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à propos de Transistor de puissance
  • Innovation technologique
  • Chaînes d'Achats fiables
  • Capacités de Fabrication Substantielles

Transistor de puissance1,000+ usines vérifiées

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

18 ans
·Société Commerciale
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Nouveau to-3p Transistor de puissance 2SA1941 2sc5198 A1941 C5198

Nouveau to-3p Transistor de puissance 2SA1941 2sc5198 A1941 C5198

0,239-0,418 $US
50 Pièces(MOQ)
Transistor Original 2sc5200 2SA1943 1943 5200 Transistors Amplificateurs de Puissance PNP en Silicium to-3p

Transistor Original 2sc5200 2SA1943 1943 5200 Transistors Amplificateurs de Puissance PNP en Silicium to-3p

1,00-1,238 $US
500 Pièces(MOQ)
Texte original Irf3205 Mosfet Transistor original Irf 3205 Transistor Mosfet de puissance N-Channel Irf3205pbf

Texte original Irf3205 Mosfet Transistor original Irf 3205 Transistor Mosfet de puissance N-Channel Irf3205pbf

0,27-0,30 $US
100 Pièces(MOQ)
Bd249c Nouveau Transistor de Puissance NPN 100V 25A to-3p

Bd249c Nouveau Transistor de Puissance NPN 100V 25A to-3p

0,001-2,00 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Transistor de puissance NPN en silicium UL RoHS 100V 2n6045 Emballage to-220ab

Transistor de puissance NPN en silicium UL RoHS 100V 2n6045 Emballage to-220ab

0,19 $US
1 000 Pièces(MOQ)
1200V/20A Diode Schottky à Carbure de Silicium G5s12020pm to-247AC Transistor

1200V/20A Diode Schottky à Carbure de Silicium G5s12020pm to-247AC Transistor

1,465 $US
600 Pièces(MOQ)
2n7002c Transistor à effet de champ N-Channel en mode d'enrichissement Trench Power

2n7002c Transistor à effet de champ N-Channel en mode d'enrichissement Trench Power

0,01 $US
3 000 Pièces(MOQ)
1200V/10A Diode Schottky à Carbure de Silicium G5s12010c to-252 Transistor

1200V/10A Diode Schottky à Carbure de Silicium G5s12010c to-252 Transistor

0,769 $US
2 500 Pièces(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
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Grossiste professionnel de transistors puissance avancée 30V/6A 26mΩ RU3400B

Grossiste professionnel de transistors puissance avancée 30V/6A 26mΩ RU3400B

0,19-10,18 $US
3 000 Pièces(MOQ)
40-60-80V 12.5W 3A Transistors de puissance en silicone plastique complémentaires TO-225 MJE172G

40-60-80V 12.5W 3A Transistors de puissance en silicone plastique complémentaires TO-225 MJE172G

0,15 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Transistors de puissance PNP Niveau de sensibilité à l'humidité 1 sans halogène TO-252 Caractéristiques Applications MJD32CQ

Transistors de puissance PNP Niveau de sensibilité à l'humidité 1 sans halogène TO-252 Caractéristiques Applications MJD32CQ

0,68 $US
1 000 Pièces(MOQ)
SOT-223(8R) Transistors encapsulés en plastique (NPN) MOSFET de puissance Caractéristiques Applications Diode JSCJ-BCP56

SOT-223(8R) Transistors encapsulés en plastique (NPN) MOSFET de puissance Caractéristiques Applications Diode JSCJ-BCP56

0,11-1,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Finest Printed Circuit Board Ltd.

