UPS et Mosfet d′inverseur d′énergie à commutation rapide et récupération douce

• certificat: RoHS, ISO
• Forme: Porcelaine Métal Tube
• Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube
• N° de Modèle.: SFG150N10KF
• Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi
• Fonction: Commutateur Transistor
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• Structure: Planar
• Structure d′encapsulation: Plastic Transistor Sealed
• Niveau d′énergie: Puissance moyenne
• Matériel: Silicium
• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• type: station de charge fast ev
• garantie: 24 mois
• Paquet de Transport: carton
• Spécifications: to247
• Marque Déposée: semi-conducteur orientale
• Origine: Chine
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20 000/mois

Description de Produit

Description du produit

Le   MOSFET SFGMOS®  est  basé  sur   la    conception unique d'Oriental Semiconductor  pour  obtenir  un RDS (ON) faible ,  une faible  charge de grille,  une commutation rapide et d'excellentes   caractéristiques d'avalanche.  La    série Low Vth est spécialement  conçue pour  être utilisée dans   les systèmes d'alimentation de rectification synchrone avec une tension d'entraînement faible.

Fonctionnalités
.  RDS (ON)  ET  FOM FAIBLES
.  Perte de  commutation extrêmement faible  
.  Excellente  fiabilité  et  uniformité
.  Commutation rapide et  récupération logicielle

Applications
.  Chargeur PD  
.   Pilote de moteur
.  Régulateur de tension de commutation  
.   Convertisseur CC-CC
.    Alimentation à découpage

Paramètres de performance clés  
 

Description générale  
Le   MOSFET SFGMOS® est basé sur la conception unique d'Oriental Semiconductor pour obtenir  un RDS (ON) faible ,  une faible charge de grille, une commutation rapide et d'excellentes  caractéristiques d'avalanche.  La   série High Vth  est spécialement   optimisée pour les systèmes à tension d'attaque de grille supérieure  à  10 V.

Fonctionnalités
.  RDS (ON)  ET  FOM FAIBLES
.  Perte de  commutation extrêmement faible  
.  Excellente stabilité et  uniformité
.  Commutation rapide et   récupération logicielle

Applications
.    Alimentation à découpage
.   Pilote de moteur
.   Protection de la batterie
.   Convertisseur CC-CC
.   Inverseur solaire
.  Onduleur  et   onduleur d'énergie

Paramètres de performance clés  

 

Paramètre	Valeur	Unité
VDS	100	V
ID,  impulsion	450	A
RDS(ON),  MAX . À VGS=10 V.	3.5	MΩ
QG	87.8	NF
PD	250	W

 Informations de marquage

 

Nom du produit	Package	Marquage
SFG150N10KF	TO263	SFG150N10K

Informations sur le boîtier et  le code PIN  

 

  Valeurs nominales maximales absolues  à  TJ=25 °C  sauf  indication contraire  

 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de la source de vidange	VDS	100	V
Tension source de la grille	VGS	±20	V
Courant de  drain continuel1 )  , TC=25  °C.	ID	150	A
Courant de  drain pulsé  2)  , TC=25  °C.	ID,  impulsion	450	A
Diode continue  en marche avant  current1)  , TC=25  °C.	EST	150	A
Diode  pulse2 )  , TC=25  °C.	EST,  impulsion	450	A
Puissance  dissipe3)  , TC=25  °C.	PD	250	W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5)	EAS	265	MJ
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg, TJ	-55 à  150	°C

Caractéristiques thermiques

 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique,  boîtier de jonction	RθJC	0.5	°C/W
Résistance thermique, ambient4)	RθJA	62	°C/W

 Caractéristiques électriques  à  TJ=25°C  sauf  indication contraire  
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Source de vidange tension de claquage	BVDSS	100			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
Seuil de porte tension	VGS(TH)	2.0		4.0	V	VDS=VGS  ,  ID=250  ΜA
Source de vidange résistance à l'état on	RDS(ON)		3.22	3.50	MΩ	VGS=10 V,  ID=30 A
Source de porte courant de fuite	IGS			100	N/a	VGS = 20 V.
				-  100		VGS=-20 V.
Source de vidange courant de fuite	IDS			1	ΜA	VDS=100 V, VGS=0 V.
Résistance de la grille	RG		4.9		Ω	ƒ=1  MHz, drain ouvert

