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à propos de Transistor de puissance
  • Innovation technologique
  • Chaînes d'Achats fiables
  • Capacités de Fabrication Substantielles

Transistor de puissance1,000+ usines vérifiées

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

18 ans
·Société Commerciale
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Nouveau to-3p Transistor de puissance 2SA1941 2sc5198 A1941 C5198

Nouveau to-3p Transistor de puissance 2SA1941 2sc5198 A1941 C5198

0,239-0,418 $US
50 Pièces(MOQ)
Transistor Original 2sc5200 2SA1943 1943 5200 Transistors Amplificateurs de Puissance PNP en Silicium to-3p

Transistor Original 2sc5200 2SA1943 1943 5200 Transistors Amplificateurs de Puissance PNP en Silicium to-3p

1,00-1,238 $US
500 Pièces(MOQ)
Texte original Irf3205 Mosfet Transistor original Irf 3205 Transistor Mosfet de puissance N-Channel Irf3205pbf

Texte original Irf3205 Mosfet Transistor original Irf 3205 Transistor Mosfet de puissance N-Channel Irf3205pbf

0,27-0,30 $US
100 Pièces(MOQ)
SPA20n60c3 Transistor de puissance MOS cool

SPA20n60c3 Transistor de puissance MOS cool

0,80-2,00 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Transistor de puissance NPN en silicium UL RoHS 100V 2n6045 Emballage to-220ab

Transistor de puissance NPN en silicium UL RoHS 100V 2n6045 Emballage to-220ab

0,19 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Transistor amplificateur PNP de petite puissance 2sb1188b avec UL RoHS

Transistor amplificateur PNP de petite puissance 2sb1188b avec UL RoHS

0,043 $US
1 000 Pièces(MOQ)
1200V/20A Diode Schottky à Carbure de Silicium G5s12020pm to-247AC Transistor

1200V/20A Diode Schottky à Carbure de Silicium G5s12020pm to-247AC Transistor

1,465 $US
600 Pièces(MOQ)
1200V/10A Diode Schottky à Carbure de Silicium G5s12010c to-252 Transistor

1200V/10A Diode Schottky à Carbure de Silicium G5s12010c to-252 Transistor

0,769 $US
2 500 Pièces(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
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SOT-223(8R) Transistors encapsulés en plastique (NPN) MOSFET de puissance Caractéristiques Applications Diode JSCJ-BCP56

SOT-223(8R) Transistors encapsulés en plastique (NPN) MOSFET de puissance Caractéristiques Applications Diode JSCJ-BCP56

0,11-1,00 $US
1 Pièce(MOQ)
30V/75A 4.5mΩ Ru3075L Vente en gros de transistors professionnels puissance avancée

30V/75A 4.5mΩ Ru3075L Vente en gros de transistors professionnels puissance avancée

0,16-0,17 $US
2 500 Pièces(MOQ)
100V/8A/1.25W, Transistor de puissance NPN, TO-220AB, MJC44H11

100V/8A/1.25W, Transistor de puissance NPN, TO-220AB, MJC44H11

0,87 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Les transistors de puissance NPN en époxy répondent à la norme de flammabilité UL-94 V-0 et sont sans halogène TO-252 Caractéristiques Applications MJD31CQ

Les transistors de puissance NPN en époxy répondent à la norme de flammabilité UL-94 V-0 et sont sans halogène TO-252 Caractéristiques Applications MJD31CQ

0,75 $US
1 000 Pièces(MOQ)
1/4

Finest Printed Circuit Board Ltd.

23 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
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2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 Meilleur amplificateur audio à tube tetrode avec transistors SMD 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 Meilleur amplificateur audio à tube tetrode avec transistors SMD 23 J313

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Meilleur tube de puissance, oscillateur à tétraode, triode de puissance Fu 728f tube RF 4cx1000A Tb3 750 transistors de télévision C3856

Meilleur tube de puissance, oscillateur à tétraode, triode de puissance Fu 728f tube RF 4cx1000A Tb3 750 transistors de télévision C3856

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Transistors Mosfet de puissance PNP NPN SMD Amplificateur Triode Transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Transistors Mosfet de puissance PNP NPN SMD Amplificateur Triode Transistor IGBT

