Une topologie à un interrupteur pour transistor Mosfet de puissance haute tension

• certificat: RoHS, ISO
• Forme: Porcelaine Métal Tube
• Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube
• N° de Modèle.: Osg90r1K2if To262
• Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi
• Fonction: Commutateur Transistor
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• Structure: Planar
• Structure d′encapsulation: Plastic Transistor Sealed
• Niveau d′énergie: Puissance moyenne
• Matériel: Silicium
• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• type: station de charge fast ev
• garantie: 24 mois
• Paquet de Transport: carton
• Spécifications: 37*37*29cm
• Marque Déposée: semi-conducteur orientale
• Origine: Chine
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20 000/mois

Description de Produit

Description du produit

Description générale

OSG90R1K2xF utilise la technologie avancée GreenMOSTM pour fournir un RDS(ON) faible, une faible charge de grille, une commutation rapide et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. Ce dispositif est adapté aux applications de correction active du facteur de puissance et d'alimentation à découpage.


Fonctionnalités                                         Applications

1. RDS(on) et                                              éclairage FOM faibles
2. Perte de commutation extrêmement faible                               PWM de commutation dure
3. Excellente stabilité et uniformité               Alimentation du serveur
4. Facile à conduire                              Chargeur

Paramètres de performance clés
 

1. 1. Valeurs nominales maximales absolues à TJ=25ºC sauf indication contraire

 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de la source de vidange	VDS	900	V
Tension source de la grille	VGS	±30	V
Courant de drain continu 1^), TC=25 ºC	ID	5	A
Courant de drain continu 1^), TC=100 ºC		3.2
Courant de drain pulsé 2^), TC=25 ºC	ID, impulsion	15	A
Power dissipation3) pour TO251, TO262, TC=25 ºC	PD	83	W
Power dissipation3^) pour TO220F, TC=25 ºC		31
Énergie d'avalanche à impulsion unique5)	EAS	211	MJ
MOSFET dv/dt robustesse, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diode inverse dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	ºC

 

 

1. &bsp ; caractéristiques thermiques

 

Paramètre	Symbole	Valeur		Unité
		TO251/TO262	TO220F
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	1.5	4.0	ºC/W
Résistance thermique, ambient4)	RθJA	62	62.5	ºC/W

1. Caractéristiques électriques à TJ=25 ºC sauf indication contraire

 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension de claquage de la source de vidange	BVDSS	900			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		960	1070			VGS=0 V, ID=250 ΜA, TJ=150 ºC
Tension seuil de grille	VGS(TH)	2.0		4.0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Résistance à l'état on de la source de drainage	RDS(ON)		1.0	1.2	Ω	VGS=10 V, ID=2 A
			2.88			VGS=10 V, ID=2 A, TJ=150 ºC
Courant de fuite de la source de grille	IGS			100	N/a	VGS = 30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Courant de fuite de la source de vidange	IDS			10	ΜA	VDS=900 V, VGS=0 V.

1. Caractéristiques dynamiques

 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CISS		874.2		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, f = 100 kHz
Capacité de sortie	COSS		37.5		PF
Capacité de transfert inverse	FCR		1.7		PF
Délai d'activation	td(on)		33.23		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=33 Ω, ID=5 A.
Temps de montée	tr		26.50		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		44.00		ns
Temps de chute	par		17.63		ns

 

 

1. Caractéristiques de charge de grille

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		12.50		NF	ID=5 A, VDS=400 V, VGS=10 V.
Charge de la source d'entrée	QGS		3.75		NF
Grille de charge de vidange	QGD		4.28		NF
Tension de plateau de grille	Plateau Vplateau		5.8		V

1. Caractéristiques de la diode corps

 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Diode de courant de marche avant	EST			5	A	VGS<Vth
Courant de source pulsé	FAI			15
Tension avant de diode	VSD			1.3	V	EST = 5 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse	trr		265.87		ns	VR=400 V, IS=5 A, Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée	Qrr		2.88		ΜC
Courant de récupération inverse de crête	Irrm		19.51		A

1. Remarque

 

1. Courant continu calculé en fonction de la température de jonction maximale autorisée.
2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
4. La valeur de RθJA est mesurée avec l'appareil monté sur une carte FR-4 1 en 2 avec 2 oz. Cuivre, dans un environnement à air fixe avec Ta=25 ºC.
5. VDD=100 V, RG=47 Ω, L=10 mH, TJ de départ=25 ºC.

Informations de marquage
 

Nom du produit	Package	Marquage
OSG65R038HZF	TO247	OSG65R038HZ

Valeurs nominales maximales absolues à TJ=25 °C sauf indication contraire
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de la source de vidange	VDS	650	V
Tension de la source de grille	VGS	±30	V
Courant de drain continué1^), TC=25 °C.	ID	80	A
Courant de drain continué1^), TC=100 °C.		50
Courant de drain pulsé 2^), TC=25 °C.	ID, impulsion	240	A
Diode continue en forward current1^), TC=25 °C.	EST	80	A
Diode pulse2^), TC=25 °C.	EST, impulsion	240	A
Alimentation  3^)  ,TC=25  °C.	PD	500	W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5)	EAS	2900	MJ
MOSFET dv/dt robustesse, VDS=0…480 V.	dv/dt	100	V/ns
Diode inverse dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	°C

Caractéristiques thermiques
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0.25	°C/W
Résistance thermique, ambient4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à TJ=25°C sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension de claquage de la source de vidange	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
		700	770			VGS=0 V, ID=2 mA, TJ=150 °C.
Seuil de porte tension	VGS(TH)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Source de vidange résistance à l'état on	RDS(ON)		0.032	0.038	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0.083			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C.
Courant de fuite de la source de grille	IGS			100	N/a	VGS = 30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Courant de fuite de la source de vidange	IDS			10	ΜA	VDS=650 V, VGS=0 V.
Résistance de la grille	RG		2.1		Ω	ƒ=1 MHz, drain ouvert

Caractéristiques dynamiques

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CISS		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ = 100 kHz
Capacité de sortie	COSS		486		PF
Capacité de transfert inverse	FCR		12.8		PF
Capacité de sortie effective, liée à l'énergie	Co(er)		278		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacité de sortie effective, liée au temps	Co(tr)		1477		PF
Délai d'activation	td(on)		55.9		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A.
Temps de montée	tr		121.2		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		114.2		ns
Temps de chute	par		8.75		ns

Caractéristiques de charge de grille

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		175.0		NF	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A.
Charge de la source d'entrée	QGS		40.1		NF
Grille de charge de vidange	QGD		76.1		NF
Tension de plateau de grille	Plateau Vplateau		6.4		V

Caractéristiques de la diode corps

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension avant de diode	VSD			1.3	V	EST = 80 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse	trr		180		ns	EST=30 A, Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée	Qrr		1.5		UC
Courant de récupération inverse de crête	Irrm		15.2		A

Remarque

1. Courant continu calculé en fonction de la température de jonction maximale autorisée.
2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
4. La valeur de RθJA est mesurée avec l'appareil monté sur une carte FR-4 1 en 2 avec 2 oz. Cuivre, dans un environnement à air fixe avec Ta=25 °C.
5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 mH, TJ de départ=25 °C.