• 4 pouces Type N (dopé P) primaire de qualité Dummy Wafer à silicium
  • 4 pouces Type N (dopé P) primaire de qualité Dummy Wafer à silicium
  • 4 pouces Type N (dopé P) primaire de qualité Dummy Wafer à silicium
  • 4 pouces Type N (dopé P) primaire de qualité Dummy Wafer à silicium
  • 4 pouces Type N (dopé P) primaire de qualité Dummy Wafer à silicium
  • 4 pouces Type N (dopé P) primaire de qualité Dummy Wafer à silicium

4 pouces Type N (dopé P) primaire de qualité Dummy Wafer à silicium

Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré
Matériel: Semi-Conducteur Composé
Type: Semi-Conducteur de Type P
Paquet: Semi Standard
Traitement du Signal: Na
Demande: Equipment

Contacter le Fournisseur

Fabricant/Usine & Société Commerciale
Membre d'Or Depuis 2024

Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées

Shanghai, Chine
Importateurs et exportateurs
Le fournisseur a des droits d'importation et d'exportation
Années d'expérience à l'exportation
L'expérience d'exportation du fournisseur est de plus de 10 ans
Équipe expérimentée
Le fournisseur compte 5 personnel(s) commercial(s) à l'étranger et 5 personnel(s) avec plus de 6 ans d'expérience dans le commerce international.
Expérience D'exposition
Le fournisseur a participé à des salons professionnels hors ligne, vous pouvez consulter le Audit Report pour plus d'informations
pour voir toutes les étiquettes de résistance vérifiées (21)
  • Aperçu
  • Description du produit
  • Paramètres du produit
  • Certifications
  • Emballage et expédition
  • Profil de l′entreprise
  • Nos avantages
  • FAQ
Aperçu

Info de Base.

N° de Modèle.
4inch
Modèle
Custimize
Numéro de lot
Na
Marque
Fsm
méthode de croissance
cz
orientation du cristal
100
dopant
bore
résistivité
1-100Ω
Frront Side
poli
arête
poli
Paquet de Transport
Semi Standard
Spécifications
TBD
Marque Déposée
FSM
Origine
China
Code SH
3818001920
Capacité de Production
5000PCS/Month

Description de Produit

Description du produit

4 Inch N Type (P-doped) Prime Dummy Grade Silicon Wafer4 Inch N Type (P-doped) Prime Dummy Grade Silicon Wafer4 Inch N Type (P-doped) Prime Dummy Grade Silicon Wafer4 Inch N Type (P-doped) Prime Dummy Grade Silicon Wafer4 Inch N Type (P-doped) Prime Dummy Grade Silicon Wafer

Paramètres du produit


Utiliser la valeur de référence
 

Élément Spécifications
Diamètre 150 mm 200 mm 300 mm
Type RÉF RÉF RÉF
Encoche SEMI/JEIDA Encoche/DE Encoche
Epaisseur (μm) 675±25/625±25 725±25 725±25
Surface Poli Poli Poli
Intérieur Gravé Gravé Gravé
Package Rouleau de coinRoll Rouleau de coinRoll Rouleau de coinRoll



Cachets DE test 150 MM/200 MM
 

150 MM
SPÉC 0,2 μm ≤ 30 ea
Diamètre (mm) 150 ±0,2 mm
Type P
Longueur Olyfra 57,5 mm±2,5 mm 47,5 mm±2,5 mm
Valeur de résistance ( Ω·cm ) 1-100
Epaisseur (μm) SEMI JEIDA
675 μm±25 μm 675 μm±25 μm
TTV (μm) ≤30 μm
BOW(μm) ≤40 μm
WARP (μm) ≤40 μm
Impureté de surface ≤5,0E 10 atomes/cm²