23 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
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4cx1000A 3cx1500d3 Triacs 25A Bc847 Bzx84 Sot 23 Transistor de puissance RF haute tension Nxsmd 78L05

4cx1000A 3cx1500d3 Triacs 25A Bc847 Bzx84 Sot 23 Transistor de puissance RF haute tension Nxsmd 78L05

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 Meilleur amplificateur audio à tube tetrode avec transistors SMD 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 Meilleur amplificateur audio à tube tetrode avec transistors SMD 23 J313

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Transistors Mosfet de puissance PNP NPN SMD Amplificateur Triode Transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Transistors Mosfet de puissance PNP NPN SMD Amplificateur Triode Transistor IGBT

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Meilleur tube de puissance, oscillateur à tétraode, triode de puissance Fu 728f tube RF 4cx1000A Tb3 750 transistors de télévision C3856

Meilleur tube de puissance, oscillateur à tétraode, triode de puissance Fu 728f tube RF 4cx1000A Tb3 750 transistors de télévision C3856

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

5.0
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CRG75T60AK3HD G75T60AK3HD Transistor IGBT 75A 600V TO-247 Tube de puissance

CRG75T60AK3HD G75T60AK3HD Transistor IGBT 75A 600V TO-247 Tube de puissance

0,50-340,00 $US
50 Pièces(MOQ)
IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V transistor MOSFET N-Channel

IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V transistor MOSFET N-Channel

1,00-340,00 $US
50 Pièces(MOQ)
IRF9640STRLPBF IRF9640 IRF9640S transistor MOSFET P-CH 200V 11A transistor

IRF9640STRLPBF IRF9640 IRF9640S transistor MOSFET P-CH 200V 11A transistor

0,70-15,00 $US
10 Pièces(MOQ)
BSC0702LS 60V 100A Transistor de puissance MOSFET

BSC0702LS 60V 100A Transistor de puissance MOSFET

0,17-200,00 $US
500 Pièces(MOQ)
1/4

CTC Technology Co., Ltd.

20 ans
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Protection contre le stress Diode Schottky interrupteur transistor SBD20C200F

Protection contre le stress Diode Schottky interrupteur transistor SBD20C200F

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
Dispositif Discret de Puissance SBD20C100T/F/K/S Diode Schottky Transistor

Dispositif Discret de Puissance SBD20C100T/F/K/S Diode Schottky Transistor

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
Transistor Mosfet à haute tension N-Channel Super Jonction

Transistor Mosfet à haute tension N-Channel Super Jonction

0,05-0,15 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Dispositif Discret de Puissance SBD10C200T/F/D/S Diode Schottky Transistor

Dispositif Discret de Puissance SBD10C200T/F/D/S Diode Schottky Transistor

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
1/4

Simentor Electronic Limited

13 ans·5.0
·Société Commerciale
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Bdx53c Transistor de puissance - Idéal pour les amplificateurs audio et les applications de commutation

Bdx53c Transistor de puissance - Idéal pour les amplificateurs audio et les applications de commutation

Négociable
10 Pièces(MOQ)
Tip132 8A 100V Transistor - Parfait pour le contrôle de moteur et les alimentations électriques

Tip132 8A 100V Transistor - Parfait pour le contrôle de moteur et les alimentations électriques

Négociable
10 Pièces(MOQ)
Alimentations à découpage Meanwell 150W 15V 10A #Lrs-150-15

Alimentations à découpage Meanwell 150W 15V 10A #Lrs-150-15

Négociable
10 Pièces(MOQ)
Ncep40t13gu Transistor de puissance - 40V, 13A, Faible résistance à l'état passant, haute efficacité

Ncep40t13gu Transistor de puissance - 40V, 13A, Faible résistance à l'état passant, haute efficacité

Négociable
10 Pièces(MOQ)
1/4

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 ans·4.9
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Original CS3205b8 CS3205 60V 120A Transistor à effet de champ à canal N

Original CS3205b8 CS3205 60V 120A Transistor à effet de champ à canal N

0,25 $US
100 Pièces(MOQ)
Puissance Originale E13003 Commutation D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

Puissance Originale E13003 Commutation D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

0,10-0,50 $US
1 Pièce(MOQ)
Nce6080 Nce N-Canal 60V 80A to-252 Transistor Mosfet de Puissance en Mode d'Amélioration Nce6080K

Nce6080 Nce N-Canal 60V 80A to-252 Transistor Mosfet de Puissance en Mode d'Amélioration Nce6080K

0,10 $US
1 Pièce(MOQ)
Expédition rapide 450V 10A 80W Transistor de puissance NPN C2625 2sc2625 3pin