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
2n3906 Transistors de puissance NPN PNP en silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

2n3906 Transistors de puissance NPN PNP en silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

5.0
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IRF9640STRLPBF IRF9640 IRF9640S transistor MOSFET P-CH 200V 11A transistor

IRF9640STRLPBF IRF9640 IRF9640S transistor MOSFET P-CH 200V 11A transistor

0,70-15,00 $US
10 Pièces(MOQ)
BSC0702LS 60V 100A Transistor de puissance MOSFET

BSC0702LS 60V 100A Transistor de puissance MOSFET

0,17-200,00 $US
500 Pièces(MOQ)
IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V transistor MOSFET N-Channel

IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V transistor MOSFET N-Channel

1,00-340,00 $US
50 Pièces(MOQ)
CRG75T60AK3HD G75T60AK3HD Transistor IGBT 75A 600V TO-247 Tube de puissance

CRG75T60AK3HD G75T60AK3HD Transistor IGBT 75A 600V TO-247 Tube de puissance

0,50-340,00 $US
50 Pièces(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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To220f 800W Osg80r650FF Simple Double N Canal 30V Transistor de Puissance PC

To220f 800W Osg80r650FF Simple Double N Canal 30V Transistor de Puissance PC

0,12-0,15 $US
5 000 Pièces(MOQ)
PC Powe To247 Osg65r035hf Vds-650V Mosfet de puissance

PC Powe To247 Osg65r035hf Vds-650V Mosfet de puissance

0,10-1,00 $US
660 Pièces(MOQ)
Diode de récupération rapide régulateur de haute tension transistor

Diode de récupération rapide régulateur de haute tension transistor

0,20 $US
660 Pièces(MOQ)
Chargeurs ultra rapides à convertisseur Flyback à un interrupteur topologies Mosfet de puissance

Chargeurs ultra rapides à convertisseur Flyback à un interrupteur topologies Mosfet de puissance

0,20 $US
660 Pièces(MOQ)
1/4

CTC Technology Co., Ltd.

20 ans
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Dispositif Discret de Puissance SBD10C200T/F/D/S Diode Schottky Transistor

Dispositif Discret de Puissance SBD10C200T/F/D/S Diode Schottky Transistor

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
2A 600V transistor mosfet de puissance d'origine

2A 600V transistor mosfet de puissance d'origine

0,05-0,15 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Dispositif Discret de Puissance SBD20C100T/F/K/S Diode Schottky Transistor

Dispositif Discret de Puissance SBD20C100T/F/K/S Diode Schottky Transistor

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
Transistor à faible perte de puissance SBD10C200F Diode Schottky

Transistor à faible perte de puissance SBD10C200F Diode Schottky

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
1/4

Shengxinweiye (Shenzhen) Co., Ltd

9 ans
·Société Commerciale
Envoyer demande
2sc5200 2SA1943 C5200 A1943 to-3pl Transistor de puissance pour amplificateur audio 2sc5200 2SA1943

2sc5200 2SA1943 C5200 A1943 to-3pl Transistor de puissance pour amplificateur audio 2sc5200 2SA1943

0,45-0,55 $US
500 Pièces(MOQ)
Puissance Originale E13003 Commutation D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

Puissance Originale E13003 Commutation D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

0,09 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Nouvelle et Originale Triode 2sb764e Transistor à Faible Puissance B764

Nouvelle et Originale Triode 2sb764e Transistor à Faible Puissance B764

0,09-0,10 $US
10 Pièces(MOQ)
Transistor de puissance NPN de haute qualité C945 to-92 2sc945

Transistor de puissance NPN de haute qualité C945 to-92 2sc945

0,05-0,10 $US
50 Pièces(MOQ)
1/4

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 ans·4.9
Envoyer demande
Transistor Original Irfb7540pbf to-220 Transistor de puissance Mosfet

Transistor Original Irfb7540pbf to-220 Transistor de puissance Mosfet

0,01-0,10 $US
1 Pièce(MOQ)
Nce6080 Nce N-Canal 60V 80A to-252 Transistor Mosfet de Puissance en Mode d'Amélioration Nce6080K

