| N ° CAS.: | 75-73-0 |
|---|---|
| Formule: | cf4 |
| EINECS: | 200-896-5 |
Application de SF4 :
le tétrafluorure de carbone est actuellement la plus grande quantité de gaz de gravure plasmatique dans l'industrie de la microélectronique. Il s'agit d'un mélange de gaz de haute pureté et d'oxygène de haute pureté de tétrafluorure de carbone. Il peut être largement utilisé dans la gravure de silicium, de dioxyde de silicium, de nitrure de silicium, de verre de silicium phosphoreux et de matériaux de film de tungstène.| Élément | Index | ||
| CF4, %(V/V)≥ | 99.999 | 99.995 | 99.99 |
| N2, 10-6(V/V) ≤ | 4 | 20 | 40 |
| O2, 10-6(V/V) ≤ | 1 | 5 | 10 |
| CO2, 10-6(V/V) ≤ | 1 | 5 | 10 |
| CO, 10-6(V/V) ≤ | 0.3 | 0.5 | 1 |
| SF6, 10-6(V/V) ≤ | 1 | 1 | 5 |
| H2O, 10-6(V/V) ≤ | 1 | 5 | 10 |
| HF, 10-6(V/V) ≤ | 0.1 | 0.3 | 0.3 |
| TFC(CH2F2,CHF3,C2F3,C3F8),10-6(V/V) ≤ | 1 | 10 | 30 |
| Teneur totale en impuretés, ppm (V/V) ≤ | 10 | 50 | 100 |
| Paramètre Dosage critique |
Unité | Société Spécifications |
Analyse Résultats |
Méthode d'analyse |
| Tétrafluorométhane (CF4) | %(v/v) | 99.999 % min | > 99.999 % | G.C |
| Oxygène (O2) | v.ppm | <1.0 | <0.2 | G.C |
| Azote (N2) | v.ppm | <1.0 | <0.6 | G.C |
| Monoxyde de carbone (CO) | v.ppm | <0.5 | <0.2 | G.C |
| Dioxyde de carbone (CO2) | v.ppm | <0.5 | <0.2 | G.C |
| Hexafluorure de soufre (SF6) | v.ppm | <0.2 | <0.1 | G.C |
| Trifluorométhane (CHF3) | v.ppm | <0.5 | <0.1 | G.C |
| Autres halocarbures (OFC)* | v.ppm | <1.0 | <0.7 | G.C |
| Hydrocarbure total (THC)* | v.ppm | <0.5 | <0.1 | G.C |
| Humidité (H2O) | v.ppm | <0.5 | <0.2 | Analyseur d'humidité |
| Acidité (HF) | v.ppm | <0.1 | <0.08 | Analyseur d'acidité |
| Contenu total de l'impureté | v.ppm | ≤10.0 | <10.0 | G.C |
| Particale (> 0,1 μm) | pcs/litre | <10.0 | <1.0 | ICP-MS |
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