Standard: Standard specifications

Nouvelle paire d'amplificateurs audio haute puissance à tubes et transistors Mjl21195 Mjl21196

Prix FOB de Référence: 0,1-0,99 $US / Pièce
Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Tube de Darlington,Puissance Triode

Tube électronique céramique à haute fréquence, oscillateur à vide (BW1184J2, BW1185J2, YD1212, YD1202)

Prix FOB de Référence: 4 000,00-5 000,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: Foam Packing
  • Marque Déposée: SETEC
  • Origine: China

Texte original Irf540npbf N-Canal 100V 33A (Tc) 130W (Tc) Irf540 Transistor (Nous fournissons un service Bom PCB PCBA)

Prix FOB de Référence: 0,09 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode enfichable
  • Structure: NPN
  • Matériel: Silicium
  • Emballage: Standard

Convertisseur DC-DC Mosfet Irf840 Mosfet de puissance N-Channel

Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Basse fréquence
  • Niveau d'énergie: Petite puissance
  • Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode
  • Structure: La diffusion

Module IGBT Original Infineon en gros FF200r12kt4 FF300r12kt4 Autres modèles, veuillez consulter le service client

Prix FOB de Référence: 90,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Structure: Planar
  • Emballage: Original Packaging
  • Standard: Standard specifications

mm1z3V6 Sérigraphie 4h 0.5W 3.6V SOD123 1206 Diode Zener à puce

Prix FOB de Référence: 0,04-0,05 $US / Pièce
Commande Minimum: 2 500 Pièces
  • certificat: RoHS
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode,commutation Triode
  • Structure: PNP
  • Matériel: Silicium
  • Standard: Supplier Device Package SOT-23-3

5868, soupape TB4/1250

Prix FOB de Référence: 200,00-300,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: Foam Packing
  • Marque Déposée: SETEC
  • Origine: China

Irfu5410pbf Irfu4615pbf Irfu4510pbf to-251 Composants de transistor

Prix FOB de Référence: 1,0E-4-0,1 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Fonction: Puissance Triode

BTA16-800 16A 800V Triac - Haute Fiabilité, Conception Sans Snubber

Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Emballage: Box
  • Standard: TO-220

Module IGBT Original FUJI en gros 2mbi200vh-120 2mbi300vh-120 2mbi450vh-120-50

Prix FOB de Référence: 90,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: CE
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Structure: Planar
  • Emballage: Original Packaging
  • Standard: Standard specifications

Nouveau Bc817-25 6b Sot-23 45V / 500mA Transistor SMD NPN

Prix FOB de Référence: 0,079-0,15 $US / Pièce
Commande Minimum: 500 Pièces
  • certificat: RoHS,CE
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Basse fréquence
  • Niveau d'énergie: Petite puissance
  • Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode

Tube à vide triode électronique (TH537)

Prix FOB de Référence: 50 000,00-60 000,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: Foam Packing
  • Marque Déposée: SETEC
  • Origine: China

Texte original 2sc5200 2SA1943 Paire Bipolaire (BJT) Transistor NPN 230V 15A 30MHz 150W

Prix FOB de Référence: 0,5 $US / Pièce
Commande Minimum: 100 Pièces
  • certificat: RoHS
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode enfichable
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Matériel: Silicium
  • Emballage: Standard

Tn1605h-6fp 16A 600V IGBT - Parfait pour les systèmes d'alimentation sans interruption et les onduleurs solaires

Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Emballage: Box
  • Standard: TO-220

Module IGBT Original en Gros Infineon FF600r17me4

Prix FOB de Référence: 90,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Structure: Planar
  • Emballage: Original Packaging
  • Standard: Standard specifications

Transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension Bux48A

Prix FOB de Référence: 0,8 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 000 Pièces
  • certificat: RoHS
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: Roll

Oscillateur à triode haute puissance Triode de puissance RS3040cl

Prix FOB de Référence: 2 000,00-3 000,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: Foam Packing
  • Marque Déposée: SETEC
  • Origine: China

Wnm2021-3/Tr Composants Électroniques Transistor Sot-323

Prix FOB de Référence: 1,0E-4-0,1 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Structure: PNP

Tda7297 Amplificateur Audio Double - 15W+15W Sortie Stéréo, Faible Bruit

Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Emballage: Box
  • Standard: TO-220

Module de puissance IGBT original Infineon en gros Fp25r12W2t7 Fp35r12W2t7 Fp50r12W2t7

Prix FOB de Référence: 90,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: CE
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Structure: Planar
  • Emballage: Original Packaging
  • Standard: Standard specifications

Transistor de puissance IGBT Original Infineon Ihw15n120r3 15A 1200V

Prix FOB de Référence: 0,8-1,5 $US / Pièce
Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS
  • Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
  • Installation: Triode enfichable
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Tube de Darlington,Puissance Triode
  • Matériel: Silicium

Triodes en céramique métallique à haute fréquence dans un oscillateur triode (E3062E)

Prix FOB de Référence: 100,00-200,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: Foam Packing
  • Marque Déposée: SETEC
  • Origine: China

Irfb3077 Pbf N-Canal 75 V 120A (Tc) Mosfet Transistor Irf300 Irf3007

Prix FOB de Référence: 1,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • Origine: Original
  • Capacité de Production: 10000PCS/Day

Tda7562b Amplificateur Audio Mosfet - Haute Puissance, Faible Dissipation de Chaleur, Performance Fiable

Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Emballage: Box
  • Standard: TO-220

Module IGBT original Infineon en gros Puissance FF50r12rt4 FF75r12rt4 FF100r12rt4 FF150r12rt4

Prix FOB de Référence: 90,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: CE
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Structure: Planar
  • Emballage: Original Packaging
  • Standard: Standard specifications