Améliorer l′alimentation du serveur Pfc Ultra Rapide et Robuste Diode de Corps Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Diode à Récupération Rapide Régulateur Haute Tension Mosfet

• Type: Onduleur de Voiture
• Certificat: RoHS
• description: perte de commutation extrêmement faible
• N° de Modèle.: OSG65R038HZAF TO247
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• application: onduleur de voiture
• Paquet de Transport: air
• Marque Déposée: semi-conducteur orientale
• Origine: Chine
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20 kkk/mois

Description de Produit

Description générale
Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie de l'équilibre de charge pour obtenir d'excellents faible résistance et de charge inférieur de porte. Elle est conçue pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieure et une solide capacité d'avalanche.
La série Z GreenMOS® est intégré à la récupération rapide de la diode (DRA) afin de minimiser le temps de récupération de marche arrière. Il est approprié pour les topologies de commutation de résonance pour atteindre une plus grande efficacité, une fiabilité accrue et plus petit facteur de forme.

Fonctionnalités

• Faible RDS(ON) & FOM
• Extrêmement faibles pertes de commutation
• Excellente stabilité et de l'homogénéité
• Ultra-rapide et robuste de la diode du corps

Les applications                                                                                             

• Alim PC
• Telecom power
• Alimentation du serveur
• Chargeur de EV
• Excitateur de moteur

Les paramètres de performance clés
 

Le paramètre	Valeur	Unité
VDS, min @ Tj(max)	700	V
ID, pulse	240	Un
RDS(ON), max @ VGS=10V	38	MΩ
Qg	175	NC

Marquage des informations
 

Nom du produit	Paquet	Le marquage
OSG65R038HZF	D247	OSG65R038Hz

Cotes de maximum absolu Tj=25°C sauf indication contraire
 

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de source de vidange	VDS	650	V
Gate-source de tension	VGS	±30	V
Courant de vidange en continu^1), TC=25 °C	ID	80	Un
Courant de vidange en continu^1), TC=100 °C		50
Vidanger le courant pulsé^2), TC=25 °C	ID, pulse	240	Un
Diode de l'avant de courant continu^1), TC=25 °C	Est	80	Un
Courant pulsé de diode^2), TC=25 °C	N'EST, de pouls	240	Un
La dissipation de puissance^3)  ,TC=25  °C	PD	500	W
L'énergie pulsée unique avalanche5)	La fonction EAS	2900	MJ
Le MOSFET de robustesse dv/dt, VDS=0…480 V	Dv/dt	100	V/ns
Diode de marche arrière dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	Dv/dt	50	V/ns
Fonctionnement et la température de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	°C

Les caractéristiques thermiques
 

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0.25	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à Tj=25°C sauf indication contraire

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 mA
		700	770			VGS=0 V, ID=2 mA, Tj=150 °C
Seuil de porte La tension	VGS(th)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 mA
Source de vidange Résistance à l'état	RDS(ON)		0,032	0,038	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0,083			VGS=10 V, ID=40 A, Tj=150 °C
Porte-source courant de fuite	IGSS			100	NA	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Source de courant de fuite de vidange	Les IDS			10	Μa	VDS=650 V, VGS=0 V
Résistance de la porte	RG		2.1		Ω	Ƒ=1 MHz, drain ouvert

Les caractéristiques dynamiques

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	Ciss		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, Ƒ=100 kHz
Capacité de sortie	Coss		486		PF
Transfert inverse de la capacité	Sir		12.8		PF
Capacité de sortie efficace, l'énergie liées	Co(er)		278		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V
Capacité de sortie efficace, l'heure liées	Co(tr)		1477		PF
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		55,9		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG = 2 Ω, ID=40 A
Le temps de montée	Tr		121,2		Ns
Désactiver le temps de retard	Td(arrêt)		114.2		Ns
Temps de chute	Tf		8.75		Ns

Caractéristiques de charge de la porte

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Total des frais de porte	Qg		175,0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Porte-charge source	Qgs		40.1		NC
Gate-frais de vidange	Qgd		76.1		NC
Plateau de la porte de la tension	Vplateau		6.4		V

Caractéristiques de la diode du corps

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Diode de la tension de marche avant	VSD			1.3	V	Est de=80 A, VGS=0 V
Le temps de récupération de marche arrière	Les DRT		180		Ns	Est de=30 A, Di/dt = 100 A/μs
Frais de récupération de marche arrière	Qrr		1.5		UC
Pic de courant de récupération de marche arrière	Irrm		15.2		Un

Remarque :

1. Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
2. Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la température de jonction max..
3. Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction-résistance thermique de cas.
4. La valeur de RθJA est mesurée avec le périphérique monté sur 1 en 2 FR-4 carte avec 2oz. Le cuivre, dans un environnement de l'air encore avec TA=25 °C.
5. La DMV=300 V, VGS=10 V, L=40 mH, démarrage Tj=25 °C.