Expédition rapide 450V 10A 80W Transistor de puissance NPN C2625 2sc2625 3pin

0,23-0,89 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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To220f 800W Simple Double N Canal 30V Fabricant Transistor de Puissance Télécom

To220f 800W Simple Double N Canal 30V Fabricant Transistor de Puissance Télécom

0,12-0,15 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Mode d'amélioration super N-Channel Mosfet

Mode d'amélioration super N-Channel Mosfet

0,20 $US
660 Pièces(MOQ)
Diode de récupération rapide régulateur de haute tension transistor

Diode de récupération rapide régulateur de haute tension transistor

0,20 $US
660 Pièces(MOQ)
Chargeurs ultra rapides à convertisseur Flyback à un interrupteur topologies Mosfet de puissance

Chargeurs ultra rapides à convertisseur Flyback à un interrupteur topologies Mosfet de puissance

0,20 $US
660 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.

5.0
Envoyer demande
Transistor RF à haute performance en GaN avancé pour stations de base et applications multi-porteurs

Transistor RF à haute performance en GaN avancé pour stations de base et applications multi-porteurs

1,00 $US
100 Pièces(MOQ)
Transistor RF à haute performance 3300MHz-3800MHz en GaN pour stations de base et applications multi-porteurs

Transistor RF à haute performance 3300MHz-3800MHz en GaN pour stations de base et applications multi-porteurs

1,00 $US
100 Pièces(MOQ)
Transistor GaN de puissance RF avancé 2000MHz-4000MHz pour systèmes RF/micro-ondes et application de station de base

Transistor GaN de puissance RF avancé 2000MHz-4000MHz pour systèmes RF/micro-ondes et application de station de base

1,00 $US
100 Pièces(MOQ)
Transistor RF GaN haute puissance à bonne performance pour systèmes RF micro-ondes et applications de station de base, ainsi que module de brouilleur radar ou drone avec GaN intégré

Transistor RF GaN haute puissance à bonne performance pour systèmes RF micro-ondes et applications de station de base, ainsi que module de brouilleur radar ou drone avec GaN intégré

1,00 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

Envoyer demande
Transistor Mosfet redresseur à diode haute performance pour applications de puissance

Transistor Mosfet redresseur à diode haute performance pour applications de puissance

0,01-0,45 $US
1 Pièce(MOQ)
BTA16 600bw Transistor N-Canal Mosfet 600V 170A to-220ab Liste de Tubes BTA16-600bw

BTA16 600bw Transistor N-Canal Mosfet 600V 170A to-220ab Liste de Tubes BTA16-600bw

0,01-0,45 $US
1 Pièce(MOQ)
Redresseur à diode Powerpassion efficace pour transistors Mosfet à montage standard

Redresseur à diode Powerpassion efficace pour transistors Mosfet à montage standard

0,01-0,45 $US
1 Pièce(MOQ)
Diode redresseuse Mosfet transistor Powerpassion durable pour l'électronique

Diode redresseuse Mosfet transistor Powerpassion durable pour l'électronique

0,01-0,45 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shenzhen New Chip international Ltd

4 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
Envoyer demande
Transistors de puissance, transistors Mosfet

Transistors de puissance, transistors Mosfet

0,20-0,60 $US
1 Pièce(MOQ)
Transistor Mosfet de puissance Irfp460pbf Irfp460 Irfp 460 Irfp250mpbf Irfp250m Irfp250 Irfp260npbf Irfp260n Irfp260

Transistor Mosfet de puissance Irfp460pbf Irfp460 Irfp 460 Irfp250mpbf Irfp250m Irfp250 Irfp260npbf Irfp260n Irfp260

0,20-0,60 $US
1 Pièce(MOQ)
Circuit intégré de puissance d'origine Circuit intégré d'alimentation Mt6357CRV Mt6357 Mt6357CRV

Circuit intégré de puissance d'origine Circuit intégré d'alimentation Mt6357CRV Mt6357 Mt6357CRV

0,10-0,50 $US
1 Pièce(MOQ)
Lm393dr Sop8 Lm393 Sop-8 Sop Lm393dt Lm393dr2g SMD Nouveau et Original CI