Nce6080 Nce N-Canal 60V 80A to-252 Transistor Mosfet de Puissance en Mode d'Amélioration Nce6080K

0,10 $US
1 Pièce(MOQ)
Original CS3205b8 CS3205 60V 120A Transistor à effet de champ à canal N

Original CS3205b8 CS3205 60V 120A Transistor à effet de champ à canal N

0,25 $US
100 Pièces(MOQ)
Buk9y59-60e Transistor Mosfet N-Channel 60 V 16.7A (Tc) 37W (Tc) SMD Lfpak56, Power-So8 Buk9y59-60e, 115 Buk9y59 Buk9y09 Buk9y19 Série

Buk9y59-60e Transistor Mosfet N-Channel 60 V 16.7A (Tc) 37W (Tc) SMD Lfpak56, Power-So8 Buk9y59-60e, 115 Buk9y59 Buk9y09 Buk9y19 Série

0,01-1,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Simentor Electronic Limited

13 ans·5.0
·Société Commerciale
Envoyer demande
Tip107: Transistor PNP Darlington pour le contrôle de moteur et la commutation de puissance

Tip107: Transistor PNP Darlington pour le contrôle de moteur et la commutation de puissance

Négociable
10 Pièces(MOQ)
Transistors NPN de haute qualité #Sot23 40V 0.6A # Tels que Mmbt2222alt, 1n4148, 1n5802… En provenance de Chine

Transistors NPN de haute qualité #Sot23 40V 0.6A # Tels que Mmbt2222alt, 1n4148, 1n5802… En provenance de Chine

Négociable
3 000 Pièces(MOQ)
Ncep40t13gu Transistor de puissance - 40V, 13A, Faible résistance à l'état passant, haute efficacité

Ncep40t13gu Transistor de puissance - 40V, 13A, Faible résistance à l'état passant, haute efficacité

Négociable
10 Pièces(MOQ)
1.65-5.5V Comparateurs à faible puissance et double tension IC (LM393 DIP-8 ST)

1.65-5.5V Comparateurs à faible puissance et double tension IC (LM393 DIP-8 ST)

Négociable
100 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.

5.0
Envoyer demande
Transistor GaN de puissance RF avancé 2000MHz-4000MHz pour systèmes RF/micro-ondes et application de station de base

Transistor GaN de puissance RF avancé 2000MHz-4000MHz pour systèmes RF/micro-ondes et application de station de base

1,00 $US
100 Pièces(MOQ)
Transistor RF à haute performance 3300MHz-3800MHz en GaN pour stations de base et applications multi-porteurs

Transistor RF à haute performance 3300MHz-3800MHz en GaN pour stations de base et applications multi-porteurs

1,00 $US
100 Pièces(MOQ)
Transistor RF à haute performance en GaN avancé pour stations de base et applications multi-porteurs

Transistor RF à haute performance en GaN avancé pour stations de base et applications multi-porteurs

1,00 $US
100 Pièces(MOQ)
Transistor RF GaN haute puissance à bonne performance pour systèmes RF micro-ondes et applications de station de base, ainsi que module de brouilleur radar ou drone avec GaN intégré

Transistor RF GaN haute puissance à bonne performance pour systèmes RF micro-ondes et applications de station de base, ainsi que module de brouilleur radar ou drone avec GaN intégré

1,00 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

Envoyer demande
Transistor Mosfet redresseur à diode haute performance pour applications de puissance

Transistor Mosfet redresseur à diode haute performance pour applications de puissance

0,01-0,45 $US
1 Pièce(MOQ)
Diode redresseuse Mosfet transistor Powerpassion durable pour l'électronique

Diode redresseuse Mosfet transistor Powerpassion durable pour l'électronique

0,01-0,45 $US
1 Pièce(MOQ)
Redresseur à diode monté standard Durable Powerpassion pour projets électroniques transistorisés

Redresseur à diode monté standard Durable Powerpassion pour projets électroniques transistorisés

0,01-0,45 $US
1 Pièce(MOQ)
Diode redresseuse à montage standard Mosfet transistor par Powerpassion

Diode redresseuse à montage standard Mosfet transistor par Powerpassion

0,01-0,45 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shenzhen New Chip international Ltd

