• Plaque de substrat en céramique de céramique de nitrate d′aluminium haute conductivité thermique Pour résistance de puissance
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Plaque de substrat en céramique de céramique de nitrate d′aluminium haute conductivité thermique Pour résistance de puissance

Application: Aerospace, Electronics, Medical, Refractory, Electrical Components
Type: Industrial Parts
résistance à la flexion: 450 mpa
Hardness (Vickers): 11 g/min
mot clé: substrat aln
couleur: gris

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Certification du produit
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Info de Base.

conductivité thermique
(25°c) 180 W/Mk
service de traitement
moulage
densité
3.31g/cm3
chaleur spécifique
750 J/Kg.K
Paquet de Transport
Standard Safety Cartons with Plastic Foams
Spécifications
customized
Marque Déposée
INNOVACERA
Origine
Fujian, China
Capacité de Production
200000 Piece/Pieces Per Month

Description de Produit

High Thermal Conductivity Aln Aluminum Nitride Ceramic Wafer Substrate Plate for Power Resistor

 

 

 

 

Plaque en céramique au nitrure d'aluminium poli (ALN)

 

La céramique de nitrure d'aluminium (AlN) a une conductivité thermique élevée (5-10 fois celle de l'alumine), faible

 

constante diélectrique et facteur de dissipation, bonne isolation et excellentes propriétés mécaniques, non toxique,

 

Résistance thermique élevée, résistance chimique et le coefficient de dilatation linéaire est similaire à si, qui est

 

largement utilisé dans les composants de communication, les led haute puissance, les dispositifs électroniques de puissance et autres

 

Champs.les produits spéciaux peuvent être produits sur demande.

 

 

Caractéristiques du produit

 

1.microstructure uniforme


2.conductivité thermique élevée* (70-180 Wm-1K-1), adaptée aux conditions de traitement et aux additifs


3.résistivité électrique élevée


4.coefficient de dilatation thermique proche de celui du silicium


5.résistance à la corrosion et à l'érosion


6.excellente résistance aux chocs thermiques


7.chimiquement stable jusqu'à 980°C dans les atmosphères H2 et CO2, et dans l'air jusqu'à 1380°C (oxydation de surface

 

Se produit autour de 780°C; la couche de surface protège le vrac jusqu'à 1380°C).

 

 
Dimensions normales du substrat/de la wafer AlN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Epaisseur (mm)
Longueur*largeur(mm)
 
 
 
 
 
 
 
 0.385
 
2″* 2"
50.8*50.8 mm
 
 
3″* 3″
76.2*76,2mm
 
 
4″* 4″
101.6*101.6mm
 
 
4.5″* 4.5″
114.3*114.3mm
 
 0.5
 
 
 
 
 
 
 
 
 0.635
 
 
 
 
 
 
 
 
 1.0
 
 
 
 
 
 
 
 
Diamètre (mm)
 
 
 
 
 
 
 
 
 1.0
Φ16
Φ19
Φ20
Φ26
Φ30
Φ35
Φ40
Φ45
Φ50
Φ52
Φ60
Φ75
Φ80
PS: D'autres dimensions qui ne sont pas énumérées sont disponibles sur demande.
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Propriétés du matériau du substrat/Wafer au nitrure d'aluminium
 
 
Contenu de la propriété
Index de propriété
Densité(g/cm³)
3.335
Résistance aux chocs thermiques
Pas de fissures
Conductivité thermique (30, W/m.k)
≥ 170
Coefficient de dilatation linéaire
(/, 5/min, 20-300)
2.805×10­6
Résistance à la flexion (MPa)
382.7
Résistivité volumique (Ω.cm)
1.4×1014
Constante diélectrique (1 MHz)
8.56
Durabilité chimique (mg/cm²)
0.97
Rigidité diélectrique (KV/mm)
18.45
Rugosité de surface Ra(μm)
0.3 à 0.5
Carrossage (longueur‰)
≤2‰
Apparence/couleur
Dense/gris foncé
Note: Les caractéristiques générales des matériaux décrits ci-dessus ont été dérivées d'un essai de laboratoire effectué par Innovacera à partir de temps sur des quantités d'échantillons. Les caractéristiques réelles des lots de production peuvent varier.
 
High Thermal Conductivity Aln Aluminum Nitride Ceramic Wafer Substrate Plate for Power Resistor
High Thermal Conductivity Aln Aluminum Nitride Ceramic Wafer Substrate Plate for Power Resistor
High Thermal Conductivity Aln Aluminum Nitride Ceramic Wafer Substrate Plate for Power Resistor

 

 
High Thermal Conductivity Aln Aluminum Nitride Ceramic Wafer Substrate Plate for Power Resistor

 

 
Application
 
High Thermal Conductivity Aln Aluminum Nitride Ceramic Wafer Substrate Plate for Power Resistor
 
 
 
 
- composants RF / micro-ondes
- module de puissance
- transformateurs de puissance
- Pack LED haute puissance
 
 
 
 
- sous-supports de diode laser
- montage secondaire de puce LED
- paquets microélectroniques
- transistors
High Thermal Conductivity Aln Aluminum Nitride Ceramic Wafer Substrate Plate for Power Resistor
High Thermal Conductivity Aln Aluminum Nitride Ceramic Wafer Substrate Plate for Power Resistor

 

 

 

 

 

- substrats à conductivité thermique élevée

 

Pour LED et Power Electronics

 

- substrats pour Power Electronics

 

 
VR
High Thermal Conductivity Aln Aluminum Nitride Ceramic Wafer Substrate Plate for Power Resistor
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