La solution complète de découpe au laser SIC comprend : un équipement de rainurage laser, un équipement de coupe laser invisible et un équipement de séparation entièrement automatique
Cette série d'équipements est conçue pour les caractéristiques de la découpe laser de galette de substrat de silicium, utilisant des lasers ultraviolets. Un ensemble de système de chemin optique externe est spécialement conçu, associé à un système de positionnement d'imagerie CCD haute précision et à un contrôle de mouvement de plate-forme haute précision, pour obtenir une précision, une efficacité et presque aucun résidu dans l'effet de coupe de la rainure de coupe.
1. Technologie de coupe multi-points pour un traitement efficace et de haute qualité
2. Chargement et déchargement entièrement automatiques, fonctionnement sans pilote et entièrement automatique
3. Compatible avec la production de puces de 2 pouces, 4 pouces et 6 pouces
4. Équipé de fonctions automatiques de collage et de nettoyage
5. La rectitude et la répétabilité de la plate-forme sont toutes deux à moins de 1 UM
6. Équipé de fonctions de coupe en tangence et en contre-lame
Machine de découpe laser SIC wafer entièrement automatique
Le carbure de silicium (SIC) a une large gamme d'applications, et si les composants en carbure de silicium deviennent populaires, les dispositifs de conversion de puissance le feront
Des changements importants ont eu lieu. Peut être utilisé pour les véhicules électriques hybrides, les climatiseurs et autres produits blancs, ainsi que pour la production d'énergie solaire
Systèmes d'alimentation électrique distribuée tels que l'électricité, la production d'énergie éolienne, les piles à combustible, l'équipement industriel, ainsi que les dispositifs de conversion de fréquence et les commutateurs généralesTURN hors tension et autres aspects.
Domaine d'application : développement d'équipements de coupe à modification interne au laser au carbure de silicium
Un équipement de coupe haute précision et haute efficacité pour les matériaux au carbure de silicium.
Principales caractéristiques :
Entièrement compatible avec la production de cachets de 4/6/8 pouces ;
En adoptant des lasers importés efficaces, l'effet de procédé est stable;
Grâce à un système d'auto-suivi DRA, la mise au point peut être réglée en temps réel en fonction de l'épaisseur du film,
Le CCD assure l'imagerie infrarouge et dispose de fonctions de coupe avant et arrière ;
Équipé d'un système de craquage sous vide pour les produits à grains fins pour garantir le rendement d'expansion du film.
Procédé de traitement : découpe des fissures (à l'aide d'un couteau ou d'un aspirateur) et expansion du film
Utilisation de systèmes optiques et de lasers
Le module unique du système optique, comparé aux modules étrangers, évite la fusion du confinement du cristal de silicium sur le côté arrière et améliore la qualité de la couche SD
Longueur d'onde centrale de sortie laser : bande infrarouge
Fréquence de répétition : 50-200 kHz
Plate-forme de fonctionnement haute vitesse et haute précision
• course X/y : 600 × 600 mm
Ligne droite ± 0.002 mm/250 mm
Précision de positionnement : ± 0.005 mm
Vitesse de déplacement de l'axe X/y : maximum 1000 mm/s.
Système d'auto-suivi DRA
Mesure sans contact, système de mise au point en temps réel, grâce à la mise au point automatique DRA pendant le processus de coupe, la mise au point est ajustée en temps réel en fonction des changements d'épaisseur du film, garantissant ainsi une mise au point laser pour une coupe invisible
La profondeur de la couche modifiée est cohérente et l'erreur d'épaisseur peut se situer à ± 10 % μ M. Erreur de profondeur de coupe ± 5 μ à moins de M.
