Transistor MOS de haute qualité

• certificat: RoHS, ISO
• Structure d′encapsulation: Plastic Transistor Sealed
• Installation: Triode enfichable
• N° de Modèle.: OSG70R250KSF
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• Niveau d′énergie: Puissance moyenne
• Fonction: Puissance Triode, commutation Triode
• Structure: NPN
• Matériel: Silicium
• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• application: onduleur de voiture
• Paquet de Transport: carton
• Spécifications: to263
• Marque Déposée: semi-conducteur orientale
• Origine: Chine
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20 000/mois

Description de Produit

Description du produit

Description générale  
Le   MOSFET haute tension GreenMOS®  utilise  la technologie d'équilibrage de charge pour  obtenir  une résistance à   l'activation exceptionnelle  et  une charge de  grille inférieure .   Il  est  conçu  pour  minimiser   la perte de conduction,  fournir  des  performances de commutation supérieures et  une capacité d'avalanche robuste.
La    série GreenMOS® S  est  optimisée  pour  ses   caractéristiques de commutation  afin  d'atteindre  des   normes EMI agressives.  Il  est  facile  à utiliser pour  les systèmes d'  alimentation plus petits  afin  de répondre  aux     normes d'efficacité et EMI.

Fonctionnalités
.  RDS (ON)  ET  FOM FAIBLES
.  Perte de  commutation extrêmement faible  
.  Excellente stabilité et  uniformité

Applications
.   Alimentation PC
.   Éclairage LED
.   Puissance de télécommunication
.   Alimentation du serveur
.   Chargeur EV
.  Solaire/UPS

Paramètres de performance clés  

 

Paramètre	Valeur	Unité
VDS	700	V
ID,  impulsion	38	A
RDS(ON)  ,  MAX  @ VGS=10V	250	MΩ
QG	39	NF

 Informations de marquage

 

Nom du produit	Package	Marquage
OSG70R250KSF	TO263	OSG70R250KS

Informations sur le boîtier et  le code PIN  
 

 

  Valeurs nominales maximales absolues  à  TJ=25 °C  sauf  indication contraire  

 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de la source de vidange	VDS	700	V
Tension de la source de grille	VGS	±30	V
Courant de  drain continuel1 )  , TC=25  °C.	ID	17	A
Courant de  drain continuel1 )  , TC=100  °C.		10.8
Courant de  drain pulsé  2)  , TC=25  °C.	ID,  impulsion	38	A
Diode continue  en marche avant  current1)  , TC=25  °C.	EST	17	A
Diode  pulse2 )  , TC=25  °C.	EST,  impulsion	38	A
Puissance  dissipe3)  , TC=25 °C.	PD	163	W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5)	EAS	243	MJ
MOSFET  dv/dt  robustesse, VDS=0…640 V.	dv/dt	50	V/ns
Diode inverse  dv/dt, VDS=0…640 V,  ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg, TJ	-55 à  150	°C

Caractéristiques thermiques

 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique,  boîtier de jonction	RθJC	0.77	°C/W
Résistance thermique,  ambient4)	RθJA	62	°C/W

 Caractéristiques électriques  à  TJ=25°C  sauf  indication contraire  
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Source de vidange tension de claquage	BVDSS	700			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
Seuil de porte tension	VGS(TH)	2.9		3.9	V	VDS=VGS  ,  ID=250  ΜA
Résistance à l'état on de la source de vidange	RDS(ON)		0.17	0.25	Ω	VGS=10 V,  ID=8.5 A
			0.44			VGS=10 V,  ID=8.5 A, TJ=150  °C.
Source de porte courant de fuite	IGS			100	N/a	VGS = 30 V.
				-  100		VGS=-30 V.
Source de vidange courant de fuite	IDS			1	ΜA	VDS=700 V, VGS=0 V.
Résistance de la grille	RG		9		Ω	ƒ=1  MHz, drain ouvert

Caractéristiques dynamiques
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CISS		1750		PF	VGS = 0 V, VDS=50 V, ƒ = 100  kHz
Capacité de sortie	COSS		200		PF
Capacité de transfert inverse	FCR		13		PF
Délai d'activation	td(on)		17		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2  Ω, ID=8 A.
Temps de montée	tr		14		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		64		ns
Temps de chute	par		11		ns

Caractéristiques de charge de grille
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		39		NF	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=8 A.
Charge de la source d'entrée	QGS		9		NF
Grille de charge de vidange	QGD		15		NF
Tension de plateau de grille	Plateau Vplateau		5.3		V

Caractéristiques de la diode corps
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension avant de diode	VSD			1.3	V	EST=17 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse	trr		294		ns	VR  =400 V, EST=8 A, Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée	Qrr		4		ΜC
Courant de  récupération inverse de crête	Irrm		25		A

Remarque
1)   courant continu calculé  en fonction    de la température de jonction maximale autorisée.  2)   valeur  nominale répétitive ;  largeur d'impulsion  limitée  par  la température de jonction maximale.
3)   le PD  est  basé sur  la température de jonction maximale,  en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
4)    la  valeur  de  RθJA   est  mesurée  avec  l' appareil  monté  sur       une carte FR-4 1 en 2  avec  2oz. Cuivre, dans  un    environnement à air fixe  avec  Ta=25  °C.
5)    VDD=100 V, VGS=10 V,  L=75  mH, TJ de départ =25  °C.