Accueil Électricité & Électronique Triode Le transistor NPN de commutation 2024 Liste de Produits

Le transistor NPN de commutation

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Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

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Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

0,689 $US / Pièce

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Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: MR

À-92 Plastic-Encapsulate Transistors de puissance de la diode d'applications Fetures S8050 (transistor NPN)

À-92 Plastic-Encapsulate Transistors de puissance de la diode d'applications Fetures S8050 (transistor NPN)

À-92 Plastic-Encapsulate Transistors de puissance de la diode d'applications Fetures S8050 (transistor NPN)

À-92 Plastic-Encapsulate Transistors de puissance de la diode d'applications Fetures S8050 (transistor NPN)

À-92 Plastic-Encapsulate Transistors de puissance de la diode d'applications Fetures S8050 (transistor NPN)

À-92 Plastic-Encapsulate Transistors de puissance de la diode d'applications Fetures S8050 (transistor NPN)

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Collection

À-92 Plastic-Encapsulate Transistors de puissance de la diode d'applications Fetures S8050 (transistor NPN)

0,07-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-323 DTC144EUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-323 DTC144EUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-323 DTC144EUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-323 DTC144EUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-323 DTC144EUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-323 DTC144EUAQ

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Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-323 DTC144EUAQ

0,712 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Alliage

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

1/ 6

Collection

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT3904Q

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT3904Q

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT3904Q

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT3904Q

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT3904Q

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT3904Q

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Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT3904Q

0,12-1,19 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Origine: Guangdong, China

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

1/ 6

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Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

0,01-0,2 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Juxing Mmbt2907A-60V-600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

Juxing Mmbt2907A-60V-600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

Juxing Mmbt2907A-60V-600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

Juxing Mmbt2907A-60V-600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

Juxing Mmbt2907A-60V-600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

Juxing Mmbt2907A-60V-600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

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Collection

Juxing Mmbt2907A-60V-600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

0,0183-0,0486 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors de puissance NPN Epoxy conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 et Applications de futures TO-252 sans halogène MJD31CQ

Transistors de puissance NPN Epoxy conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 et Applications de futures TO-252 sans halogène MJD31CQ

Transistors de puissance NPN Epoxy conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 et Applications de futures TO-252 sans halogène MJD31CQ

Transistors de puissance NPN Epoxy conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 et Applications de futures TO-252 sans halogène MJD31CQ

Transistors de puissance NPN Epoxy conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 et Applications de futures TO-252 sans halogène MJD31CQ

Transistors de puissance NPN Epoxy conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 et Applications de futures TO-252 sans halogène MJD31CQ

1/ 6

Collection

Transistors de puissance NPN Epoxy conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 et Applications de futures TO-252 sans halogène MJD31CQ

0,75 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114YUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114YUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114YUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114YUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114YUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114YUAQ

1/ 6

Collection

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114YUAQ

0,799 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: MR

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114EUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114EUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114EUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114EUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114EUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114EUAQ

1/ 6

Collection

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC114EUAQ

0,798 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: MR

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

1/ 6

Collection

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-23 DTC124ECAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-23 DTC124ECAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-23 DTC124ECAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-23 DTC124ECAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-23 DTC124ECAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-23 DTC124ECAQ

1/ 6

Collection

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-23 DTC124ECAQ

0,73 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Alliage

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

1/ 4

Collection

Transistor de puissance bipolaires pnp 3 a 100 V 40 W Astuce32c en stock

0,14-0,711 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

1/ 6

Collection

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

0,758 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Alliage

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC143ZUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC143ZUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC143ZUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC143ZUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC143ZUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC143ZUAQ

1/ 6

Collection

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC143ZUAQ

0,736 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: MR

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC123JUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC123JUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC123JUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC123JUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC123JUAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC123JUAQ

1/ 6

Collection

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures sensibilité à l'humidité niveau 1 SOT-323 DTC123JUAQ

0,785 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Alliage

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Juxing Mmbt2222un 75V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

Juxing Mmbt2222un 75V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

Juxing Mmbt2222un 75V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

Juxing Mmbt2222un 75V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

Juxing Mmbt2222un 75V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

Juxing Mmbt2222un 75V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

1/ 6

Collection

Juxing Mmbt2222un 75V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 Transistors (NPN)

0,0183-0,0486 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET Bss138 SCR thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Transistors audio 2488

MOSFET Bss138 SCR thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Transistors audio 2488

MOSFET Bss138 SCR thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Transistors audio 2488

MOSFET Bss138 SCR thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Transistors audio 2488

MOSFET Bss138 SCR thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Transistors audio 2488

MOSFET Bss138 SCR thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Transistors audio 2488

1/ 6

Collection

MOSFET Bss138 SCR thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Transistors audio 2488

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

1/ 6

Collection

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

0,7 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Emballage: Carton

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BSQ

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BSQ

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BSQ

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BSQ

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BSQ

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BSQ

1/ 6

Collection

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BSQ

0,11-1,23 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

1/ 6

Collection

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

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2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

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Collection

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET à perte de commutation extrêmement faible puissance de télécommunication

MOSFET à perte de commutation extrêmement faible puissance de télécommunication

MOSFET à perte de commutation extrêmement faible puissance de télécommunication

MOSFET à perte de commutation extrêmement faible puissance de télécommunication

MOSFET à perte de commutation extrêmement faible puissance de télécommunication

MOSFET à perte de commutation extrêmement faible puissance de télécommunication

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Collection

MOSFET à perte de commutation extrêmement faible puissance de télécommunication

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

1/ 6

Collection

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ipb048n15n5lfatma1 to-263-3 150V 120A 3.9 Mohms composant électronique

Transistors Ipb048n15n5lfatma1 to-263-3 150V 120A 3.9 Mohms composant électronique

Transistors Ipb048n15n5lfatma1 to-263-3 150V 120A 3.9 Mohms composant électronique

Transistors Ipb048n15n5lfatma1 to-263-3 150V 120A 3.9 Mohms composant électronique

Transistors Ipb048n15n5lfatma1 to-263-3 150V 120A 3.9 Mohms composant électronique

Transistors Ipb048n15n5lfatma1 to-263-3 150V 120A 3.9 Mohms composant électronique

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Collection

Transistors Ipb048n15n5lfatma1 to-263-3 150V 120A 3.9 Mohms composant électronique

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10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

1/ 6

Collection

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

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10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

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Collection

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

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Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

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Collection

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

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Type

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Type d'Entreprise

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