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à propos de transistor discret
  • Innovation technologique
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  • Capacités de Fabrication Substantielles

transistor discret100+ usines vérifiées

CTC Technology Co., Ltd.

20 ans
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Dispositif Discret SBD10C100T/F/D/S Puissance Diode Schottky Transistor

Dispositif Discret SBD10C100T/F/D/S Puissance Diode Schottky Transistor

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
Dispositif Discret de Puissance SBD20C100T/F/K/S Diode Schottky Transistor

Dispositif Discret de Puissance SBD20C100T/F/K/S Diode Schottky Transistor

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
Dispositif Discret de Puissance SBD10C200T/F/D/S Diode Schottky Transistor

Dispositif Discret de Puissance SBD10C200T/F/D/S Diode Schottky Transistor

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
2A 600V transistor mosfet de puissance d'origine

2A 600V transistor mosfet de puissance d'origine

0,05-0,15 $US
5 000 Pièces(MOQ)
1/4

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 ans·4.9
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Ixgh32n170A Transistors Originaux Composants Électroniques Produits Semiconducteurs Discrets IGBT NPT 1700V 32A to-247ad

Ixgh32n170A Transistors Originaux Composants Électroniques Produits Semiconducteurs Discrets IGBT NPT 1700V 32A to-247ad

0,01-1,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Fcx790ATA Produits semi-conducteurs discrets Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple Sot-89-3

Fcx790ATA Produits semi-conducteurs discrets Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple Sot-89-3

1,00-1,10 $US
1 Pièce(MOQ)
Ipd80r1K0ceatma1 Produits semi-conducteurs discrets - transistors - Fets, Mosfets - Simple To252-3

Ipd80r1K0ceatma1 Produits semi-conducteurs discrets - transistors - Fets, Mosfets - Simple To252-3

1,00-1,10 $US
1 Pièce(MOQ)
Ipa80r280p7xksa1 Produits semi-conducteurs discrets transistors - Fets, Mosfets - Simple to-220-3

Ipa80r280p7xksa1 Produits semi-conducteurs discrets transistors - Fets, Mosfets - Simple to-220-3

0,10 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Sinosky Electronics Co., Ltd.

9 ans·5.0
·Société Commerciale
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Semi-conducteurs discrets Transistors Igbts Irg4pH40upbf 5-40kHz Emballage to-247-3

Semi-conducteurs discrets Transistors Igbts Irg4pH40upbf 5-40kHz Emballage to-247-3

2,09-2,74 $US
10 Pièces(MOQ)
Composants électroniques Semiconducteurs discrets Transistors Stl26nm60n Mosfets N-CH 600V

Composants électroniques Semiconducteurs discrets Transistors Stl26nm60n Mosfets N-CH 600V

1,32-1,87 $US
10 Pièces(MOQ)
Nouveaux composants électroniques originaux transistor à semi-conducteur discret Bla9h0912L-1200p

Nouveaux composants électroniques originaux transistor à semi-conducteur discret Bla9h0912L-1200p

437,62 $US
10 Pièces(MOQ)
Nouveau transistor Mosfet RF à semi-conducteur discret original Mrf8p29300h Mrf8p29300hr6

Nouveau transistor Mosfet RF à semi-conducteur discret original Mrf8p29300h Mrf8p29300hr6

89,23 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
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80A 650V Transistor Bipolaire à Grille Isolée Trenchstop Dgc80f65m

80A 650V Transistor Bipolaire à Grille Isolée Trenchstop Dgc80f65m

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
40A 650V Transistor Bipolaire à Porte Isolée Trenchstop Dgc40h65m2 to-247

40A 650V Transistor Bipolaire à Porte Isolée Trenchstop Dgc40h65m2 to-247

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
30A 650V Transistor bipolaire à porte isolée Trenchstop Dgf30f65m2

30A 650V Transistor bipolaire à porte isolée Trenchstop Dgf30f65m2

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
160A 650V Transistor Bipolaire à Porte Isolée Trenchstop Dgcp160h65L2 to-247plus

160A 650V Transistor Bipolaire à Porte Isolée Trenchstop Dgcp160h65L2 to-247plus

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
1/4

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

Envoyer demande
Diode de redressement à haute performance, transistor Mosfet pour applications de puissance GF15h60df Transistor