Lm393dr Sop8 Lm393 Sop-8 Sop Lm393dt Lm393dr2g SMD Nouveau et Original CI

0,20-2,00 $US
2 Pièces(MOQ)
1/4

Chengdu Canmeng Trading Co., Ltd

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2mbi600vn-120-50 Transistor Bipolaire à Grille Isolée - Plating Inverseurs de Puissance

2mbi600vn-120-50 Transistor Bipolaire à Grille Isolée - Plating Inverseurs de Puissance

10,00-20,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Module Transistor IGBT S-Emikron Original Neuf Skm50/75/100/150/300-Gal/GB12t4

Module Transistor IGBT S-Emikron Original Neuf Skm50/75/100/150/300-Gal/GB12t4

10,00-20,00 $US
1 Pièce(MOQ)
S-Emikron Skkd100/16 Skkd162/16 Skkd212/16 Transistor Thyristor Original Neuf

S-Emikron Skkd100/16 Skkd162/16 Skkd212/16 Transistor Thyristor Original Neuf

10,00-20,00 $US
1 Pièce(MOQ)
2mbi400vb-060-50 Transistor à haute tension - Haute puissance

2mbi400vb-060-50 Transistor à haute tension - Haute puissance

10,00-20,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

9 ans·5.0
·Société Commerciale
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Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

1,19-2,28 $US
600 Pièces(MOQ)
Diode de récupération ultra rapide personnalisée en usine Es1a

Diode de récupération ultra rapide personnalisée en usine Es1a

1,19-2,28 $US
100 Pièces(MOQ)
La diode Schottky pour 1A le droit de la SOD-123 B130B130b130loi loi-7-7

La diode Schottky pour 1A le droit de la SOD-123 B130B130b130loi loi-7-7

1,19-2,28 $US
100 Pièces(MOQ)
Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

1,19-2,28 $US
100 Pièces(MOQ)
1/4

Beijing Jingbei Components Co., Ltd.

14 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
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B772 Réseau de Transistors Bipolaires (BJT) Réseaux de Transistors Bipolaires

B772 Réseau de Transistors Bipolaires (BJT) Réseaux de Transistors Bipolaires

2,20-2,30 $US
1 Pièce(MOQ)
S8550 Transistor Bipolaire (BJT) PNP 25 V 500 Ma 150MHz 300 MW Montage en Surface Sot-23

S8550 Transistor Bipolaire (BJT) PNP 25 V 500 Ma 150MHz 300 MW Montage en Surface Sot-23

2,00-2,10 $US
1 Pièce(MOQ)
Ss8550 Transistor Bipolaire (BJT) PNP 25 V 1.5 a 100MHz 300 Montage de Surface MW Sot-23

Ss8550 Transistor Bipolaire (BJT) PNP 25 V 1.5 a 100MHz 300 Montage de Surface MW Sot-23

2,40-2,50 $US
1 Pièce(MOQ)
Ao3400A Transistor à effet de champ N-Canal 30 V 5.7A (Ta) 1.4W (Ta) Montage en surface Sot-23-3

Ao3400A Transistor à effet de champ N-Canal 30 V 5.7A (Ta) 1.4W (Ta) Montage en surface Sot-23-3

2,10-2,20 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
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Transistor NPN en silicium à triple diffusion 5200 to-3pl **% de réduction

Transistor NPN en silicium à triple diffusion 5200 to-3pl **% de réduction

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
40A 650V Transistor Bipolaire à Grille Isolée Trenchstop G40t65lbbn to-3pn

40A 650V Transistor Bipolaire à Grille Isolée Trenchstop G40t65lbbn to-3pn

0,22 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Amplificateur de basse fréquence coque transistor bipolaire NPN évalué D882 to-126

Amplificateur de basse fréquence coque transistor bipolaire NPN évalué D882 to-126

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Transistor en silicium épitaxial NPN Bu406 to-220c

Transistor en silicium épitaxial NPN Bu406 to-220c

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
1/4

Guangdong Global Well Electronic Limited

4 ans
Envoyer demande
Transistors de dépôt haute puissance en silicium original composant électronique

Transistors de dépôt haute puissance en silicium original composant électronique

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
Transistors2sc5200 Kit de test de Mosfets Transistors

Transistors2sc5200 Kit de test de Mosfets Transistors

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
Composants électroniques transistors pour circuits intégrés et modules semi-conducteurs

Composants électroniques transistors pour circuits intégrés et modules semi-conducteurs

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
B772equivalent Codes SMD Transistors

B772equivalent Codes SMD Transistors

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
1/4

Shenzhen Sinosky Electronics Co., Ltd.

