Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistors à effet de champ 2024 Liste de Produits

Transistors à effet de champ

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Transistor original Irf7316trpbf 30V 4.9A 58mΩ @10V, 4.9A 2W 2 canaux P SOP-8 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irf7316trpbf 30V 4.9A 58mΩ @10V, 4.9A 2W 2 canaux P SOP-8 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irf7316trpbf 30V 4.9A 58mΩ @10V, 4.9A 2W 2 canaux P SOP-8 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irf7316trpbf 30V 4.9A 58mΩ @10V, 4.9A 2W 2 canaux P SOP-8 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irf7316trpbf 30V 4.9A 58mΩ @10V, 4.9A 2W 2 canaux P SOP-8 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irf7316trpbf 30V 4.9A 58mΩ @10V, 4.9A 2W 2 canaux P SOP-8 MOSFET RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Irf7316trpbf 30V 4.9A 58mΩ @10V, 4.9A 2W 2 canaux P SOP-8 MOSFET RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

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Collection

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

0,9-1,78 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Woven

Standard: DIP

Marque Déposée: Original

Mode d'amélioration canal N sensibilité à l'humidité sans halogène pour transistor à effet de champ Niveau 1 PDFN5060-8L applications de futures YJGD20G10BQ

Mode d'amélioration canal N sensibilité à l'humidité sans halogène pour transistor à effet de champ Niveau 1 PDFN5060-8L applications de futures YJGD20G10BQ

Mode d'amélioration canal N sensibilité à l'humidité sans halogène pour transistor à effet de champ Niveau 1 PDFN5060-8L applications de futures YJGD20G10BQ

Mode d'amélioration canal N sensibilité à l'humidité sans halogène pour transistor à effet de champ Niveau 1 PDFN5060-8L applications de futures YJGD20G10BQ

Mode d'amélioration canal N sensibilité à l'humidité sans halogène pour transistor à effet de champ Niveau 1 PDFN5060-8L applications de futures YJGD20G10BQ

Mode d'amélioration canal N sensibilité à l'humidité sans halogène pour transistor à effet de champ Niveau 1 PDFN5060-8L applications de futures YJGD20G10BQ

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration canal N sensibilité à l'humidité sans halogène pour transistor à effet de champ Niveau 1 PDFN5060-8L applications de futures YJGD20G10BQ

0,88 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Transistor original Irfr9024ntrpbf 55V 11A 175 mΩ @ 10V, 6,6 a 38 W Canal P to-252-2 (DPAK) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfr9024ntrpbf 55V 11A 175 mΩ @ 10V, 6,6 a 38 W Canal P to-252-2 (DPAK) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfr9024ntrpbf 55V 11A 175 mΩ @ 10V, 6,6 a 38 W Canal P to-252-2 (DPAK) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfr9024ntrpbf 55V 11A 175 mΩ @ 10V, 6,6 a 38 W Canal P to-252-2 (DPAK) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfr9024ntrpbf 55V 11A 175 mΩ @ 10V, 6,6 a 38 W Canal P to-252-2 (DPAK) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfr9024ntrpbf 55V 11A 175 mΩ @ 10V, 6,6 a 38 W Canal P to-252-2 (DPAK) MOSFET RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Irfr9024ntrpbf 55V 11A 175 mΩ @ 10V, 6,6 a 38 W Canal P to-252-2 (DPAK) MOSFET RoHS BOM Service

0,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Dissipation DFN3333-8L applications des engrais YJQ20N04AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Dissipation DFN3333-8L applications des engrais YJQ20N04AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Dissipation DFN3333-8L applications des engrais YJQ20N04AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Dissipation DFN3333-8L applications des engrais YJQ20N04AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Dissipation DFN3333-8L applications des engrais YJQ20N04AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Dissipation DFN3333-8L applications des engrais YJQ20N04AQ

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Collection

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Dissipation DFN3333-8L applications des engrais YJQ20N04AQ

0,81 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Transistors MOSFET Irfb4020pbf Irfb4020 N-CH 200V 18A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

Transistors MOSFET Irfb4020pbf Irfb4020 N-CH 200V 18A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