Diode de redressement à haute performance, transistor Mosfet pour applications de puissance GF15h60df Transistor

0,01-0,45 $US
1 Pièce(MOQ)
BTA16 600bw Transistor N-Canal Mosfet 600V 170A to-220ab Liste de Tubes BTA16-600bw GF15h60df Transistor

BTA16 600bw Transistor N-Canal Mosfet 600V 170A to-220ab Liste de Tubes BTA16-600bw GF15h60df Transistor

0,01-0,45 $US
1 Pièce(MOQ)
Diode redresseuse Mosfet transistor durable Powerpassion pour l'électronique GF15h60df Transistor

Diode redresseuse Mosfet transistor durable Powerpassion pour l'électronique GF15h60df Transistor

0,01-0,45 $US
1 Pièce(MOQ)
Spécifications du transistor MOSFET redresseur à diode standard par Powerpassion GF15h60df Transistor

Spécifications du transistor MOSFET redresseur à diode standard par Powerpassion GF15h60df Transistor

0,01-0,45 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Envoyer demande
To220f 800W Osg80r650FF Simple Double N Canal 30V Transistor de Puissance PC

To220f 800W Osg80r650FF Simple Double N Canal 30V Transistor de Puissance PC

0,12-0,15 $US
5 000 Pièces(MOQ)
To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Transistor bipolaire à porte Trident

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Transistor bipolaire à porte Trident

2,50-3,00 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Transistor Mosfet de puissance N-Channel 8*8 Paquet Osg80r300jf Haute tension 800W 300V

Transistor Mosfet de puissance N-Channel 8*8 Paquet Osg80r300jf Haute tension 800W 300V

0,10-0,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Excellente conduction et perte de commutation To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Trident Gate Bipolaire IGBT

Excellente conduction et perte de commutation To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Trident Gate Bipolaire IGBT

2,50-3,00 $US
5 000 Pièces(MOQ)
1/4

Simentor Electronic Limited

13 ans·5.0
·Société Commerciale
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Tip127 Transistor Darlington PNP - 100V, 5A, Haute Gain pour Amplification de Puissance

Tip127 Transistor Darlington PNP - 100V, 5A, Haute Gain pour Amplification de Puissance

Négociable
10 Pièces(MOQ)
Transistor PNP à haute performance - Tip107 100V, 8A, Tension de saturation basse pour une utilisation industrielle

Transistor PNP à haute performance - Tip107 100V, 8A, Tension de saturation basse pour une utilisation industrielle

Négociable
10 Pièces(MOQ)
2sc3264/2SA1295 Transistors complémentaires pour les étages de sortie audio haute puissance

2sc3264/2SA1295 Transistors complémentaires pour les étages de sortie audio haute puissance

Négociable
1 Pièce(MOQ)
Transistors PNP 2SA1494 et NPN 2sc3858 - Haute Performance, Qualité Fiable

Transistors PNP 2SA1494 et NPN 2sc3858 - Haute Performance, Qualité Fiable

Négociable
10 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.

5.0
Envoyer demande
Transistor GaN de puissance RF avancé 2000MHz-4000MHz pour systèmes RF/micro-ondes et application de station de base

Transistor GaN de puissance RF avancé 2000MHz-4000MHz pour systèmes RF/micro-ondes et application de station de base

1,00 $US
100 Pièces(MOQ)
Transistor RF à haute performance en GaN avancé pour stations de base et applications multi-porteurs

Transistor RF à haute performance en GaN avancé pour stations de base et applications multi-porteurs

1,00 $US
100 Pièces(MOQ)
Transistor RF à haute performance 3300MHz-3800MHz en GaN pour stations de base et applications multi-porteurs

Transistor RF à haute performance 3300MHz-3800MHz en GaN pour stations de base et applications multi-porteurs

1,00 $US
100 Pièces(MOQ)
Transistor RF GaN haute puissance à bonne performance pour systèmes RF micro-ondes et applications de station de base, ainsi que module de brouilleur radar ou drone avec GaN intégré

