0615basse tension de haute qualité de l'ESA N transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 70V 0,1A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx8N60 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 600V 7,5A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx15n65 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 650V 15A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx8N80 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 800V 8A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx2N60 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 600V 2A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Wga65r080 de haute qualité N Moyenne tension transistor MOSFET canal original des pièces composant à251 650V 47A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Tension de haute qualité N Canal 5.5A GX730 400V transistor MOSFET TO-220 composant original
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
4006basse tension de haute qualité de la NSA N transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 45V 1.5A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Gx12n65 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 650V 12A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Wgd50r750 tension Moyenne, Haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à251 500V 5A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Wgu2n20 basse tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 200V 2A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Gx20n60 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant d'origine d220f les pièces 600V 20A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
3413psa basse tension de haute qualité P transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 -20V-3A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: PNP
-
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Gx24n50 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant original des pièces D-3p 500V 24A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Puissance Triode,commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Gx20n50 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant original des pièces D-3p 500V 0A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Puissance Triode,commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Gx9N90 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant d'origine d220f les pièces 900V 9A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Gx5N90 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 900V 5A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Wgp18n20 basse tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 200V 18A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx20n60 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à-3p 600V 20A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx5N50 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant d'origine d'-251 pièces 500V 4.5A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Gx2N90 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 900V 2.2A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Wgp9n20 basse tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant d'origine d'-220 pièces
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
60h12mnsa basse tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 600V 0.03Un
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx20n50 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 500V 20A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Puissance Triode,commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
3407psa basse tension de haute qualité transistor MOSFET canal P composant Original Pièces SOT23 -30V -4.1un
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: PNP
-
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Wgd65r950 tension Moyenne, Haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à251 650V5a
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Wgp5N50 haute qualité N Moyenne tension transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 500V 4.5A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Gx2N65 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 650V 2A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
2306ansa basse tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 30V 3.16Un
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
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- Province: Jiangsu, China
Wgp36n20 basse tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 200V 36A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
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