Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistors à effet de champ 2024 Liste de Produits

Transistors à effet de champ

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

1/ 6

Collection

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

0,71 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Transistor à effet de champ Cj3407 Sot-23 MOSFET encapsulé plastique à mode d'amélioration de canal P.

Transistor à effet de champ Cj3407 Sot-23 MOSFET encapsulé plastique à mode d'amélioration de canal P.

Transistor à effet de champ Cj3407 Sot-23 MOSFET encapsulé plastique à mode d'amélioration de canal P.

Transistor à effet de champ Cj3407 Sot-23 MOSFET encapsulé plastique à mode d'amélioration de canal P.

Transistor à effet de champ Cj3407 Sot-23 MOSFET encapsulé plastique à mode d'amélioration de canal P.

Transistor à effet de champ Cj3407 Sot-23 MOSFET encapsulé plastique à mode d'amélioration de canal P.

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Collection

Transistor à effet de champ Cj3407 Sot-23 MOSFET encapsulé plastique à mode d'amélioration de canal P.

0,0188-0,0213 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Dulcimer Technology Co., Ltd.

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Application: Produits électroniques

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Emballage: Cartons

Standard: SOT-23

Marque Déposée: For JSCJ

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

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Collection

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

0,0079-0,013 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Shenzhen Beryu Technology Electronics Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Emballage: 3000PCS

Marque Déposée: YANGJIE

Origine: Made in China

Code SH: 8542329000

LED de l'utilisation de l'atténuateur AO3422 La variante G03n06 60V 3un transistor à effet de champ de composant électronique MOSFET

LED de l'utilisation de l'atténuateur AO3422 La variante G03n06 60V 3un transistor à effet de champ de composant électronique MOSFET

LED de l'utilisation de l'atténuateur AO3422 La variante G03n06 60V 3un transistor à effet de champ de composant électronique MOSFET

LED de l'utilisation de l'atténuateur AO3422 La variante G03n06 60V 3un transistor à effet de champ de composant électronique MOSFET

LED de l'utilisation de l'atténuateur AO3422 La variante G03n06 60V 3un transistor à effet de champ de composant électronique MOSFET

LED de l'utilisation de l'atténuateur AO3422 La variante G03n06 60V 3un transistor à effet de champ de composant électronique MOSFET

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Collection

LED de l'utilisation de l'atténuateur AO3422 La variante G03n06 60V 3un transistor à effet de champ de composant électronique MOSFET

0,015-0,02 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Transistor de puissance G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A effet de champ canal P. MOSFET

Transistor de puissance G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A effet de champ canal P. MOSFET

Transistor de puissance G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A effet de champ canal P. MOSFET

Transistor de puissance G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A effet de champ canal P. MOSFET

Transistor de puissance G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A effet de champ canal P. MOSFET

Transistor de puissance G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A effet de champ canal P. MOSFET

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Collection

Transistor de puissance G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A effet de champ canal P. MOSFET

0,06-0,08 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

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Collection

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

0,38-0,45 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: 30V 4.2A

Marque Déposée: Vishay

Origine: Original

SGS conforme RoHS semidonductor MOSFET (Metal Oxide Field Effect Transistor) Fournisseur

SGS conforme RoHS semidonductor MOSFET (Metal Oxide Field Effect Transistor) Fournisseur

SGS conforme RoHS semidonductor MOSFET (Metal Oxide Field Effect Transistor) Fournisseur

SGS conforme RoHS semidonductor MOSFET (Metal Oxide Field Effect Transistor) Fournisseur

SGS conforme RoHS semidonductor MOSFET (Metal Oxide Field Effect Transistor) Fournisseur

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Collection

SGS conforme RoHS semidonductor MOSFET (Metal Oxide Field Effect Transistor) Fournisseur

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Standard: SOT-23-6

Marque Déposée: GOFORD

5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ pour les MOSFET Irfr220ntrlpbf

5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ pour les MOSFET Irfr220ntrlpbf

5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ pour les MOSFET Irfr220ntrlpbf

5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ pour les MOSFET Irfr220ntrlpbf

5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ pour les MOSFET Irfr220ntrlpbf

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Collection

5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ pour les MOSFET Irfr220ntrlpbf

0,074-0,099 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

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Collection

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

0,18-0,25 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: 3 V 21A, 3x3

Marque Déposée: Alpha & Omega Semiconductor

Origine: Original

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

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Collection

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

0,051-0,059 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Transistor MOSFET canal N à boîtier plastique 4 a 650 V TO-220 SVF4N65

Transistor MOSFET canal N à boîtier plastique 4 a 650 V TO-220 SVF4N65

Transistor MOSFET canal N à boîtier plastique 4 a 650 V TO-220 SVF4N65

Transistor MOSFET canal N à boîtier plastique 4 a 650 V TO-220 SVF4N65

Transistor MOSFET canal N à boîtier plastique 4 a 650 V TO-220 SVF4N65

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Collection

Transistor MOSFET canal N à boîtier plastique 4 a 650 V TO-220 SVF4N65

0,05-0,15 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

CTC Technology Co., Ltd.