Transistor RF GaN haute puissance à bonne performance pour systèmes RF micro-ondes et applications de station de base, ainsi que module de brouilleur radar ou drone avec GaN intégré

1,00 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Emi International (Hk) Co. Ltd

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Grands condensateurs et transistors d'Avx Taja336K006rnj Taja474K035rnj Taja476K006rnj Tajb106K010rnj

Grands condensateurs et transistors d'Avx Taja336K006rnj Taja474K035rnj Taja476K006rnj Tajb106K010rnj

0,01-0,03 $US
100 Pièces(MOQ)
Transistors opto-isolateurs durables PC817X1, X2, et X3

Transistors opto-isolateurs durables PC817X1, X2, et X3

0,004-0,01 $US
10 000 Pièces(MOQ)
Meilleur Prix Réseau de Transistors Bipolaires Darlington 50V 500mA 18-Soic Uln2803adwr Bjt

Meilleur Prix Réseau de Transistors Bipolaires Darlington 50V 500mA 18-Soic Uln2803adwr Bjt

0,50-1,00 $US
1 Pièce(MOQ)
en stock Mosfet Macom Mrf158 Mrf148A Mrf426 Mrf428 Mrf422

en stock Mosfet Macom Mrf158 Mrf148A Mrf426 Mrf428 Mrf422

0,50-1,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

18 ans
·Société Commerciale
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Ikw15n120h3 Trans Transistor IGBT N-CH 1200V 30A

Ikw15n120h3 Trans Transistor IGBT N-CH 1200V 30A

2,63-10,95 $US
100 Pièces(MOQ)
Nouveaux et originaux transistors de puissance NPN pour téléviseurs couleur à écran 2sc5149

Nouveaux et originaux transistors de puissance NPN pour téléviseurs couleur à écran 2sc5149

0,29-0,51 $US
10 Pièces(MOQ)
Transistors de puissance NPN d'origine chinoise Tip41c Tip42c to-220

Transistors de puissance NPN d'origine chinoise Tip41c Tip42c to-220

0,04-0,65 $US
100 Pièces(MOQ)
Uln2803 Réseau de Transistors Bipolaires 8 Darlington NPN 50V 500mA Uln2803APG

Uln2803 Réseau de Transistors Bipolaires 8 Darlington NPN 50V 500mA Uln2803APG

0,60-2,12 $US
1 000 Pièces(MOQ)
1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

Envoyer demande
Dgw75n65cts2a Transistor IGBT Discret 650V 75A avec conformité RoHS to-247

Dgw75n65cts2a Transistor IGBT Discret 650V 75A avec conformité RoHS to-247

1,927 $US
1 080 Pièces(MOQ)
650V 50A IGBT Discret Dgz50n65cts2a Transistor de Haute Qualité pour une Performance Fiable

650V 50A IGBT Discret Dgz50n65cts2a Transistor de Haute Qualité pour une Performance Fiable

2,00 $US
1 080 Pièces(MOQ)
Dgq100n65cts1d Transistor IGBT Discret to-247 650V 100A pour les besoins de commutation haute puissance

Dgq100n65cts1d Transistor IGBT Discret to-247 650V 100A pour les besoins de commutation haute puissance

1,55 $US
1 080 Pièces(MOQ)
1200V/17MΩ Mosfet discret, T2, Dm170s12tdrb to-247plus-4L

1200V/17MΩ Mosfet discret, T2, Dm170s12tdrb to-247plus-4L

4,50 $US
300 Pièces(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
Envoyer demande
1200V/17mΩ Mosfet SiC discret, T2, DM170S12TDRB

1200V/17mΩ Mosfet SiC discret, T2, DM170S12TDRB

298,00 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Transistor à effet de champ à mode d'enrichissement N-Channel, VDSS : 250V, ID : 8A, PD : 69W, caractéristiques, applications, TO-252, YJD470N25H

Transistor à effet de champ à mode d'enrichissement N-Channel, VDSS : 250V, ID : 8A, PD : 69W, caractéristiques, applications, TO-252, YJD470N25H

0,77 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Transistor à effet de champ à canal P en mode d'amélioration commutation haute vitesse SOT-23 Caractéristiques Applications YJL3407AQ

