Shanghai, Chine
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Transistor Mosfet de puissance semi-conducteur , Transistor Mosfet de puissance pour chargeur EV , Transistor Mosfet à jonction super haute tension , Transistor Mosfet pour charge DC de véhicule à énergie nouvelle , 5g Transistor Mosfet pour alimentation de station de base , Transistor Mosfet pour onduleur photovoltaïque , Transistor Mosfet pour stockage d′énergie , Transistor Mosfet pour serveur de centre de données , Éclairage industriel de puissance Mosfet , Transistor Mosfet de puissance pour charge DC
Adresse:
Room 302, Building 20, No. 518 Xinzhuan Road, Songjiang District, Shanghai China (Zip code:201612)
Principaux Marchés:
Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l′Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l′Est, Europe de l′Ouest
Conditions Commerciales Internationales(Incoterms):
FOB, EXW, CIF, DDP, FCA
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Délai de Livraison en Pleine Saison: Un Mois, Délai de Livraison hors Saison, 3-6 Mois
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Fabricant et fournisseur de Transistor Mosfet de puissance semi-conducteur, Transistor Mosfet de puissance pour chargeur EV, Transistor Mosfet à jonction super haute tension, Transistor Mosfet pour charge DC de véhicule à énergie nouvelle, 5g Transistor Mosfet pour alimentation de station de base, Transistor Mosfet pour onduleur photovoltaïque, Transistor Mosfet pour stockage d′énergie, Transistor Mosfet pour serveur de centre de données, Éclairage industriel de puissance Mosfet, Transistor Mosfet de puissance pour charge DC de la Chine, offrant Puissance du serveur Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Diode de récupération rapide régulateur haute tension Mosfet, Alimentation Telecom perte de commutation extrêmement faible Osg65r099hszaf To247 Vds 650V RDS99mΩ diode de récupération rapide régulateur haute tension Mosfet, Transistor Mosfet à très faible perte de commutation pour télécommunications de qualité etc.

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Shanghai Winture Electric Co., Ltd.
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Adresse: Room 302, Building 20, No. 518 Xinzhuan Road, Songjiang District, Shanghai China (Zip code:201612)
Principaux Marchés: Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l′Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l′Est, Europe de l′Ouest
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Fondée en 2009, Winture a été profondément engagé dans le transistor MOSFET et les connecteurs industriels pour 15 ans et a été un partenaire proche et de haute fournisseur qualifié de top 500 dans le monde entier et les nouveaux fabricants chinois. À propos de l′Oriental Semiconductor, c′est un des dizaines de milliards de sociétés cotées de la puce et les fabricants en Chine, avec une forte équipe de R & D et de fonctionnalités de conception, se développe rapidement. Actuellement, Winture est la seule société de commerce outre-mer pour l′Oriental Semiconductor marché nord-américain et de la région Asie-Pacifique. Winture se concentrer sur le développement du marché de la haute tension MOSFET super Junction, moyenne et basse tension porte blindée MOSFET, super silicon MOSFET et IGBT Tri gate. A l′Winture excellent et la recherche de marché suffisante dans le périphérique d′alimentation à haute performance ainsi que la capacité de conception. Et toujours axé sur les applications industrielles et automobiles représentées par une nouvelle énergie véhicule DC pieux de charge, à bord de chargeurs, 5G d′alimentation de station de base et de la communication, d′alimentation onduleur photovoltaïque et l′énergie, centre de données Serveur de stockage d′alimentation et alimentation éclairage industriel. Winture dispose d′une coopération stratégique à long terme avec les principaux fabricants.

Avec une profonde de l′accumulation technique dans le domaine des périphériques comme un noyau de la technologie des semi-conducteurs, en se concentrant sur la technologie de l′appareil semi-conducteurs de l′innovation, a un certain nombre de brevets de base pour les dispositifs semi-conducteurs. Dans la seconde moitié de 2013, le document technique de l′Oriental Semiconductor Semiconductor semi-d′origine du périphérique porte flottante a été publié dans la revue américaine des sciences, de marquage d′une percée majeure pour les scientifiques dans le sens de la technologie de base de semi-conducteurs, et l′émission de nouvelles, les gens du quotidien et les autres médias ont fait de headline rapports clés, qui a attiré une grande attention de l′industrie à la maison et à l′étranger. En 2016, le noyau de puce pour DC pieu de charge haute puissance pour les nouveaux véhicules de l′énergie développées indépendamment par l′Oriental Semiconductor a été produite en masse, briser le monopole des constructeurs étrangers. À présent, l′Oriental Semiconductor a devenir un chef de file dans le domaine de semiconducteurs de puissance haute performance en Chine, et a pris une bonne étape dans le remplacement de produits semi-conducteurs importés dans le domaine de nouveau l′énergie, et de ses produits sont entrés dans un certain nombre de clients de première ligne internationale et ont été bien reçues par les clients. Jusqu′ici, dans le champ de charge d′EV, 80 % de la fabrication nous choisir. En termes de jetons pour les onduleurs photovoltaïques, Oriental puces semi-conducteurs ont été régulièrement fournies pour certaines très célèbre les fabricants des États-Unis. Transistor bipolaire Trident-Gate brevetée avancée (TGBT™ ) de la technologie pour fournir extrêmement faible VCE(sat), faible charge de grille et d′excellentes performances de commutation. Cet appareil est adapté pour le milieu de gamme haute les convertisseurs de fréquence de commutation.

Winture Objectif : réduire le coût de production avec la stabilité et de coût-efficacité des produits

plus écologiques et moins de bruit

une excellente stabilité et l′uniformité

extrêmement faibles pertes de commutation

à faible RDS(ON) & FOM

diode antiparallèles doux et rapide

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Transistor Mosfet de puissance semi-conducteur, Transistor Mosfet de puissance pour chargeur EV, Transistor Mosfet à jonction super haute tension, Transistor Mosfet pour charge DC de véhicule à énergie nouvelle, 5g Transistor Mosfet pour alimentation de station de base, Transistor Mosfet pour onduleur photovoltaïque, Transistor Mosfet pour stockage d′énergie, Transistor Mosfet pour serveur de centre de données, Éclairage industriel de puissance Mosfet, Transistor Mosfet de puissance pour charge DC
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Délai Moyen:
Délai de Livraison en Pleine Saison: Un Mois, Délai de Livraison hors Saison, 3-6 Mois
Année d'Exportation:
2019-01-01
Port le plus Proche:
Shanghai

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