4 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
Envoyer demande
Transistors de puissance, transistors Mosfet

Transistors de puissance, transistors Mosfet

0,20-0,60 $US
1 Pièce(MOQ)
Circuit intégré de puissance d'origine Circuit intégré d'alimentation Mt6357CRV Mt6357 Mt6357CRV

Circuit intégré de puissance d'origine Circuit intégré d'alimentation Mt6357CRV Mt6357 Mt6357CRV

0,10-2,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Module de régulateur de tension à découpage de marque originale En-Series

Module de régulateur de tension à découpage de marque originale En-Series

0,50-1,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Transistor Mosfet de puissance Irfp460pbf Irfp460 Irfp 460 Irfp250mpbf Irfp250m Irfp250 Irfp260npbf Irfp260n Irfp260

Transistor Mosfet de puissance Irfp460pbf Irfp460 Irfp 460 Irfp250mpbf Irfp250m Irfp250 Irfp260npbf Irfp260n Irfp260

0,20-0,60 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Chengdu Canmeng Trading Co., Ltd

Envoyer demande
2mbi600vn-120-50 Transistor Bipolaire à Grille Isolée - Plating Inverseurs de Puissance

2mbi600vn-120-50 Transistor Bipolaire à Grille Isolée - Plating Inverseurs de Puissance

10,00-20,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Module Transistor IGBT S-Emikron Original Neuf Skm50/75/100/150/300-Gal/GB12t4

Module Transistor IGBT S-Emikron Original Neuf Skm50/75/100/150/300-Gal/GB12t4

10,00-20,00 $US
1 Pièce(MOQ)
S-Emikron Skkd100/16 Skkd162/16 Skkd212/16 Transistor Thyristor Original Neuf

S-Emikron Skkd100/16 Skkd162/16 Skkd212/16 Transistor Thyristor Original Neuf

10,00-20,00 $US
1 Pièce(MOQ)
2mbi400vb-060-50 Transistor à haute tension - Haute puissance

2mbi400vb-060-50 Transistor à haute tension - Haute puissance

10,00-20,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

9 ans·5.0
·Société Commerciale
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Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

1,19-2,28 $US
600 Pièces(MOQ)
La diode Schottky pour 1A le droit de la SOD-123 B130B130b130loi loi-7-7

La diode Schottky pour 1A le droit de la SOD-123 B130B130b130loi loi-7-7

1,19-2,28 $US
100 Pièces(MOQ)
Diode de récupération ultra rapide personnalisée en usine Es1a

Diode de récupération ultra rapide personnalisée en usine Es1a

1,19-2,28 $US
100 Pièces(MOQ)
Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

1,19-2,28 $US
100 Pièces(MOQ)
1/4

Guangdong Global Well Electronic Limited

3 ans
Envoyer demande
Transistors de dépôt haute puissance en silicium original composant électronique

Transistors de dépôt haute puissance en silicium original composant électronique

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
Composants électroniques transistors pour circuits intégrés et modules semi-conducteurs

Composants électroniques transistors pour circuits intégrés et modules semi-conducteurs

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
Transistors2sc5200 Kit de test de Mosfets Transistors

Transistors2sc5200 Kit de test de Mosfets Transistors

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
B772equivalent Codes SMD Transistors

B772equivalent Codes SMD Transistors

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
1/4

Beijing Jingbei Components Co., Ltd.

13 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
Envoyer demande
B772 Réseau de Transistors Bipolaires (BJT) Réseaux de Transistors Bipolaires

B772 Réseau de Transistors Bipolaires (BJT) Réseaux de Transistors Bipolaires

0,01-0,03 $US
1 Pièce(MOQ)
Ao3400A Transistor à effet de champ N-Canal 30 V 5.7A (Ta) 1.4W (Ta) Montage en surface Sot-23-3

Ao3400A Transistor à effet de champ N-Canal 30 V 5.7A (Ta) 1.4W (Ta) Montage en surface Sot-23-3

0,59-0,61 $US
1 Pièce(MOQ)
2sc3356 Transistor RF NPN 12V 100mA 7GHz 200MW Montage en surface Sot-23-3