Transistor à effet de champ à canal P en mode d'amélioration commutation haute vitesse SOT-23 Caractéristiques Applications YJL3407AQ

0,79 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Transistor à effet de champ à mode d'amélioration N-Channel Niveau de sensibilité à l'humidité 3 PDFN5060-8L Caractéristiques Applications YJG40G10AQ

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration N-Channel Niveau de sensibilité à l'humidité 3 PDFN5060-8L Caractéristiques Applications YJG40G10AQ

0,91 $US
1 000 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

2 ans
·Société Commerciale
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1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

12,11 $US
10 Pièces(MOQ)
650 V, 8 un, [Bmd60n650UC1], Transistor Mosfet à Haute Efficacité Super Jonction

650 V, 8 un, [Bmd60n650UC1], Transistor Mosfet à Haute Efficacité Super Jonction

0,55 $US
10 Pièces(MOQ)
650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Transistor Mosfet à Super Jonction à Haute Efficacité

650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Transistor Mosfet à Super Jonction à Haute Efficacité

1,05 $US
10 Pièces(MOQ)
Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj avec faible perte de commutation, faible EMI

Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj avec faible perte de commutation, faible EMI

0,13 $US
10 Pièces(MOQ)
1/1

Shenzhen Vbsemi Electronics Co., Ltd

Envoyer demande
MOSFET Ao3415A-Vb SOT-23 transistor à canal P Fabricant de semi-conducteurs Vbsemi-électronique Circuit intégré

MOSFET Ao3415A-Vb SOT-23 transistor à canal P Fabricant de semi-conducteurs Vbsemi-électronique Circuit intégré

0,032 $US
1 000 Pièces(MOQ)
MOSFET Irlr2905ztrpbf-Vb to-252 transistor à canal N Semiconductor Fabricant Vbsemi-conducteur Circuit intégré

MOSFET Irlr2905ztrpbf-Vb to-252 transistor à canal N Semiconductor Fabricant Vbsemi-conducteur Circuit intégré

0,315 $US
1 000 Pièces(MOQ)
MOSFET Bsp170p-Vb Sot-223 transistor à canal P Fabricant de semiconducteurs Vbsemi-électronique Circuit intégré

MOSFET Bsp170p-Vb Sot-223 transistor à canal P Fabricant de semiconducteurs Vbsemi-électronique Circuit intégré

0,265 $US
1 000 Pièces(MOQ)
MOSFET Si2302ds-T1-Ge3-Vb SOT23-3 transistor à canal N Semiconductor Fabricant Vbsemi-conducteur Circuit intégré

MOSFET Si2302ds-T1-Ge3-Vb SOT23-3 transistor à canal N Semiconductor Fabricant Vbsemi-conducteur Circuit intégré

0,032 $US
1 000 Pièces(MOQ)

Guangzhoushi Henneng Trade Co., Ltd.

9 ans
·Société Commerciale
Envoyer demande
dans le Stock Stmicroelectronics Ste07de220 Transistor NPN Haute Tension

dans le Stock Stmicroelectronics Ste07de220 Transistor NPN Haute Tension

220,00-230,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Beijing Jingbei Components Co., Ltd.

14 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
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Bc847c Transistor Bipolaire (BJT) NPN 45 V 100 Ma 300MHz 250 MW

Bc847c Transistor Bipolaire (BJT) NPN 45 V 100 Ma 300MHz 250 MW

1,33-1,39 $US
1 Pièce(MOQ)
2n7002K Montage en surface Sot-23-3 (TO-236) Fets simples Mosfets

2n7002K Montage en surface Sot-23-3 (TO-236) Fets simples Mosfets

1,02-1,21 $US
1 Pièce(MOQ)
Kbpc2510 Redresseur de Pont Monophasé Standard 1000 V Traversant Kbpc

Kbpc2510 Redresseur de Pont Monophasé Standard 1000 V Traversant Kbpc

1,02-1,21 $US
1 Pièce(MOQ)
Bss138 N-Canal 50 V 170mA 350MW (Ta) Montage en surface Sot-23-3

Bss138 N-Canal 50 V 170mA 350MW (Ta) Montage en surface Sot-23-3

1,02-1,21 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Qingdao Jia En Semiconductor Co., Ltd.

