| Spécifications |
Type: capteur de poussière laser;
Type de sortie Signal: Digital;
Matériel: Métal;
Personnalisé: Non personnalisés;
nom du produit: capteur de particules;
type de détection: pm2.5,pm10,pm1.0 (μg/m³);
application: école, maison, usine;
plage de mesure: 0~1000μG/M³;
tension de fonctionnement: dc 5v±0.1v;
courant de fonctionnement: ≤100ma (@5v alimentation électrique);
temps de stabilité: ≤8s;
résolution: 1 ug/m3;
méthodes de sortie: sortie par défaut uart;
durée de vie: >40,000 heures (fonctionnement continu);
fréquence de détection: une fois par seconde (par défaut);
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Type: capteurs photoélectriques à faisceau traversant;
Type de sortie Signal: sortie de transistor, collecteur ouvert, basé sur npn/pnp o;
Procédé de production: Bobinées normale;
Matériel: pc + abs;
Caractéristique: Semiconductor;
Note IP: IP65;
Personnalisé: Non personnalisés;
longueur d'onde de la source lumineuse: 850 nm;
circuit de protection: protection contre la polarité inversée, protection contre les courts-circuits;
poids brut de l'emballage: 0.500 kg;
résistance à la lumière ambiante: lumière du soleil: max.60000lux; lampe à incandescence: max.300;
type de sortie: sortie de transistor, collecteur ouvert, basé sur npn/pnp o;
mode d'exécution: sélectionnez le mode clair/sombre selon le modèle;
circuit de protection: protection contre la polarité inversée, protection contre les courts-circuits;
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Type: capteurs photoélectriques à faisceau traversant;
Type de sortie Signal: sortie de transistor, collecteur ouvert, basé sur npn/pnp o;
Procédé de production: Bobinées normale;
Matériel: pc + abs;
Caractéristique: Semiconductor;
Note IP: IP65;
Personnalisé: Non personnalisés;
longueur d'onde de la source lumineuse: 850 nm;
circuit de protection: protection contre la polarité inversée, protection contre les courts-circuits;
poids brut de l'emballage: 0.500 kg;
résistance à la lumière ambiante: lumière du soleil: max.60000lux; lampe à incandescence: max.300;
type de sortie: sortie de transistor, collecteur ouvert, basé sur npn/pnp o;
mode d'exécution: sélectionnez le mode clair/sombre selon le modèle;
circuit de protection: protection contre la polarité inversée, protection contre les courts-circuits;
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Type: capteurs photoélectriques à faisceau traversant;
Type de sortie Signal: sortie de transistor, collecteur ouvert, basé sur npn/pnp o;
Procédé de production: Bobinées normale;
Matériel: pc + abs;
Caractéristique: Semiconductor;
Note IP: IP65;
Personnalisé: Non personnalisés;
longueur d'onde de la source lumineuse: 850 nm;
circuit de protection: protection contre la polarité inversée, protection contre les courts-circuits;
poids brut de l'emballage: 0.500 kg;
résistance à la lumière ambiante: lumière du soleil: max.60000lux; lampe à incandescence: max.300;
type de sortie: sortie de transistor, collecteur ouvert, basé sur npn/pnp o;
mode d'exécution: sélectionnez le mode clair/sombre selon le modèle;
circuit de protection: protection contre la polarité inversée, protection contre les courts-circuits;
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Type: capteurs photoélectriques à faisceau traversant;
Type de sortie Signal: sortie de transistor, collecteur ouvert, basé sur npn/pnp o;
Procédé de production: Bobinées normale;
Matériel: pc + abs;
Caractéristique: Semiconductor;
Note IP: IP65;
Personnalisé: Non personnalisés;
longueur d'onde de la source lumineuse: 850 nm;
circuit de protection: protection contre la polarité inversée, protection contre les courts-circuits;
poids brut de l'emballage: 0.500 kg;
résistance à la lumière ambiante: lumière du soleil: max.60000lux; lampe à incandescence: max.300;
type de sortie: sortie de transistor, collecteur ouvert, basé sur npn/pnp o;
mode d'exécution: sélectionnez le mode clair/sombre selon le modèle;
circuit de protection: protection contre la polarité inversée, protection contre les courts-circuits;
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