certificat: | RoHS, ISO |
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Encapsulation Structure: | Plastic Transistor Sealed |
Installation: | Plug-in Triode |
Fréquence de travail: | Haute fréquence |
Niveau d′énergie: | Puissance moyenne |
Fonction: | Puissance Triode, commutation Triode |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Description générale
Le MOSFET FSMOS® est basé sur la conception unique d'Oriental Semiconductor pour obtenir un RDS(ON) faible, une faible charge de grille, une commutation rapide et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. La série Low Vth est spécialement optimisée pour les systèmes de rectification synchrone à faible tension d'entraînement.Paramètre | Valeur | Unité |
VDS | 40 | V |
ID, impulsion | 600 | A |
RDS(ON) MAX. @ VGS=10V | 1.1 | MΩ |
QG | 118.4 | NF |
Nom du produit | Package | Marquage |
SFS04R013UGF | PDFN5 x 6 | SFS04R013UG |
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
Tension de la source de vidange | VDS | 40 | V |
Tension source de la grille | VGS | ±20 | V |
Courant de drain continué1), TC=25 °C. | ID | 200 | A |
Courant de drain pulsé 2), TC=25 °C. | ID, impulsion | 600 | A |
Diode continue en forward current1), TC=25 °C. | EST | 200 | A |
Diode pulse2), TC=25 °C. | EST, impulsion | 600 | A |
Puissance dissipe3), TC=25 °C. | PD | 178 | W |
Énergie d'avalanche à impulsion unique5) | EAS | 144 | MJ |
Température de fonctionnement et de stockage | Tstg, TJ | -55 à 175 | °C |
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
Résistance thermique, boîtier de jonction | RθJC | 0.84 | °C/W |
Résistance thermique, ambient4) | RθJA | 62 | °C/W |
Paramètre | Symbole | Min. | Type | Max. | Unité | Condition de test |
Tension de claquage de la source de vidange | BVDSS | 40 | V | VGS=0 V, ID=250 ΜA | ||
Tension seuil de grille | VGS(TH) | 1.2 | 2.5 | V | VDS=VGS, ID=250 ΜA | |
Résistance à l'état on de la source de vidange | RDS(ON) | 0.9 | 1.1 | MΩ | VGS=10 V, ID=20 A | |
Résistance à l'état on de la source de vidange | RDS(ON) | 1.5 | 2.0 | MΩ | VGS=6 V, ID=20 A | |
Courant de fuite de la source de grille | IGS |
100 | N/a |
VGS = 20 V. | ||
-100 | VGS=-20 V. | |||||
Courant de fuite de la source de vidange | IDS | 1 | UA | VDS=40 V, VGS=0 V. | ||
Résistance de la grille | RG | 3.2 | Ω | ƒ=1 MHz, drain ouvert |
Paramètre | Symbole | Min. | Type | Max. | Unité | Condition de test |
Capacité d'entrée | CISS | 5453 | PF | VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ = 100 kHz |
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Capacité de sortie | COSS | 1951 | PF | |||
Capacité de transfert inverse | FCR | 113 | PF | |||
Délai d'activation | td(on) | 23.9 | ns | VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 Ω, ID=40 A. |
||
Temps de montée | tr | 16.9 | ns | |||
Délai de mise hors tension | td(désactivé) | 80.4 | ns | |||
Temps de chute | par | 97.7 | ns |
Paramètre | Symbole | Min. | Type | Max. | Unité | Condition de test |
Charge totale de grille | QG | 85.6 | NF | VGS=10 V VDS=40 V, ID=40 A, |
||
Charge de la source d'entrée | QGS | 17.6 | NF | |||
Grille de charge de vidange | QGD | 14.5 | NF | |||
Tension de plateau de grille | Plateau Vplateau | 3.6 | V |
Paramètre | Symbole | Min. | Type | Max. | Unité | Condition de test |
Tension avant de diode | VSD | 1.3 | V | EST = 20 A, VGS = 0 V. | ||
Temps de récupération inverse | trr | 71.1 | ns | VR=40 V, IS=40 A, Di/dt = 100 A/μs |
||
Charge de récupération inversée | Qrr | 50.1 | NF | |||
Courant de récupération inverse de crête | Irrm | 1.2 | A |
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