Envoyer demande
1200V 75A de l'IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor discrets Jng75t120lcs1

1200V 75A de l'IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor discrets Jng75t120lcs1

500,00 $US
500 Pièces(MOQ)
Module IGBT adapté pour VFD (entraînement à fréquence variable) ,, stockage d'énergie photovoltaïque

Module IGBT adapté pour VFD (entraînement à fréquence variable) ,, stockage d'énergie photovoltaïque

500,00 $US
500 Pièces(MOQ)
Module multi-cellules IGBT haute fiabilité Jiaen - inverseur PV & Application d'entraînement moteur

Module multi-cellules IGBT haute fiabilité Jiaen - inverseur PV & Application d'entraînement moteur

500,00 $US
500 Pièces(MOQ)
Module IGBT de Jiaen Semiconductor - dispositif de commutation haute fiabilité

Module IGBT de Jiaen Semiconductor - dispositif de commutation haute fiabilité

14,00 $US
500 Pièces(MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

Envoyer demande
Fournisseurs de Chine 650V 11.5A to-263 to-220 to-220f Nce65t360f Composants électroniques de circuit intégré Transistor Mosfet de puissance N-Channel à jonction super

Fournisseurs de Chine 650V 11.5A to-263 to-220 to-220f Nce65t360f Composants électroniques de circuit intégré Transistor Mosfet de puissance N-Channel à jonction super

0,483-0,559 $US
1 000 Pièces(MOQ)
60V 5A Nce603s Nce 60V Transistor Mosfet Complémentaire

60V 5A Nce603s Nce 60V Transistor Mosfet Complémentaire

0,124-0,143 $US
4 000 Pièces(MOQ)
82V 140A Nce82h140 Nce82h140d Transistor Mosfet N-Canal Mode Amélioré 220W avec to-220

82V 140A Nce82h140 Nce82h140d Transistor Mosfet N-Canal Mode Amélioré 220W avec to-220

0,38-0,437 $US
1 000 Pièces(MOQ)
60V 5A Nce6005as Transistor Mosfet de puissance N-Channel en mode d'amélioration м о п -т р а н з и с т о р

60V 5A Nce6005as Transistor Mosfet de puissance N-Channel en mode d'amélioration м о п -т р а н з и с т о р

0,077-0,089 $US
5 000 Pièces(MOQ)
1/4

Suzhou Tonghuiyang Electronics Co.; Ltd

Envoyer demande
Transistors NPN A44 SOT-23

Transistors NPN A44 SOT-23

Négociable
10 000 Pièces(MOQ)
N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance Jmtc320N10A à-220c

N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance Jmtc320N10A à-220c

10,00-100,00 $US
10 000 Pièces(MOQ)
N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance Jmte035N04A À-263

N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance Jmte035N04A À-263

Négociable
10 000 Pièces(MOQ)
MOSFET Jmtg100c03D à mode d'amélioration des canaux N et P

MOSFET Jmtg100c03D à mode d'amélioration des canaux N et P

Négociable
10 000 Pièces(MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Envoyer demande
Transistor Mosfet 6703 -20/20V -3/3A Sot-23-6 Emballage pour application de charge rapide

Transistor Mosfet 6703 -20/20V -3/3A Sot-23-6 Emballage pour application de charge rapide

Négociable
100 Pièces(MOQ)
Ao6294 Alternative Gt52n10d5 48A 100V Dfn5X6-8 Mosfet pour application Pd

Ao6294 Alternative Gt52n10d5 48A 100V Dfn5X6-8 Mosfet pour application Pd

0,001-0,009 $US
20 Pièces(MOQ)
Dmg3402L-7 Transistor équivalent Mosfet G3404 de 30V 5.8A Sot-23

Dmg3402L-7 Transistor équivalent Mosfet G3404 de 30V 5.8A Sot-23

0,019-0,022 $US
20 Pièces(MOQ)
Goford G65p06K Std35p6llf6 Alternative 60V Mosfet P Canal avec to-252 Emballage

Goford G65p06K Std35p6llf6 Alternative 60V Mosfet P Canal avec to-252 Emballage

Négociable
100 Pièces(MOQ)

Yueqing Kane Electric Co., Ltd.