9 ans·5.0
·Société Commerciale
Envoyer demande
Nouveaux composants électroniques originaux transistor à semi-conducteur discret Bla9h0912L-1200p

Nouveaux composants électroniques originaux transistor à semi-conducteur discret Bla9h0912L-1200p

437,62 $US
10 Pièces(MOQ)
Nouveau composant électronique à semi-conducteur transistor Bt139b-600e

Nouveau composant électronique à semi-conducteur transistor Bt139b-600e

0,18-0,35 $US
10 Pièces(MOQ)
Nouveaux composants électroniques originaux puces CI circuits intégrés transistor bipolaire simple Buj302ax

Nouveaux composants électroniques originaux puces CI circuits intégrés transistor bipolaire simple Buj302ax

0,21-0,48 $US
10 Pièces(MOQ)
Nouveaux composants électroniques originaux, circuits intégrés, puces semi-conductrices, transistors Mosfets Sum70040e-Ge3

Nouveaux composants électroniques originaux, circuits intégrés, puces semi-conductrices, transistors Mosfets Sum70040e-Ge3

0,75-1,25 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.

20 ans·5.0
·Société Commerciale
Envoyer demande
Mmbt3904 Transistors encapsulés en plastique NPN

Mmbt3904 Transistors encapsulés en plastique NPN

0,0034-0,0035 $US
21 000 Pièces(MOQ)
Transistor Mosfet P-Channel fiable Ao4435 -30V pour une gestion efficace de l'énergie

Transistor Mosfet P-Channel fiable Ao4435 -30V pour une gestion efficace de l'énergie

0,05 $US
20 000 Pièces(MOQ)
Transistor Mosfet Haute Performance Sot-23 100V pour Applications Circuits Fiables

Transistor Mosfet Haute Performance Sot-23 100V pour Applications Circuits Fiables

0,0105 $US
42 000 Pièces(MOQ)
2301 Transistor 20V Mosfet P-Canal

2301 Transistor 20V Mosfet P-Canal

0,006 $US
30 000 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Xinjiaye Electronics Technology Co., Ltd.

Envoyer demande
Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Manchon d'isolation en silicone thermique conducteur pour to-220 / to-3p transistor de puissance Mosfet IGBT

Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Manchon d'isolation en silicone thermique conducteur pour to-220 / to-3p transistor de puissance Mosfet IGBT

0,02 $US
1 Pièce(MOQ)
Liste d'éléments pour composants électroniques, circuits intégrés, condensateurs, résistances, connecteurs, transistors de puissance, modules sans fil et IoT, cristal, etc

Liste d'éléments pour composants électroniques, circuits intégrés, condensateurs, résistances, connecteurs, transistors de puissance, modules sans fil et IoT, cristal, etc

0,005 $US
1 Pièce(MOQ)
Achetez en ligne des composants électroniques originaux 2sc5200/2SA1943 amplificateur audio C5200 A1943 to-3pl circuits intégrés

Achetez en ligne des composants électroniques originaux 2sc5200/2SA1943 amplificateur audio C5200 A1943 to-3pl circuits intégrés

Négociable
1 Pièce(MOQ)
Ll4148 Diode Standard 100V 200mA SOD-80 Emballage - 20PCS Composants Électroniques Haute Performance

Ll4148 Diode Standard 100V 200mA SOD-80 Emballage - 20PCS Composants Électroniques Haute Performance

3 000,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Emi International (Hk) Co. Ltd

Envoyer demande
Transistor à puissance pulsée radar Macom pH3135-65m 65W, 3.1-3.5 GHz

