Accueil Annuaire de Produits Électricité & Électronique Triode
Environ 2849 produits trouvés

Mmbt3906 -0.2d'un sot23 -40V transistor PNP

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Petite puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

S8050 SOT-23 1.5A 25V transistor NPN

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Petite puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

S9012 0,5A 30V transistor PNP SOT-23

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Petite puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Bd237 2A 80V transistor NPN à-126

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Petite puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

D880 3A 50V transistor NPN à-126

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Petite puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Wgp840 tension Moyenne, Haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 500V 9A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Astuce147 Package à-220 Transistor Darlington de puissance

  • certificat: RoHS
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Basse fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Tube de Darlington
  • Dandong Hua'ao Electronic Co., Ltd.
  • Province: Liaoning, China

MOSFET N-CH 50V 210mA SC70 Bss138W tube MOS transistor

  • certificat: ISO
  • Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Overclocking
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Structure: Planar
  • Guangzhou ertai Trading Co., LTD
  • Province: Guangdong, China

IC

  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Emballage: Original
  • Standard: ce
  • Marque Déposée: FMD
  • Origine: China
  • Capacité de Production: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Province: Guangdong, China

Tube à haute fréquence

  • Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Structure: La diffusion
  • Shijiazhuang Ifan Imp&Exp Trade Co., Ltd
  • Province: Hebei, China

Tube de la grille de puissance du tube d'électrons 7092

  • certificat: CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Verre Transistor Sealed
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Fonction: Puissance Triode
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Province: Liaoning, China

Wgp60r280 tension Moyenne, Haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à251 600V15A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Dmg2305ux-7 Sot-23-3 circuit intégré de composants électroniques Diode stock Semiconductor d'origine

  • certificat: RoHS
  • Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Photosensible
  • Guangzhou ertai Trading Co., LTD
  • Province: Guangdong, China

Prix bon marché de l'IC

  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Emballage: Original
  • Standard: ce
  • Marque Déposée: FMD
  • Origine: China
  • Capacité de Production: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Province: Guangdong, China

Wgp740 tension Moyenne, Haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 400V 11.4Un

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Faites en EBSC IC

  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Emballage: Original
  • Standard: ce
  • Marque Déposée: FMD
  • Origine: China
  • Capacité de Production: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Province: Guangdong, China

Gx830 Tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant original des pièces D-220 500V 4.5A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Bonne qualité de l'IC

  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Emballage: Original
  • Standard: ce
  • Marque Déposée: FMD
  • Origine: China
  • Capacité de Production: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Province: Guangdong, China

Wgp9n25 basse tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 250V 8.1A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Numéro de série 64k d'entrée de l'horloge (8 bits de large)

  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Emballage: Original
  • Standard: ce
  • Marque Déposée: FMD
  • Origine: China
  • Capacité de Production: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Province: Guangdong, China

4006basse tension de haute qualité de la NSA N transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 45V 1.5A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Entrée de l'horloge série 32k (8 bits de large)

  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Emballage: Original
  • Standard: ce
  • Marque Déposée: FMD
  • Origine: China
  • Capacité de Production: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Province: Guangdong, China

Psa-3401L haute qualité à faible tension transistor MOSFET canal P composant Original Pièces SOT23 -30V -4.1un

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Gx1N80 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à251 800V 1A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Gx2N60 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 600V 2A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

3416basse tension de haute qualité de la NSA N transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 20V 6.5A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

2302RN-S à faible tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 20V 2A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Wgp65r420 tension Moyenne, Haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 650V 11A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Wga60r070d de haute qualité N Moyenne tension transistor MOSFET canal original des pièces composant à251 600V47A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

60h12mnsa basse tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 600V 0.03Un

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China
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