 
200 MM
SPÉC 0,2 μm ≤ 30 ea -
Diamètre (mm) 200 ±0,2 mm
Type P
Orientation du cristal <110>±1
Direction de l'encoche
Valeur de résistance ( Ω·cm ) 1-100
Epaisseur (μm) 725 μm±25 μm
TTV (μm) ≤25 μm ≤2 μm
BOW(μm) ≤40 μm
WARP (μm)
M NON
Impureté de surface ≤5,0E 10 atomes/cm²


PLAQUETTE de test 300 MM
 
300 MM
SPÉC 0,045 μm ≤ 50 ea 0,065 μm ≤ 50 ea 0,09 um < 50 ea 0,12 μm<50 ea
Méthode de fabrication CZ
Diamètre (mm) 300 ±0,2 mm
Type/dopant P/Boron
Orientation du cristal <100>±1
Direction de l'encoche
Valeur de résistance (Ω·cm) 1-100
Epaisseur (μm) 775±25
TTV (μm) ≤10
BOW(μm) ≤40
WARP (μm)
M OCR T7+
Impureté de surface <1 E10 atomes/cm²



PLAQUETTE D'oxyde 200 MM/300 MM

 
  200 MM 300 MM
Épaisseur de l'oxyde 500±25 nm
Variation de l'épaisseur de l'oxyde
(pour une tranche)
<3 %
Variation de l'épaisseur de l'oxyde
(pour plusieurs plaquettes)
<3 %
SPÉC 0,2 μm ≤ 30 ea
Diamètre (mm) 200 ±0,2 mm 300 ±0,2 mm
Type P
Orientation du cristal <100>±1
Direction de l'encoche <100>±1
Valeur de résistance (Ω·cm) 1-100
Epaisseur (μm) 725±25
TTV (μm) ≤25 ≤10
BOW(μm) ≤40
WARP (μm) ≤40
Impureté de surface ≤5.0 E10 Atom/cm² <1 E10 atomes/cm²


*  Veuillez nous contacter pour d'autres types de film, l'épaisseur de film, et la composition de film.


 

Certifications

4 Inch N Type (P-doped) Prime Dummy Grade Silicon Wafer

Emballage et expédition

4 Inch N Type (P-doped) Prime Dummy Grade Silicon Wafer

Profil de l'entreprise

4 Inch N Type (P-doped) Prime Dummy Grade Silicon Wafer4 Inch N Type (P-doped) Prime Dummy Grade Silicon Wafer

Nos avantages

4 Inch N Type (P-doped) Prime Dummy Grade Silicon Wafer4 Inch N Type (P-doped) Prime Dummy Grade Silicon Wafer

FAQ

Q: Quelle est la façon de l'expédition ?
R: Nous acceptons DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS, SF et etc
Q: Comment payer?
A: T/T, PayPal et etc.
Q : quel est le temps de livraison ?
A: Pour le stock: Le délai de livraison est de 5 jours ouvrables.
   Pour les produits personnalisés : le délai de livraison est de 7 à 25 jours ouvrables. Selon la quantité.
Q: Puis-je personnaliser les produits en fonction de mes besoins?
R: Oui, nous pouvons personnaliser le matériau, les spécifications et le revêtement optique pour vos composants optiques en fonction de vos besoins.

Chaque client a des spécifications uniques et FSM peut fournir des plaquettes qui répondent à vos spécifications exactes.

Si vous ne voyez pas les spécifications dont vous avez besoin, veuillez  CONTACTER FSM  pour parler à un membre de notre personnel de vente expérimenté et compétent.

Envoyez votre demande directement à ce fournisseur

*De:
*A:
*Message:

Entrez entre 20 à 4000 caractères.

Ce n'est pas ce que vous recherchez? Publier la Demande d'Achat Maintenant

Trouver des Produits Similaires par Catégorie

Page d'Accueil du Fournisseur Produits Wafer Duumy 4 pouces Type N (dopé P) primaire de qualité Dummy Wafer à silicium

Vous Aimerez Aussi

Contacter le Fournisseur

Membre d'Or Depuis 2024

Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées

Fabricant/Usine & Société Commerciale
Nombre d'Employés
34
Année de Création
2013-10-29