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Emballage: Carton Box

Standard: 57*35*48

Marque Déposée: Silan

Origine: China

Code SH: 8542399000

Capacité de Production: 1000000000

Remplacement de Fdmc4435BZ MOSFET canal P -30V boîtier DFN pour mobile Recharge rapide

Remplacement de Fdmc4435BZ MOSFET canal P -30V boîtier DFN pour mobile Recharge rapide

Remplacement de Fdmc4435BZ MOSFET canal P -30V boîtier DFN pour mobile Recharge rapide

Remplacement de Fdmc4435BZ MOSFET canal P -30V boîtier DFN pour mobile Recharge rapide

Remplacement de Fdmc4435BZ MOSFET canal P -30V boîtier DFN pour mobile Recharge rapide

1/ 5

Collection

Remplacement de Fdmc4435BZ MOSFET canal P -30V boîtier DFN pour mobile Recharge rapide

0,001-0,06 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Emballage: Carton

Standard: DFN package

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

1/ 6

Collection

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

MOSFET AOD4185 P-CH 40 V 40 A TO252

MOSFET AOD4185 P-CH 40 V 40 A TO252

MOSFET AOD4185 P-CH 40 V 40 A TO252

MOSFET AOD4185 P-CH 40 V 40 A TO252

MOSFET AOD4185 P-CH 40 V 40 A TO252

MOSFET AOD4185 P-CH 40 V 40 A TO252

1/ 6

Collection

MOSFET AOD4185 P-CH 40 V 40 A TO252

0,05-200,00 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542390000

Capacité de Production: 1000000PCS

Transistors Si4435ddy-T1-Ge3 produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple

Transistors Si4435ddy-T1-Ge3 produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple

Transistors Si4435ddy-T1-Ge3 produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple

Transistors Si4435ddy-T1-Ge3 produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple

Transistors Si4435ddy-T1-Ge3 produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple

Transistors Si4435ddy-T1-Ge3 produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple

1/ 6

Collection

Transistors Si4435ddy-T1-Ge3 produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple

0,1-1,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Gawin Electronic Technology Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Carton

Standard: 1

Marque Déposée: 1

1/ 4

Collection

Technologie MOSFET à convertisseur CC durable à économie d'énergie pour machine de soudage

69,00-150,00 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Exlentech Welding Equipments Co., Ltd.

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refroidissement Way: Refroidissement Air

style: Portable

Gamme de fréquences: Haute fréquence

Courant électrique: DC

Formulaire de travail: Un corps

Type: Metal-Arc Manuel Soudeur

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

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Collection

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

0,035 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Zhongxin Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

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Collection

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

800,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Sanway Audio Equipment Co., Ltd.

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Type: Amplificateur professionnel

Usage: AV

Utilisé Pour: Professionnel

Type de tube: Amplificateur à Transistor

Fonction: Amplificateur Combiné

Channel Sound: 2.1

L'IRF9540npbf IRF9540 Package à220 original et nouveau MOSFET canal P

L'IRF9540npbf IRF9540 Package à220 original et nouveau MOSFET canal P

L'IRF9540npbf IRF9540 Package à220 original et nouveau MOSFET canal P

L'IRF9540npbf IRF9540 Package à220 original et nouveau MOSFET canal P

L'IRF9540npbf IRF9540 Package à220 original et nouveau MOSFET canal P

L'IRF9540npbf IRF9540 Package à220 original et nouveau MOSFET canal P

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Collection

L'IRF9540npbf IRF9540 Package à220 original et nouveau MOSFET canal P

0,196-0,203 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Hangzhou Electric Driving Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Emballage: Carton Box

Standard: 22x17

Marque Déposée: EDT

Origine: Zhejiang

Collection

11N80c3 Transistor de puissance élevée Spw11n80c3 à-247 MOS à effet de champ initial

0,46-1,45 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Niveau d'énergie: Haute puissance

Emballage: Carton

Standard: Length: 16.13 mm Width: 5.21 mm

Marque Déposée: Brand new original

Capacité de Production: 100000

1/ 2

Collection

Tk10A60D à canal N plasma à cristaux liquides du tube à effet de champ d'alimentation de l'interrupteur de puissance MOS Transistor en ligne IC

0,45-2,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Emballage: Carton

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

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Collection

Effet de champ Irlml6402trpbf MOSFET canal P -3.7-20V UN SOT-23

0,12-0,69 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Capacité de Production: 10000