Transistors MOSFET Irfb4020pbf Irfb4020 N-CH 200V 18A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

Transistors MOSFET Irfb4020pbf Irfb4020 N-CH 200V 18A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

Transistors MOSFET Irfb4020pbf Irfb4020 N-CH 200V 18A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

Transistors MOSFET Irfb4020pbf Irfb4020 N-CH 200V 18A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

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Collection

Transistors MOSFET Irfb4020pbf Irfb4020 N-CH 200V 18A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

0,7-1,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Standard: DIP/SMT

Marque Déposée: Original

Transistor à effet de champ à double canal N CEP38N65S

Transistor à effet de champ à double canal N CEP38N65S

Transistor à effet de champ à double canal N CEP38N65S

Transistor à effet de champ à double canal N CEP38N65S

Transistor à effet de champ à double canal N CEP38N65S

Transistor à effet de champ à double canal N CEP38N65S

1/ 6

Collection

Transistor à effet de champ à double canal N CEP38N65S

2,00-5,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Origine: Guangdong, China

Transistor original Irf9956trpbf 30V 3.5A 2W 100mΩ @10V, 2.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal N RoHS BOM Service

Transistor original Irf9956trpbf 30V 3.5A 2W 100mΩ @10V, 2.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal N RoHS BOM Service

Transistor original Irf9956trpbf 30V 3.5A 2W 100mΩ @10V, 2.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal N RoHS BOM Service

Transistor original Irf9956trpbf 30V 3.5A 2W 100mΩ @10V, 2.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal N RoHS BOM Service

Transistor original Irf9956trpbf 30V 3.5A 2W 100mΩ @10V, 2.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal N RoHS BOM Service

Transistor original Irf9956trpbf 30V 3.5A 2W 100mΩ @10V, 2.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal N RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Irf9956trpbf 30V 3.5A 2W 100mΩ @10V, 2.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal N RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

2SJ182s -60V/-3A/P-canal/à-252 Package transistor à effet de champ tube MOS

2SJ182s -60V/-3A/P-canal/à-252 Package transistor à effet de champ tube MOS

2SJ182s -60V/-3A/P-canal/à-252 Package transistor à effet de champ tube MOS

2SJ182s -60V/-3A/P-canal/à-252 Package transistor à effet de champ tube MOS

2SJ182s -60V/-3A/P-canal/à-252 Package transistor à effet de champ tube MOS

2SJ182s -60V/-3A/P-canal/à-252 Package transistor à effet de champ tube MOS

1/ 6

Collection

2SJ182s -60V/-3A/P-canal/à-252 Package transistor à effet de champ tube MOS

1,11-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: Appartement

Technique: Thick Film IC

Emballage: Tube

Standard: iron and plastic

Origine: Chn

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-363 Applications de Fetures 2N7002KDDWQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-363 Applications de Fetures 2N7002KDDWQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-363 Applications de Fetures 2N7002KDDWQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-363 Applications de Fetures 2N7002KDDWQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-363 Applications de Fetures 2N7002KDDWQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-363 Applications de Fetures 2N7002KDDWQ

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-363 Applications de Fetures 2N7002KDDWQ

0,18-1,31 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Origine: Guangdong, China

Capacité de Production: 10000 Pieces/Day

Transistor original Bsc034n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc034n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc034n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc034n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc034n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc034n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Bsc034n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD80G06CQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD80G06CQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD80G06CQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD80G06CQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD80G06CQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD80G06CQ

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD80G06CQ

0,13-1,26 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Origine: Guangdong, China

Transistors originaux MOSFET Irfz34n N-CH 55V 29A TO220AB Irfz34npbf BOM SERVICE CMS PCB PCBA

Transistors originaux MOSFET Irfz34n N-CH 55V 29A TO220AB Irfz34npbf BOM SERVICE CMS PCB PCBA

Transistors originaux MOSFET Irfz34n N-CH 55V 29A TO220AB Irfz34npbf BOM SERVICE CMS PCB PCBA

Transistors originaux MOSFET Irfz34n N-CH 55V 29A TO220AB Irfz34npbf BOM SERVICE CMS PCB PCBA