Introduction au processus :
Le processus de division consiste à appliquer une légère pression le long du chemin laser sur le produit rayé au laser, ce qui entraîne sa rupture au point de rayure laser ; Le produit est placé sur une plate-forme de support symétrique (avec un espacement réglable au milieu) et la position de la trajectoire de coupe laser est étalonnée à l'aide d'un système visuel haute précision (positionnement de niveau micromètre). Le produit est rapidement soulevé et abaissé le long de la trajectoire de coupe (au niveau de la zone de rayure laser) à l'aide d'une lame fendue (d'une largeur de lame de 5 μm) au-dessus du produit. Cette technologie est actuellement largement utilisée dans divers matériaux fragiles tels que les plaquettes de silicium, le saphir, le verre et les matériaux mixtes, avec un taux de rendement de plus de 99.6 dans les industries traditionnelles. Il présente les avantages technologiques d'une grande précision de positionnement, d'une réduction efficace de l'affaissement des bords et de la résolution de fractures incomplètes du double cristal.
Plan de traitement au carbure de silicium : copeaux tournés vers le haut, fissure de la lame trajet de coupe :
(1) la lame de broyage agit directement sur la puce, par positionnement visuel, et n'entre pas en contact avec des zones extérieures à la rayure ;
(2) la largeur de la lame est d'environ 5 μm, la planéité de la plate-forme de support est à moins de 5 μm et la précision de positionnement de l'axe de fonctionnement du noyau correspondant est à moins de 2 μm pour garantir la précision de l'opération
(3) du point de vue de la protection de la cachets et de la réduction du risque de rupture des bords, il peut être envisagé d'ajouter une couche de film de protection non adhésif de 25 μm sur l'avant de la puce pour éviter tout contact direct entre la lame et le chemin de coupe. La pression exercée par la lame se brisant hors de la trajectoire de coupe peut être presque négligeable. Si la vérification a un impact sur la structure avant de la puce, la lame peut se fissurer directement au milieu de la trajectoire de coupe ;
| NON |
projet |
paramètre |
| 1 |
Taille limite du cristal usinable |
4 pouces, 6 pouces, 8 pouces |
| 2 |
Traitement de l'épaisseur de la limite du cristal |
50 à 750 μm |
| 3 |
Vitesse de traitement |
maximum 1 000 mm/s. |
| 4 |
Puissance de sortie du laser |
<20 W. |
| 5 |
fréquence répétitive |
0 à 200 kHz |
| 6 |
Précision de L'axe X-Y |
Précision du positionnement répétitif : ±1 μ M.
Rectitude de l'axe X : ±1 μ M/300 mm |
| 7 |
Plage d'usinage maximale DE L'axe X-Y |
300 mm×300 mm |
| 8 |
Erreur de précision répétée de l'axe Z. |
±1 μm |
| 9 |
axe θ |
Angle de rotation : 210°
Résolution de rotation : 15 arc s |
| 10 |
Planéité de la plate-forme |
≤±5 um (dans la plage de 200 mm) |
| 11 |
Fonction de discrimination CCD |
Angle,horizontal,étalonnage de référence,luminosité de la source lumineuse CCD
réglage |
| 12 |
Système d'identification |
HANSLASER |
| NON |
projet |
Réglementations |
| 1 |
température ambiante |
22 ºC±2 ºC |
| 2 |
humidité relative |
30 à 60 % |
| 3 |
Exigences de propreté |
niveau 10000 ou supérieur |
| 4 |
Pression atmosphérique
(CDA) |
0.5-0,8 Mpa |
| 5 |
alimentation |
Monophasé 220 V, 50 Hz, au-dessus de 16 A. |
| 6 |
Fil de masse de la grille |
Conforme aux exigences de la norme nationale de la salle informatique |
| 7 |
Fluctuation du réseau électrique |
<5 % |
| 8 |
Taille de l'équipement |
1400(L)mm×2200(l)mm×2180(H)mm |
| 9 |
Poids de l'équipement |
Environ 3 tonnes |
| 10 |
Occasions à éviter |
1.place avec une lote de déchets, de poussière, et de brouillard d'huile;
2.endroits avec des vibrations et des impacts élevés;
3.les endroits qui peuvent atteindre les drogues et les matières inflammables et explosives;
4.emplacements près des sources d'interférences haute fréquence ;
5.endroits où la température change rapidement,
6.dans les environnements à fortes concentrations de CO2, NOX, SOX, etc |
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Fournisseur Audité 
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