Transistor à puissance pulsée radar Macom pH3135-65m 65W, 3.1-3.5 GHz

250,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1200V 600A Module IGBT, E6 Boîtier, Ma600b12e6K4_D2 Remplacement pour IGBT Infineon 1200V

1200V 600A Module IGBT, E6 Boîtier, Ma600b12e6K4_D2 Remplacement pour IGBT Infineon 1200V

0,10-0,30 $US
100 Pièces(MOQ)
Texte Original Nouveau Fdn335 Transistor Sot-23-3 Fdn335n Circuit Intégré Puce IC en Stock

Texte Original Nouveau Fdn335 Transistor Sot-23-3 Fdn335n Circuit Intégré Puce IC en Stock

0,69-2,69 $US
1 Pièce(MOQ)
Nouveaux microcontrôleurs composants électroniques électronique transistor W25q256fveig emballage d'origine

Nouveaux microcontrôleurs composants électroniques électronique transistor W25q256fveig emballage d'origine

0,10-0,90 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

2 ans
·Société Commerciale
Envoyer demande
1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

12,11 $US
10 Pièces(MOQ)
650 V, 8 un, [Bmd60n650UC1], Transistor Mosfet à Haute Efficacité Super Jonction

650 V, 8 un, [Bmd60n650UC1], Transistor Mosfet à Haute Efficacité Super Jonction

0,55 $US
10 Pièces(MOQ)
1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

0,78 $US
10 Pièces(MOQ)
650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Transistor Mosfet à Super Jonction à Haute Efficacité

650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Transistor Mosfet à Super Jonction à Haute Efficacité

1,05 $US
10 Pièces(MOQ)
1/1

Beijing Jenerator Electronic Co.,Ltd

19 ans·5.0
·Société Commerciale
Envoyer demande
Transistor céramique métallique fiable 3cx2500h3 triode de puissance pour applications radiofréquence (3CX2500F3, 3CX3000A7)

Transistor céramique métallique fiable 3cx2500h3 triode de puissance pour applications radiofréquence (3CX2500F3, 3CX3000A7)

500,00-900,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Tube oscillateur en céramique métallique à triode à refroidissement par air de haute qualité équivalent à la triode Eimac 3cx10000A7 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

Tube oscillateur en céramique métallique à triode à refroidissement par air de haute qualité équivalent à la triode Eimac 3cx10000A7 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

1 300,00-1 700,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Tube oscillateur en céramique métallique à triode à air refroidi de haute qualité équivalent à la triode Eimac 3cx20000A7 3cx20000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX10000A7)

Tube oscillateur en céramique métallique à triode à air refroidi de haute qualité équivalent à la triode Eimac 3cx20000A7 3cx20000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX10000A7)

2 970,00-3 980,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Triode à air refroidi 3cx10000A7 tube émetteur en céramique métallique de haute qualité équivalent à la triode Eimac 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

Triode à air refroidi 3cx10000A7 tube émetteur en céramique métallique de haute qualité équivalent à la triode Eimac 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

1 300,00-1 700,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Antel Electronics (Shanghai) Co., Ltd.

24 ans
·Fabricant/Usine
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Transistor Amplificateur Toshiba 2SA1943 2sc5200 Tta1943 Ttc5200 2SA1941 2sc5198

Transistor Amplificateur Toshiba 2SA1943 2sc5200 Tta1943 Ttc5200 2SA1941 2sc5198

0,50-0,55 $US
1 000 Pièces(MOQ)
2SA1943 2SC5200 TTA1943 TTA5200 2SA1941 2SC5198 amplificateur audio Toshiba Transistor

2SA1943 2SC5200 TTA1943 TTA5200 2SA1941 2SC5198 amplificateur audio Toshiba Transistor

0,11-0,15 $US
1 000 Pièces(MOQ)
25HF120 25HFR120 redresseur en silicium direct et inverse 25A1200V diode redresseuse en spirale

25HF120 25HFR120 redresseur en silicium direct et inverse 25A1200V diode redresseuse en spirale

0,546-0,55 $US
500 Pièces(MOQ)
Spirale de diode redresseuse pour chargement de batterie 70HFR120/70HF120