Transistors originaux MOSFET Irfz34n N-CH 55V 29A TO220AB Irfz34npbf BOM SERVICE CMS PCB PCBA

Transistors originaux MOSFET Irfz34n N-CH 55V 29A TO220AB Irfz34npbf BOM SERVICE CMS PCB PCBA

1/ 6

Collection

Transistors originaux MOSFET Irfz34n N-CH 55V 29A TO220AB Irfz34npbf BOM SERVICE CMS PCB PCBA

0,25-0,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Standard: DIP/SMT

Marque Déposée: Original

Mode d'amélioration du canal P transistor à effet de champ RDS(ON) faible porte Charger les applications de futures SOT-323 YJL2101WQ

Mode d'amélioration du canal P transistor à effet de champ RDS(ON) faible porte Charger les applications de futures SOT-323 YJL2101WQ

Mode d'amélioration du canal P transistor à effet de champ RDS(ON) faible porte Charger les applications de futures SOT-323 YJL2101WQ

Mode d'amélioration du canal P transistor à effet de champ RDS(ON) faible porte Charger les applications de futures SOT-323 YJL2101WQ

Mode d'amélioration du canal P transistor à effet de champ RDS(ON) faible porte Charger les applications de futures SOT-323 YJL2101WQ

Mode d'amélioration du canal P transistor à effet de champ RDS(ON) faible porte Charger les applications de futures SOT-323 YJL2101WQ

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration du canal P transistor à effet de champ RDS(ON) faible porte Charger les applications de futures SOT-323 YJL2101WQ

0,86 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Transistor original Ipd70r600p7s 700V 8,5A 43,1W 600mΩ @10V, 1,8A MOSFET to-252-3 canal N RoHS

Transistor original Ipd70r600p7s 700V 8,5A 43,1W 600mΩ @10V, 1,8A MOSFET to-252-3 canal N RoHS

Transistor original Ipd70r600p7s 700V 8,5A 43,1W 600mΩ @10V, 1,8A MOSFET to-252-3 canal N RoHS

Transistor original Ipd70r600p7s 700V 8,5A 43,1W 600mΩ @10V, 1,8A MOSFET to-252-3 canal N RoHS

Transistor original Ipd70r600p7s 700V 8,5A 43,1W 600mΩ @10V, 1,8A MOSFET to-252-3 canal N RoHS

Transistor original Ipd70r600p7s 700V 8,5A 43,1W 600mΩ @10V, 1,8A MOSFET to-252-3 canal N RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original Ipd70r600p7s 700V 8,5A 43,1W 600mΩ @10V, 1,8A MOSFET to-252-3 canal N RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

1/ 6

Collection

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

1 Pièce (MOQ)

Hangzhou Electric Driving Technology Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Carton Box

Standard: 22x17

Marque Déposée: EDT

1/ 3

Collection

Mode d'amélioration de transistor à effet de champ G33N03D3 30V 33A Dfn3.3*3.3

0,065-0,078 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

LED Contrôleur Flikerless 5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ actif

LED Contrôleur Flikerless 5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ actif

LED Contrôleur Flikerless 5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ actif

LED Contrôleur Flikerless 5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ actif

LED Contrôleur Flikerless 5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ actif

1/ 5

Collection

LED Contrôleur Flikerless 5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ actif

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

1/ 6

Collection

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Emballage: Carton

Standard: TO-252 package

Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

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Collection

Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

0,001-9,99 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Standard: SOP-8 package

Marque Déposée: GOFORD

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

1/ 6

Collection

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

0,115-0,135 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

1/ 6

Collection

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

0,06-0,08 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Transistor à effet de champ Ipw60R190c6 haute puissance

Transistor à effet de champ Ipw60R190c6 haute puissance

Transistor à effet de champ Ipw60R190c6 haute puissance

Transistor à effet de champ Ipw60R190c6 haute puissance

Transistor à effet de champ Ipw60R190c6 haute puissance

Transistor à effet de champ Ipw60R190c6 haute puissance

1/ 6

Collection

Transistor à effet de champ Ipw60R190c6 haute puissance

0,42-1,3 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de FDS9435un 9435A

Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de FDS9435un 9435A

Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de FDS9435un 9435A

Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de FDS9435un 9435A

Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de FDS9435un 9435A

Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de FDS9435un 9435A

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Collection

Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de FDS9435un 9435A

0,45 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

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certificat: RoHS

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode

Standard: Height: 1.75 mm Length: 4.9 mm

MOSFET de puissance JMTL2301C SOT-23 à mode d'amélioration de canal P.

