Accueil Électricité & Électronique Triode La centrale de Darlington transistor de puissance 2024 Liste de Produits

La centrale de Darlington transistor de puissance

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

1/ 6

Collection

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

0,23-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: MOSPEC

Transistor de puissance NPN Darlington Bd681g Bd681 to-126 original

Transistor de puissance NPN Darlington Bd681g Bd681 to-126 original

Transistor de puissance NPN Darlington Bd681g Bd681 to-126 original

Transistor de puissance NPN Darlington Bd681g Bd681 to-126 original

Transistor de puissance NPN Darlington Bd681g Bd681 to-126 original

Transistor de puissance NPN Darlington Bd681g Bd681 to-126 original

1/ 6

Collection

Transistor de puissance NPN Darlington Bd681g Bd681 to-126 original

0,05-0,066 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: N/a

Standard: N/A

Marque Déposée: N/A

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

1/ 6

Collection

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

0,496 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Intensité lumineuse: Standard

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Marque Déposée: Merryelc

Bdx53 à-220 Bdx53c Silicon Power Transistors Darlington complémentaires

Bdx53 à-220 Bdx53c Silicon Power Transistors Darlington complémentaires

Bdx53 à-220 Bdx53c Silicon Power Transistors Darlington complémentaires

Bdx53 à-220 Bdx53c Silicon Power Transistors Darlington complémentaires

Bdx53 à-220 Bdx53c Silicon Power Transistors Darlington complémentaires

Bdx53 à-220 Bdx53c Silicon Power Transistors Darlington complémentaires

1/ 6

Collection

Bdx53 à-220 Bdx53c Silicon Power Transistors Darlington complémentaires

0,1-0,15 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fréquence de travail: Overclocking

Structure: La diffusion

Encapsulation Structure: Chip Transistor

1/ 4

Collection

Original et nouveau Transistor Darlington de puissance BD677, BD677A, BD678, BD678A, BD679, BD679A

0,1-0,5 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

1/ 6

Collection

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

4,3-10,6 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: Plug-in Triode

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

1/ 6

Collection

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

0,36 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Emballage: /

Le SMD Mjd122g complémentaires Darlington transistor de puissance

Le SMD Mjd122g complémentaires Darlington transistor de puissance

Le SMD Mjd122g complémentaires Darlington transistor de puissance

Le SMD Mjd122g complémentaires Darlington transistor de puissance

Le SMD Mjd122g complémentaires Darlington transistor de puissance

Le SMD Mjd122g complémentaires Darlington transistor de puissance

1/ 6

Collection

Le SMD Mjd122g complémentaires Darlington transistor de puissance

0,21-0,69 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Installation: SMD Triode

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode

Emballage: Carton

Standard: Plastic and copper

Transistor Darlington complémentaire Silicon Power Tip105

Transistor Darlington complémentaire Silicon Power Tip105

Transistor Darlington complémentaire Silicon Power Tip105

Transistor Darlington complémentaire Silicon Power Tip105

Transistor Darlington complémentaire Silicon Power Tip105

Transistor Darlington complémentaire Silicon Power Tip105

1/ 6

Collection

Transistor Darlington complémentaire Silicon Power Tip105

0,57-1,03 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fréquence de travail: Haute fréquence

Structure: Planar

Encapsulation Structure: Chip Transistor

B1592-R 2sb1592-R (TA) + transistor de puissance Darlington PNP au silicium 3 a/25 V.

B1592-R 2sb1592-R (TA) + transistor de puissance Darlington PNP au silicium 3 a/25 V.

B1592-R 2sb1592-R (TA) + transistor de puissance Darlington PNP au silicium 3 a/25 V.

B1592-R 2sb1592-R (TA) + transistor de puissance Darlington PNP au silicium 3 a/25 V.

B1592-R 2sb1592-R (TA) + transistor de puissance Darlington PNP au silicium 3 a/25 V.

B1592-R 2sb1592-R (TA) + transistor de puissance Darlington PNP au silicium 3 a/25 V.

1/ 6

Collection

B1592-R 2sb1592-R (TA) + transistor de puissance Darlington PNP au silicium 3 a/25 V.