2sc3356 Transistor RF NPN 12V 100mA 7GHz 200MW Montage en surface Sot-23-3

0,01-0,03 $US
1 Pièce(MOQ)
S8550 Transistor Bipolaire (BJT) PNP 25 V 500 Ma 150MHz 300 MW Montage en Surface Sot-23

S8550 Transistor Bipolaire (BJT) PNP 25 V 500 Ma 150MHz 300 MW Montage en Surface Sot-23

0,01-0,03 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
Envoyer demande
40A 650V Transistor Bipolaire à Grille Isolée Trenchstop G40t65lbbn to-3pn

40A 650V Transistor Bipolaire à Grille Isolée Trenchstop G40t65lbbn to-3pn

0,22 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Transistor en silicium épitaxial NPN Bu406 to-220c

Transistor en silicium épitaxial NPN Bu406 to-220c

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Transistor NPN en silicium à triple diffusion 5200 to-3pl **% de réduction

Transistor NPN en silicium à triple diffusion 5200 to-3pl **% de réduction

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Amplificateur de basse fréquence coque transistor bipolaire NPN évalué D882 to-126

Amplificateur de basse fréquence coque transistor bipolaire NPN évalué D882 to-126

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Sinosky Electronics Co., Ltd.

9 ans·5.0
·Société Commerciale
Envoyer demande
Nouveaux composants électroniques originaux transistor à semi-conducteur discret Bla9h0912L-1200p

Nouveaux composants électroniques originaux transistor à semi-conducteur discret Bla9h0912L-1200p

437,62 $US
10 Pièces(MOQ)
Nouveau composant électronique à semi-conducteur transistor Bt139b-600e

Nouveau composant électronique à semi-conducteur transistor Bt139b-600e

0,18-0,35 $US
10 Pièces(MOQ)
Nouveaux composants électroniques originaux, circuits intégrés, puces semi-conductrices, transistors Mosfets Sum70040e-Ge3

Nouveaux composants électroniques originaux, circuits intégrés, puces semi-conductrices, transistors Mosfets Sum70040e-Ge3

0,75-1,25 $US
10 Pièces(MOQ)
Nouveaux composants électroniques à semi-conducteurs transistor Mosfet Irfr5305trpbf Irfz24

Nouveaux composants électroniques à semi-conducteurs transistor Mosfet Irfr5305trpbf Irfz24

0,13-0,26 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.

20 ans·5.0
·Société Commerciale
Envoyer demande
Mmbt3904 Transistors encapsulés en plastique NPN

Mmbt3904 Transistors encapsulés en plastique NPN

0,0034-0,0035 $US
21 000 Pièces(MOQ)
Transistor Mosfet P-Channel fiable Ao4435 -30V pour une gestion efficace de l'énergie

Transistor Mosfet P-Channel fiable Ao4435 -30V pour une gestion efficace de l'énergie

0,05 $US
20 000 Pièces(MOQ)
2301 Transistor 20V Mosfet P-Canal

2301 Transistor 20V Mosfet P-Canal

0,006 $US
30 000 Pièces(MOQ)
Sot-23 100V Mosfet 3n10I pour une performance et une fiabilité de circuit améliorées

Sot-23 100V Mosfet 3n10I pour une performance et une fiabilité de circuit améliorées

0,0105 $US
42 000 Pièces(MOQ)
1/4

CY Wireless Technology Limited

Envoyer demande
Cyn2803 Transistors Darlington à courant élevé intégrés originaux

Cyn2803 Transistors Darlington à courant élevé intégrés originaux

0,086-0,15 $US
50 Pièces(MOQ)
Cy73xx-a Régulateurs de tension Ldo 15V Tension d'entrée Sot23 Transistor

Cy73xx-a Régulateurs de tension Ldo 15V Tension d'entrée Sot23 Transistor

0,035-0,058 $US
50 Pièces(MOQ)
Cyp1842 Compteur d'énergie monophasé avec calibration d'horloge intégrée gratuite et oscillateur intégré

Cyp1842 Compteur d'énergie monophasé avec calibration d'horloge intégrée gratuite et oscillateur intégré

0,223-0,389 $US
50 Pièces(MOQ)
Cyn2003 Vente Chaude Circuits Intégrés Transistor Composants Électroniques MCU

Cyn2003 Vente Chaude Circuits Intégrés Transistor Composants Électroniques MCU

0,09-0,12 $US
50 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Xinjiaye Electronics Technology Co., Ltd.