Spirale de diode redresseuse pour chargement de batterie 70HFR120/70HF120

1,016-1,02 $US
500 Pièces(MOQ)
1/4

Shen Zhen JYD Electronics Co., Ltd

Envoyer demande
Tpw1500cnh 10V Transistor Mosfet de commande de porte

Tpw1500cnh 10V Transistor Mosfet de commande de porte

0,18-1,80 $US
10 Pièces(MOQ)
Nouveaux et originaux transistors bipolaires NPN 25V 0.5A Sot-23 S8050

Nouveaux et originaux transistors bipolaires NPN 25V 0.5A Sot-23 S8050

0,18-1,80 $US
10 Pièces(MOQ)
Puce IC nouveau et original DW01 DW01V SOT23-6 pour la protection de la batterie au lithium puce IC

Puce IC nouveau et original DW01 DW01V SOT23-6 pour la protection de la batterie au lithium puce IC

0,18-1,80 $US
10 Pièces(MOQ)
Module IGBT de puissance original nouveau FF200r12kt4 IGBT 62mm 1200V 200A

Module IGBT de puissance original nouveau FF200r12kt4 IGBT 62mm 1200V 200A

68,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shanghai Huakun Electrical Company Ltd.

23 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
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Facteur de correction de puissance, banque de condensateurs, thyristors, diodes électriques industrielles, intégration de transistors, triphasé 50kvar P7/P14 rapport de réactance

Facteur de correction de puissance, banque de condensateurs, thyristors, diodes électriques industrielles, intégration de transistors, triphasé 50kvar P7/P14 rapport de réactance

200,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Hangzhou Electric Driving Technology Co., Ltd.

Envoyer demande
Nouveaux et originaux composants électroniques IC transistor de puissance 2n3055

Nouveaux et originaux composants électroniques IC transistor de puissance 2n3055

Négociable
500 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Wonderful Tech Co., Ltd.

21 ans
·Société Commerciale
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Transistor de puissance Delta Dvp Es2 Série Dvp32es211t 24VDC Sortie

Transistor de puissance Delta Dvp Es2 Série Dvp32es211t 24VDC Sortie

120,00-150,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Dandong Hua'ao Electronic Co., Ltd.

Envoyer demande
Astuce122 à Transistor Darlington-263-2L Power

Astuce122 à Transistor Darlington-263-2L Power

0,20 $US
10 Pièces(MOQ)
Astuce142h Package à-220 Vceo Transistor Darlington de puissance 200V

Astuce142h Package à-220 Vceo Transistor Darlington de puissance 200V

0,27 $US
10 Pièces(MOQ)
Astuce127 Package à transistor-263-2L Darlington de puissance PNP

Astuce127 Package à transistor-263-2L Darlington de puissance PNP

0,20 $US
10 Pièces(MOQ)
Astuce142h à-220 Package Transistor Darlington de puissance

Astuce142h à-220 Package Transistor Darlington de puissance

0,27 $US
10 Pièces(MOQ)

Wuxi Kingful Corporation., Ltd

9 ans
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68V 82A Mosfet de puissance N-Channel Trench to-252 Sjd68n058

68V 82A Mosfet de puissance N-Channel Trench to-252 Sjd68n058

0,13-0,15 $US
2 500 Pièces(MOQ)
68V Mosfet de puissance N-Channel Trench to-263

68V Mosfet de puissance N-Channel Trench to-263

0,13 $US
2 500 Pièces(MOQ)
4/6/8/12 Plaque de silicium de pouce pour puces Mosfet

4/6/8/12 Plaque de silicium de pouce pour puces Mosfet

650,00 $US
1 Pièce(MOQ)
-30vds/ ±25vgs/-12A ID Mosfet à canal P en mode d'amélioration

-30vds/ ±25vgs/-12A ID Mosfet à canal P en mode d'amélioration

650,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4
143
Produits Populaires
Périphérique D'alimentation
L'équipement D'alimentation
Tubes Électroniques
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Module Laser
Instrument De Puissance
Module De Commande
Distribution De L'alimentation Électrique
Fabricants & Fournisseur Associés
Usine De Power Semiconductor
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Fabricants De Projecteur Led Haute Puissance
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