0,8-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Mpsa63 à-92 Transistors Darlington Triode de puissance PNP

Mpsa63 à-92 Transistors Darlington Triode de puissance PNP

Mpsa63 à-92 Transistors Darlington Triode de puissance PNP

Mpsa63 à-92 Transistors Darlington Triode de puissance PNP

Mpsa63 à-92 Transistors Darlington Triode de puissance PNP

Mpsa63 à-92 Transistors Darlington Triode de puissance PNP

1/ 6

Collection

Mpsa63 à-92 Transistors Darlington Triode de puissance PNP

0,11-0,14 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fréquence de travail: Haute fréquence

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Niveau d'énergie: Haute puissance

Marque Déposée: CHN

Transistor de puissance Darlington NPN Astuce122 100V 5A 65W-220

Transistor de puissance Darlington NPN Astuce122 100V 5A 65W-220

Transistor de puissance Darlington NPN Astuce122 100V 5A 65W-220

Transistor de puissance Darlington NPN Astuce122 100V 5A 65W-220

Transistor de puissance Darlington NPN Astuce122 100V 5A 65W-220

Transistor de puissance Darlington NPN Astuce122 100V 5A 65W-220

1/ 6

Collection

Transistor de puissance Darlington NPN Astuce122 100V 5A 65W-220

0,02-0,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: La diffusion

Encapsulation Structure: Verre Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

1/ 2

Collection

Transistor de puissance Darlington NPN Astuce142

0,42 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Origine: China

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

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Collection

Le CYN2803 Sortie du circuit intégré Original IC High-Current Transistor Darlington Arrays haute tension

0,086-0,15 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

CY Wireless Technology Limited

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Emballage: Cartons

Standard: NA

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

0,36-0,45 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

0,38-0,5 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

0,63-0,7 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

0,63-0,7 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

D'ULN2803SGA Transistor bipolaire (BJT) Tableau 8 NPN 50V 500mA 1,47W LSN2803 LSN2803A

D'ULN2803SGA Transistor bipolaire (BJT) Tableau 8 NPN 50V 500mA 1,47W LSN2803 LSN2803A

D'ULN2803SGA Transistor bipolaire (BJT) Tableau 8 NPN 50V 500mA 1,47W LSN2803 LSN2803A

D'ULN2803SGA Transistor bipolaire (BJT) Tableau 8 NPN 50V 500mA 1,47W LSN2803 LSN2803A

D'ULN2803SGA Transistor bipolaire (BJT) Tableau 8 NPN 50V 500mA 1,47W LSN2803 LSN2803A

D'ULN2803SGA Transistor bipolaire (BJT) Tableau 8 NPN 50V 500mA 1,47W LSN2803 LSN2803A

1/ 6

Collection

D'ULN2803SGA Transistor bipolaire (BJT) Tableau 8 NPN 50V 500mA 1,47W LSN2803 LSN2803A

0,06 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

1/ 6

Collection

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

1/ 6

Collection

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

1/ 6

Collection

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Igw15t120fksa1 Composants Transistor Igw15n120h3 Igw100N60H3 à-247-3

Igw15t120fksa1 Composants Transistor Igw15n120h3 Igw100N60H3 à-247-3

Igw15t120fksa1 Composants Transistor Igw15n120h3 Igw100N60H3 à-247-3

Igw15t120fksa1 Composants Transistor Igw15n120h3 Igw100N60H3 à-247-3

Igw15t120fksa1 Composants Transistor Igw15n120h3 Igw100N60H3 à-247-3

Igw15t120fksa1 Composants Transistor Igw15n120h3 Igw100N60H3 à-247-3

1/ 6

Collection

Igw15t120fksa1 Composants Transistor Igw15n120h3 Igw100N60H3 à-247-3

0,0001-0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

1/ 6

Collection

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

1/ 6

Collection

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

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0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Original Bdx Bdx53c54c Bdx Bdx54b53b en stock Bdx53 Bdx54 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100V 8A 60W liste BOM

Original Bdx Bdx53c54c Bdx Bdx54b53b en stock Bdx53 Bdx54 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100V 8A 60W liste BOM

Original Bdx Bdx53c54c Bdx Bdx54b53b en stock Bdx53 Bdx54 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100V 8A 60W liste BOM

Original Bdx Bdx53c54c Bdx Bdx54b53b en stock Bdx53 Bdx54 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100V 8A 60W liste BOM

Original Bdx Bdx53c54c Bdx Bdx54b53b en stock Bdx53 Bdx54 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100V 8A 60W liste BOM

Original Bdx Bdx53c54c Bdx Bdx54b53b en stock Bdx53 Bdx54 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100V 8A 60W liste BOM

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Original Bdx Bdx53c54c Bdx Bdx54b53b en stock Bdx53 Bdx54 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100V 8A 60W liste BOM

0,2 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Standard

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

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Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

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Structure: NPN

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