Ao4459 4459 (tube) Effet de champ le MOSFET canal P8 SOP

Ao4459 4459 (tube) Effet de champ le MOSFET canal P8 SOP

Ao4459 4459 (tube) Effet de champ le MOSFET canal P8 SOP

Ao4459 4459 (tube) Effet de champ le MOSFET canal P8 SOP

Ao4459 4459 (tube) Effet de champ le MOSFET canal P8 SOP

Ao4459 4459 (tube) Effet de champ le MOSFET canal P8 SOP

1/ 6

Collection

Ao4459 4459 (tube) Effet de champ le MOSFET canal P8 SOP

0,09-0,1 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Emballage: /

Standard: /

Marque Déposée: /

Origine: /

1/ 4

Collection

L'IRF9540n P-canal Mosfet transistor à effet de champ

1,55 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Fonction: Puissance Triode

Matériel: Silicium

Standard: Operating Temperature -55C ~ 150C (TJ)

Origine: China

Capacité de Production: 10000

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

1/ 6

Collection

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

25 000 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Transistor à effet de champ le MOSFET à canal N 650V39A Ipw65R110cfd 65F6110A

Transistor à effet de champ le MOSFET à canal N 650V39A Ipw65R110cfd 65F6110A

Transistor à effet de champ le MOSFET à canal N 650V39A Ipw65R110cfd 65F6110A

Transistor à effet de champ le MOSFET à canal N 650V39A Ipw65R110cfd 65F6110A

Transistor à effet de champ le MOSFET à canal N 650V39A Ipw65R110cfd 65F6110A

Transistor à effet de champ le MOSFET à canal N 650V39A Ipw65R110cfd 65F6110A

1/ 6

Collection

Transistor à effet de champ le MOSFET à canal N 650V39A Ipw65R110cfd 65F6110A

5,74-12,09 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Mais12un transistor de puissance 450V 12A 100W Tube d'alimentation de puissance de commutation

Mais12un transistor de puissance 450V 12A 100W Tube d'alimentation de puissance de commutation

Mais12un transistor de puissance 450V 12A 100W Tube d'alimentation de puissance de commutation

Mais12un transistor de puissance 450V 12A 100W Tube d'alimentation de puissance de commutation

Mais12un transistor de puissance 450V 12A 100W Tube d'alimentation de puissance de commutation

Mais12un transistor de puissance 450V 12A 100W Tube d'alimentation de puissance de commutation

1/ 6

Collection

Mais12un transistor de puissance 450V 12A 100W Tube d'alimentation de puissance de commutation

1,3-1,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Transistor Haute Pression Retour

Fréquence de travail: Haute fréquence

Emballage: Tube

Standard: Plastic and copper

Marque Déposée: CHN

L'irf730 Fri730pbf 5.5A Field-Effect MOSFET de puissance 400V

L'irf730 Fri730pbf 5.5A Field-Effect MOSFET de puissance 400V

L'irf730 Fri730pbf 5.5A Field-Effect MOSFET de puissance 400V

L'irf730 Fri730pbf 5.5A Field-Effect MOSFET de puissance 400V

L'irf730 Fri730pbf 5.5A Field-Effect MOSFET de puissance 400V

L'irf730 Fri730pbf 5.5A Field-Effect MOSFET de puissance 400V

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Collection

L'irf730 Fri730pbf 5.5A Field-Effect MOSFET de puissance 400V

1,88 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Origine: China

Capacité de Production: 100000

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Collection

Nouvel Original à220 162A 40 V de l'IRF1404pbf Field-Effect transistor MOSFET IRF1404

3,2 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Forme: ST

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Standard: standard

Marque Déposée: /

Origine: China

La DMA4185 Canal P MOSFET à effet de champ 40A40V252 D4185

La DMA4185 Canal P MOSFET à effet de champ 40A40V252 D4185

La DMA4185 Canal P MOSFET à effet de champ 40A40V252 D4185

La DMA4185 Canal P MOSFET à effet de champ 40A40V252 D4185

La DMA4185 Canal P MOSFET à effet de champ 40A40V252 D4185

La DMA4185 Canal P MOSFET à effet de champ 40A40V252 D4185

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Collection

La DMA4185 Canal P MOSFET à effet de champ 40A40V252 D4185

0,1-0,25 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Emballage: Roll

Standard: standard

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Fonction

Matériel

Encapsulation Structure

Structure

Traitement du Signal

Paquet

Matériel

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Type de Blindage

Niveau d'énergie

Fréquence de travail

Type

Forme

Méthode de refroidissement

Technique

forme

Conductive type

Fonction

certificat

Encapsulation Structure

Installation

Niveau d'énergie

Fréquence de travail

Matériel

Structure

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