Envoyer demande
Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Manchon d'isolation en silicone thermique conducteur pour to-220 / to-3p transistor de puissance Mosfet IGBT

Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Manchon d'isolation en silicone thermique conducteur pour to-220 / to-3p transistor de puissance Mosfet IGBT

0,02 $US
1 Pièce(MOQ)
Liste d'éléments pour composants électroniques, circuits intégrés, condensateurs, résistances, connecteurs, transistors de puissance, modules sans fil et IoT, cristal, etc

Liste d'éléments pour composants électroniques, circuits intégrés, condensateurs, résistances, connecteurs, transistors de puissance, modules sans fil et IoT, cristal, etc

0,005 $US
1 Pièce(MOQ)
Achetez en ligne des composants électroniques originaux 2sc5200/2SA1943 amplificateur audio C5200 A1943 to-3pl circuits intégrés

Achetez en ligne des composants électroniques originaux 2sc5200/2SA1943 amplificateur audio C5200 A1943 to-3pl circuits intégrés

Négociable
1 Pièce(MOQ)
2sc5200 Amplificateur audio à transistor NPN haute puissance de qualité Bjt

2sc5200 Amplificateur audio à transistor NPN haute puissance de qualité Bjt

0,03 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Emi International (Hk) Co. Ltd

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Transistor à puissance pulsée radar Macom pH3135-65m 65W, 3.1-3.5 GHz

Transistor à puissance pulsée radar Macom pH3135-65m 65W, 3.1-3.5 GHz

250,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Chips IC de haute qualité Imx174llj-C Imx174lqj-C Sony

Chips IC de haute qualité Imx174llj-C Imx174lqj-C Sony

0,01-100,00 $US
2 Pièces(MOQ)
Texte Original Nouveau Fdn335 Transistor Sot-23-3 Fdn335n Circuit Intégré Puce IC en Stock

Texte Original Nouveau Fdn335 Transistor Sot-23-3 Fdn335n Circuit Intégré Puce IC en Stock

0,69-2,69 $US
1 Pièce(MOQ)
Nouveaux microcontrôleurs composants électroniques électronique transistor W25q256fveig emballage d'origine

Nouveaux microcontrôleurs composants électroniques électronique transistor W25q256fveig emballage d'origine

0,10-0,90 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

2 ans
·Société Commerciale
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1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

12,11 $US
10 Pièces(MOQ)
1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

0,78 $US
10 Pièces(MOQ)
1200 V, 69 a, [Bcz120n32W1], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

1200 V, 69 a, [Bcz120n32W1], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

2,87 $US
10 Pièces(MOQ)
650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Transistor Mosfet à Super Jonction à Haute Efficacité

650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Transistor Mosfet à Super Jonction à Haute Efficacité

1,05 $US
10 Pièces(MOQ)
1/1

Jiangsu Zhongxin Semiconductor Co., Ltd.

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680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 Mosfet de puissance avancé N-Channel

680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 Mosfet de puissance avancé N-Channel

0,083 $US
1 000 Pièces(MOQ)
4n60 Transistors de qualité originale Mosfet To220/220f/252/263

4n60 Transistors de qualité originale Mosfet To220/220f/252/263

0,035 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Zg Mosfet 5N60 600V 2.8A d220f 5N60

Zg Mosfet 5N60 600V 2.8A d220f 5N60

0,039 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Nouvelle Originale to-220f 7A 680V Transistor Mosfet N-Canal 7n65

Nouvelle Originale to-220f 7A 680V Transistor Mosfet N-Canal 7n65

0,041 $US
1 000 Pièces(MOQ)
1/4

Beijing Jenerator Electronic Co.,Ltd

18 ans·5.0
·Société Commerciale
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Transistor céramique métallique fiable 3cx2500h3 triode de puissance pour applications radiofréquence (3CX2500F3, 3CX3000A7)

Transistor céramique métallique fiable 3cx2500h3 triode de puissance pour applications radiofréquence (3CX2500F3, 3CX3000A7)

