Environ 2836 produits trouvés

Module IGBT Infineon Fp50r12kt3 Fp150r12kt4 Fp75r12kt3 Fp35r12kt4

Prix FOB: 99,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: CE
  • Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Structure: Alliage

Transistor Mosfet N-Channel SMD de puissance pour 247 montage en surface pour alimentation à découpage DC-DC fabriqué en Chine

Prix FOB: 0,1-1,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 600 Pièces
  • certificat: RoHS,ISO
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Module IGBT Semikon Original Neuf Skm800ga126D

Prix FOB: 55,00-57,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Structure: Planar
  • Emballage: Original Packaging
  • Standard: Standard specifications

Tube électronique à haute fréquence utilisé comme amplificateur RF linéaire 3cx10000A3

Prix FOB: 900,00-1 700,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: ISO
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Emballage: Suitable for Long-Distance Transportation
  • Standard: Output power 12.4kW
  • Marque Déposée: Beijing Jenerator

A916 2SA916 to-221 Composants électroniques de transistor

Prix FOB: 0,01 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 000 Pièces
  • certificat: RoHS
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Marque Déposée: CHN

Texte original Tip42c Tip42 Transistor bipolaire (BJT) PNP 100V 6A 65W

Prix FOB: 0,1 $US / Pièce
Commande Minimum: 100 Pièces
  • certificat: RoHS
  • Installation: Triode enfichable
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Matériel: Silicium
  • Emballage: Standard
  • Standard: Standard

MD1802fx Transistor de puissance NPN haute tension pour affichage CRT de définition standard

Prix FOB: 0,6-0,8 $US / Pièce
Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Overclocking
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Fonction: Photosensible

Mosfet Dhx Zxmn3a01zta Sot-89 Neuf et Original

Prix FOB: 0,2711 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Overclocking
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode,commutation Triode

Amplificateur de tube de chauffage haute fréquence pour machine à souder (3CX20000H3)

Prix FOB: 1 500,00-2 500,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: Foam Packing
  • Marque Déposée: SETEC
  • Origine: China

Fha60t65A Module de puissance IGBT - Conception compacte pour des applications haute puissance

Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Emballage: Box
  • Standard: TO-220

Conception Avancée Vcmnt32D Transistor Combo Mosfet, OEM Dfnwb2X2 SKD Semiconducteur

Prix FOB: 0,0201-0,037 $US / Pièce
Commande Minimum: 100 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Basse fréquence
  • Niveau d'énergie: Petite puissance
  • Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Module de Pont Redresseur Sanrex Dfa200AA160 Dfa150CB80 Mdst200-16 Msdt150-18 200A1600V

Prix FOB: 99,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: CE
  • Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Structure: Alliage

Transistor Mosfet N-Channel à haute tension en boîtier isolé pour circuit de correction du facteur de puissance SMPS Alimentation électrique Fabriqué en Chine

Prix FOB: 0,1-1,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 600 Pièces
  • certificat: RoHS,ISO
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Module IGBT Infineon en gros FF150r12rt4. pour d'autres modèles, veuillez consulter le service client

Prix FOB: 90,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Structure: Planar
  • Emballage: Original Packaging
  • Standard: Standard specifications

Tube tétraédrique électronique refroidi par air Fu-728f en métal céramique pour amplificateur

Prix FOB: 470,00-670,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: ISO
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Emballage: Suitable for Long-Distance Transportation
  • Standard: Simple tone output power 1.8kW
  • Marque Déposée: Beijing Jenerator

Transistor IGBT Ikw30n60h3 30 a 600 V TO247 K30h603

Prix FOB: 1,27-1,5 $US / Pièce
Commande Minimum: 10 Pièces
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: Standard Packaging
  • Standard: to-247

Tip147 Tip142 Transistor Bipolaire (BJT) PNP-Darlington 100V 10A 125W to-247 Transistor

Prix FOB: 0,027-0,04 $US / Pièce
Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS,ISO
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode enfichable
  • Structure: PNP
  • Emballage: Standard
  • Standard: Standard

Ikw40t120 K40t120 640A/1200V Transistor IGBT à faible perte Duopack 1200V 40A

Prix FOB: 7,75 $US / Pièce
Commande Minimum: 10 Pièces
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode enfichable
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: /
  • Standard: /
  • Origine: China

Transistor Mosfet Ceh8205 Tsop-6 100% Original Neuf

Prix FOB: 0,14 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Overclocking
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode,commutation Triode

Irf3703pbf Transistor Mosfet avec une résistance à l'état passant ultra-basse et une capacité de gestion de courant élevée

Prix FOB: 0,1 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Emballage: Box
  • Standard: TO-220

Amplificateur en céramique métallique à vide (BW1608J2F)

Prix FOB: 3 200,00-3 900,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: Foam Packing
  • Marque Déposée: SETEC
  • Origine: China
  • Code SH: 8540890090

Fabricant Vc3904b Transistor NPN en silicium à usage général Sot-23, Accepte les commandes OEM personnalisées

Prix FOB: 0,007-0,012 $US / Pièce
Commande Minimum: 100 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Petite puissance
  • Fonction: commutation Triode

Module IGBT Infineon Td251n18kof Td285n16kof Td330n12kof Tt250n16kof 14K0f

Prix FOB: 99,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: CE
  • Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Structure: Alliage

Puissance PC Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Diode de récupération rapide Mosfet

Prix FOB: 0,2 $US / Pièce
Commande Minimum: 660 Pièces
  • certificat: RoHS,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Vente en gros de nouveau module IGBT Skm75GB128d Skm100GB128d Skm145GB128d

Prix FOB: 90,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Structure: Planar
  • Emballage: Original Packaging
  • Standard: Standard specifications

Tube électronique haute puissance pour l'industrie du soudage (ITL9-1)

Prix FOB: 800,00-1 800,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: ISO
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Emballage: Suitable for Long-Distance Transportation
  • Standard: Output power 25kW
  • Marque Déposée: Beijing Jenerator

Texte original 2sc5144 C5144 to-3pl Transistor de puissance NPN 20A 1700V

Prix FOB: 12,72-18,61 $US / Pièce
Commande Minimum: 50 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode enfichable
  • Fonction: Puissance Triode
  • Matériel: Germanium
  • Origine: China

Texte original Ncep85t16 Transistor Mosfet 220W 85V 160A 85t16 1 N-Canal to-220

Prix FOB: 0,4 $US / Pièce
Commande Minimum: 100 Pièces
  • certificat: RoHS
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode enfichable
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Matériel: Silicium
  • Emballage: Standard

Gyroscope à taux de lacet rejetant les vibrations avec haute stabilité et faible bruit Adxrs646bbgz

Prix FOB: 0,001-2,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 10 Pièces
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Overclocking
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Fonction: Photosensible

Transistor Mosfet P-Channel 2sj632-Td-E Pcp 100% Neuf Original

Prix FOB: 0,12 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Overclocking
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode,commutation Triode