MOSFET de puissance JMTL2301C SOT-23 à mode d'amélioration de canal P.

MOSFET de puissance JMTL2301C SOT-23 à mode d'amélioration de canal P.

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MOSFET de puissance JMTL2301C SOT-23 à mode d'amélioration de canal P.

MOSFET de puissance JMTL2301C SOT-23 à mode d'amélioration de canal P.

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Collection

MOSFET de puissance JMTL2301C SOT-23 à mode d'amélioration de canal P.

0,09-0,1 $US / Pièce

100 000 Pièces (MOQ)

Kunshan Huateng Electronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type P

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Box

Origine: China

40n60 Transistor IGBT 40n60 40n60 40N60npfd MOSFET

40n60 Transistor IGBT 40n60 40n60 40N60npfd MOSFET

40n60 Transistor IGBT 40n60 40n60 40N60npfd MOSFET

40n60 Transistor IGBT 40n60 40n60 40N60npfd MOSFET

40n60 Transistor IGBT 40n60 40n60 40N60npfd MOSFET

40n60 Transistor IGBT 40n60 40n60 40N60npfd MOSFET

1/ 6

Collection

40n60 Transistor IGBT 40n60 40n60 40N60npfd MOSFET

1,19-2,28 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Application: Produits électroniques

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: by Sea(Carton)

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Collection

Gaz de la technologie MOSFET aucun gaz Machine à souder MIG

120,00-168,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Shenzhen General Welder Technology Co., Ltd.

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refroidissement Way: Refroidissement Air

Gaz de protection: Gaz carbonique

Contrôle: Semi-automatique

Gamme de fréquences: Haute fréquence

Courant électrique: DC

Emballage: Standards Sea Carton or Customized

Fqp intérieur9n50c 9n50c 9a Effet de champ500V Inline à220 transistor NPN

Fqp intérieur9n50c 9n50c 9a Effet de champ500V Inline à220 transistor NPN

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Fqp intérieur9n50c 9n50c 9a Effet de champ500V Inline à220 transistor NPN

Fqp intérieur9n50c 9n50c 9a Effet de champ500V Inline à220 transistor NPN

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Collection

Fqp intérieur9n50c 9n50c 9a Effet de champ500V Inline à220 transistor NPN

0,8-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

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Collection

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

50 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Emballage: Tube &Box

Marque Déposée: International Rectifier

Origine: Make in China

Transistor 40n60 IGBT 40n60 MOSFET 40n60 MOSFET 40n60npfd électronique

Transistor 40n60 IGBT 40n60 MOSFET 40n60 MOSFET 40n60npfd électronique

Transistor 40n60 IGBT 40n60 MOSFET 40n60 MOSFET 40n60npfd électronique

Transistor 40n60 IGBT 40n60 MOSFET 40n60 MOSFET 40n60npfd électronique

Transistor 40n60 IGBT 40n60 MOSFET 40n60 MOSFET 40n60npfd électronique

Transistor 40n60 IGBT 40n60 MOSFET 40n60 MOSFET 40n60npfd électronique

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Collection

Transistor 40n60 IGBT 40n60 MOSFET 40n60 MOSFET 40n60npfd électronique

1,19-2,28 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Application: Produits électroniques

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: by Sea(Carton)

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Fonction

Matériel

Encapsulation Structure

Structure

Traitement du Signal

Paquet

Matériel

Manufacturing Technology

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Fréquence de travail

Type

Forme

Méthode de refroidissement

Technique

forme

Conductive type

certificat

Fonction

Encapsulation Structure

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Niveau d'énergie

Fréquence de travail

Matériel

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