5.0
Envoyer demande
Jct151 Transistor SCR Thyristor

Jct151 Transistor SCR Thyristor

0,20 $US
10 000 Pièces(MOQ)
Module de Diode Thyristor Skkt 57 58 - Modules de Redresseur en Pont de Haute Qualité pour

Module de Diode Thyristor Skkt 57 58 - Modules de Redresseur en Pont de Haute Qualité pour

9,00-10,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Wee Technology Company Limited

Envoyer demande
Sot-23 (D-236) BC807 Thru BC808 (BC807-16, BC807-25, BC807-40, BC808-16, BC808-25, BC808-40) PNP Silicon petites (BJT) de transistors

Sot-23 (D-236) BC807 Thru BC808 (BC807-16, BC807-25, BC807-40, BC808-16, BC808-25, BC808-40) PNP Silicon petites (BJT) de transistors

Négociable
10 000 Pièces(MOQ)
Sot-23 (D-236) BC817 Thru BC818 (BC817-16, BC817-25, BC817-40, BC818-16, BC818-25, BC818-40) Petits signaux PNP (BJT) Transistors bipolaires

Sot-23 (D-236) BC817 Thru BC818 (BC817-16, BC817-25, BC817-40, BC818-16, BC818-25, BC818-40) Petits signaux PNP (BJT) Transistors bipolaires

Négociable
10 000 Pièces(MOQ)

Yachtron International Co., Ltd.

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Transistors faible signal

Transistors faible signal

Négociable
Mosfet à canal N (SOT-23)

Mosfet à canal N (SOT-23)

Négociable

Shenzhen Hemeike Electronic Technology Co., Ltd.

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Mmbt4401lt1 2x modules semi-conducteurs discrets Junction transistor bipolaire SMD Diode Schottky de transistors et thyristors

Mmbt4401lt1 2x modules semi-conducteurs discrets Junction transistor bipolaire SMD Diode Schottky de transistors et thyristors

0,01 $US
2 000 Pièces(MOQ)

App Electronics Hongkong Limited

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Transistors produits semiconducteurs discrets STMicroelectronics 2n3904 - bipolaire (BJT) - Simple

Transistors produits semiconducteurs discrets STMicroelectronics 2n3904 - bipolaire (BJT) - Simple

Négociable
1 Pièce(MOQ)

Shenzhen Yang Ming Electronics Co., Ltd

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Transistor MOSFET de puissance RF Transistor : Blf7G21LS-160

Transistor MOSFET de puissance RF Transistor : Blf7G21LS-160

54,00 $US
1 Pièce(MOQ)

Shenzhen Kernal Intelligent Technology Co., Ltd.

11 ans·5.0
·Société Commerciale
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Module de Sortie Discrète Avancé Bmxddo1602 pour PLC Modicon X80

Module de Sortie Discrète Avancé Bmxddo1602 pour PLC Modicon X80

81,73 $US
1 Pièce(MOQ)
M340 Modicon X80 Module de Sortie Discrète pour l'Automatisation Industrielle

M340 Modicon X80 Module de Sortie Discrète pour l'Automatisation Industrielle

133,90 $US
1 Pièce(MOQ)
Module de sortie discrète avancé Modicon X80 pour l'automatisation

Module de sortie discrète avancé Modicon X80 pour l'automatisation

74,90 $US
1 Pièce(MOQ)
32 Module de sortie de transistor pour systèmes PLC Modicon X80

32 Module de sortie de transistor pour systèmes PLC Modicon X80

398,60 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shantou Nobee Electric Co., Ltd.