500,00-900,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Triode de puissance à refroidissement par air 3cx10000A7 lanceur en céramique métallique de haute qualité équivalent à Eimac 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

Triode de puissance à refroidissement par air 3cx10000A7 lanceur en céramique métallique de haute qualité équivalent à Eimac 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

1 300,00-1 700,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Tube oscillateur en céramique métallique à triode à refroidissement par air de haute qualité équivalent à la triode Eimac 3cx10000A7 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

Tube oscillateur en céramique métallique à triode à refroidissement par air de haute qualité équivalent à la triode Eimac 3cx10000A7 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

1 300,00-1 700,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Triode de puissance en céramique métallique refroidie par air de haute qualité 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

Triode de puissance en céramique métallique refroidie par air de haute qualité 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

1 300,00-1 700,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shen Zhen JYD Electronics Co., Ltd

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Tpw1500cnh 10V Transistor Mosfet de commande de porte

Tpw1500cnh 10V Transistor Mosfet de commande de porte

0,18-1,80 $US
10 Pièces(MOQ)
Nouveaux et originaux transistors bipolaires NPN 25V 0.5A Sot-23 S8050

Nouveaux et originaux transistors bipolaires NPN 25V 0.5A Sot-23 S8050

0,18-1,80 $US
10 Pièces(MOQ)
Puce IC nouveau et original DW01 DW01V SOT23-6 pour la protection de la batterie au lithium puce IC

Puce IC nouveau et original DW01 DW01V SOT23-6 pour la protection de la batterie au lithium puce IC

0,18-1,80 $US
10 Pièces(MOQ)
Module IGBT de puissance original nouveau FF200r12kt4 IGBT 62mm 1200V 200A

Module IGBT de puissance original nouveau FF200r12kt4 IGBT 62mm 1200V 200A

68,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Antel Electronics (Shanghai) Co., Ltd.

24 ans
·Fabricant/Usine
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Transistor Amplificateur Toshiba 2SA1943 2sc5200 Tta1943 Ttc5200 2SA1941 2sc5198

Transistor Amplificateur Toshiba 2SA1943 2sc5200 Tta1943 Ttc5200 2SA1941 2sc5198

0,50-0,55 $US
1 000 Pièces(MOQ)
2SA1943 2SC5200 TTA1943 TTA5200 2SA1941 2SC5198 amplificateur audio Toshiba Transistor

2SA1943 2SC5200 TTA1943 TTA5200 2SA1941 2SC5198 amplificateur audio Toshiba Transistor

0,11-0,15 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Diode redresseuse de haute qualité 40HF120 40HFR120

Diode redresseuse de haute qualité 40HF120 40HFR120

0,951-0,955 $US
500 Pièces(MOQ)
Spirale de diode redresseuse pour chargement de batterie 70HFR120/70HF120

Spirale de diode redresseuse pour chargement de batterie 70HFR120/70HF120

1,016-1,02 $US
500 Pièces(MOQ)
1/4

Shanghai Huakun Electrical Company Ltd.

23 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
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Facteur de correction de puissance, banque de condensateurs, thyristors, diodes électriques industrielles, intégration de transistors, triphasé 50kvar P7/P14 rapport de réactance

Facteur de correction de puissance, banque de condensateurs, thyristors, diodes électriques industrielles, intégration de transistors, triphasé 50kvar P7/P14 rapport de réactance

200,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Hangzhou Electric Driving Technology Co., Ltd.

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Nouveaux et originaux composants électroniques IC transistor de puissance 2n3055

Nouveaux et originaux composants électroniques IC transistor de puissance 2n3055

Négociable
500 Pièces(MOQ)
1/4
143
Produits Populaires
Périphérique D'alimentation
L'équipement D'alimentation
Tubes Électroniques
Stockage D'énergie
Module Laser
Instrument De Puissance
Module De Commande
Distribution De L'alimentation Électrique
Fabricants & Fournisseur Associés
Usine De Power Semiconductor
Usine De Le Transistor
Usine De Transistor De Puissance Élevée
Usine De Transistor De Puissance Moyenne
Fabricants De Projecteur Led Haute Puissance
Fabricants De Diode Redresseuse
Fabricants De Redresseur En Pont
Fabricants De Laser De Puissance
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