5.0
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Contrôleur logique PLC Modicon M238 Module de sortie discrète 24VDC TM2ddo32tk TM2ddi32dk

Contrôleur logique PLC Modicon M238 Module de sortie discrète 24VDC TM2ddo32tk TM2ddi32dk

66,00-188,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Nouvelle Originale, Module de Sortie Discrète PLC Modicon X80 Bmxddo1602 Bmxddo1612 Bmxdra1605 Bmxdra0815 Bmxdra0804t Bmxdao1605

Nouvelle Originale, Module de Sortie Discrète PLC Modicon X80 Bmxddo1602 Bmxddo1612 Bmxdra1605 Bmxdra0815 Bmxdra0804t Bmxdao1605

88,00-388,00 $US
1 Pièce(MOQ)
PLC S7-1200 G2 Carte de signal I/O 6es7221-3bf50-0xb0 6es7222-5bf50-0xb0 6es7223-7af50/7bf50-0xb0 6es7231/232/233-4HD50-0xb0 6es7231-5qd50/5pb50-0xb0 Siemens

PLC S7-1200 G2 Carte de signal I/O 6es7221-3bf50-0xb0 6es7222-5bf50-0xb0 6es7223-7af50/7bf50-0xb0 6es7231/232/233-4HD50-0xb0 6es7231-5qd50/5pb50-0xb0 Siemens

60,00-110,00 $US
1 Pièce(MOQ)
PLC S7-1200 G2 Module d'E/S 6es7221-1bh50-0xb0 6es7222-5bh50/5hh50-0xb0 6es7223-5bh50/5pH50-0xb0 6es7231-4hf50/5qf50-0xb0 6es7232/6es7233-4hf50-0xb0 Siemens

PLC S7-1200 G2 Module d'E/S 6es7221-1bh50-0xb0 6es7222-5bh50/5hh50-0xb0 6es7223-5bh50/5pH50-0xb0 6es7231-4hf50/5qf50-0xb0 6es7232/6es7233-4hf50-0xb0 Siemens

120,00-300,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Energy Technology Co., Ltd. (Shenzhen)

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Nouvel-Original Schnei-Der-TM3dq32UK Modicon-TM3 32 Sorties Transistor NPN-He10 Module de Sortie Discret-PLC

Nouvel-Original Schnei-Der-TM3dq32UK Modicon-TM3 32 Sorties Transistor NPN-He10 Module de Sortie Discret-PLC

198,00-225,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Tout Nouveau Schnei-Der-TM3di16 Module-16 Entrées Discrètes 24VDC 7mA Entrée Modicon TM3 Transistor-PNP IP20-Panel Monté-PLC Bon Prix

Tout Nouveau Schnei-Der-TM3di16 Module-16 Entrées Discrètes 24VDC 7mA Entrée Modicon TM3 Transistor-PNP IP20-Panel Monté-PLC Bon Prix

264,38-289,23 $US
1 Pièce(MOQ)
Haute qualité Sie-Mens-6es72231bl320xb0 Module d'extension PLC Digital-16 en 16-out 24VDC-185mA Simatic S7-1200-Series Bon prix

Haute qualité Sie-Mens-6es72231bl320xb0 Module d'extension PLC Digital-16 en 16-out 24VDC-185mA Simatic S7-1200-Series Bon prix

405,00-435,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Nouveau contrôleur Schnei-Der TM241CE40r Logique 40 I/O Relais Ethernet Bon prix

Nouveau contrôleur Schnei-Der TM241CE40r Logique 40 I/O Relais Ethernet Bon prix

905,46-1 083,18 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shenzhen New Chip international Ltd

4 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
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Transistors Mosfet Hxy5n10mi Semiconducteurs Discrets Mosfet

Transistors Mosfet Hxy5n10mi Semiconducteurs Discrets Mosfet

0,20-0,60 $US
1 Pièce(MOQ)
Semi-conducteurs discrets Transistors Mosfet

Semi-conducteurs discrets Transistors Mosfet

0,20-0,60 $US
1 Pièce(MOQ)
Semi-conducteurs discrets à usage général, puissance, commutation Onsemi Nsvbas21ht1g CI sur Onsemi

Semi-conducteurs discrets à usage général, puissance, commutation Onsemi Nsvbas21ht1g CI sur Onsemi

1,00 $US
1 Sac(MOQ)
Fourniture de Sv6020L1qtp. Mosfet Discret à un prix imbattable et avec une livraison rapide

Fourniture de Sv6020L1qtp. Mosfet Discret à un prix imbattable et avec une livraison rapide

2,35-5,15 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4
14
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