Caractéristiques dynamiques
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CISS		6850		PF	VGS = 0 V, VDS=25 V, ƒ = 100  kHz
Capacité de sortie	COSS		3170		PF
Capacité de transfert inverse	FCR		251		PF
Délai d'activation	td(on)		32		ns	VGS=10 V, VDS=50 V, RG=2  Ω, ID=65 A.
Temps de montée	tr		138		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		88		ns
Temps de chute	par		106		ns

Caractéristiques de charge de grille
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		87.8		NF	VGS=10 V, VDS=50 V, ID=65 A.
Charge de la source d'entrée	QGS		27.1		NF
Grille de charge de vidange	QGD		22.9		NF
Tension de plateau de grille	Plateau Vplateau		5.5		V

Caractéristiques de la diode corps
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension avant de diode	VSD			1.3	V	EST=30 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse	trr		158		ns	VR=50 V, EST=65 A, Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée	Qrr		437		NF
Courant de  récupération inverse de crête	Irrm		5		A

Remarque
1)   courant continu calculé  en fonction    de la température de jonction maximale autorisée.  2)   valeur  nominale répétitive ;  largeur d'impulsion  limitée  par  la température de jonction maximale.
3)   le PD  est  basé sur  la température de jonction maximale,  en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
4)    la  valeur  de  RθJA   est  mesurée  avec  l' appareil  monté  sur  la     carte FR-4 de 1 in2  avec  2oz.  Cuivre, dans  un    environnement à air fixe  avec  Ta=25  °C.
5)    VDD=50 V,VGS=10 V,  L=0.3  mH, TJ de départ =25  °C.

 

Informations de marquage

Nom du produit	Package	Marquage
SFG15N10DF	TO252	SFG15N10D

 Valeurs nominales maximales absolues à TJ=25 °C  sauf indication contraire  

 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de la source de vidange	VDS	100	V
Tension source de la grille	VGS	±20	V
Courant de  drain continuel1)  , TC=25 °C.	ID	15	A
Courant de drain pulsé 2)  , TC=25  °C.	ID,  impulsion	45	A
Diode continue en marche avant current1)  , TC=25 °C.	EST	15	A
Diode  pulse2)  , TC=25  °C.	EST,  impulsion	45	A
Puissance dissipe3)  , TC=25  °C.	PD	36	W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5)	EAS	5.5	MJ
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg , TJ	-55  à  150	°C

Caractéristiques thermiques

 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	3.5	°C/W
Résistance thermique, ambient4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à TJ=25°C  sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Source de vidange tension de claquage	BVDSS	100			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
Seuil de porte tension	VGS(TH)	1.2		2.5	V	VDS=VGS,  ID=250  ΜA
Source de vidange  résistance à l'état on	RDS(ON)		50	75	MΩ	VGS=10 V,  ID=5 A
Source de vidange  résistance à l'état on	RDS(ON)		60	90	MΩ	VGS=4.5 V,  ID=3 A
Source de porte  courant de fuite	IGS			100	N/a	VGS = 20 V.
				-100		VGS=-20 V.
Source de vidange  courant de fuite	IDS			1	ΜA	VDS=100 V, VGS=0  V.
Résistance de la grille	RG		28.8		Ω	ƒ=1  MHz,  drain ouvert

Caractéristiques dynamiques
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CISS		310		PF	VGS = 0 V, VDS=25 V, ƒ = 100  kHz
Capacité de sortie	COSS		171		PF
Capacité de transfert inverse	FCR		16.7		PF
Délai d'activation	td(on)		14		ns	VGS=10 V, VDS=50 V, RG=2  Ω, ID=5  A.
Temps de montée	tr		3.2		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		36		ns
Temps de chute	par		14		ns

Caractéristiques de charge de grille
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		6.5		NF	VGS=10 V, VDS=50 V, ID=5  A.
Charge de la source d'entrée	QGS		1.4		NF
Grille de charge de vidange	QGD		1.4		NF
Tension de plateau de grille	Plateau Vplateau		3.3		V

Caractéristiques de la diode corps
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension avant de diode	VSD			1.3	V	EST=7  A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse	trr		36		ns	VR=50 V, EST=5  A, Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée	Qrr		37		NF
Courant de  récupération inverse de crête	Irrm		1.7		A

Remarque
1)   courant continu calculé   en fonction de la température de jonction maximale autorisée.  2)   valeur nominale répétitive ;   largeur d'impulsion  limitée  par  la température de jonction maximale.
3)   le PD est  basé sur  la température de jonction maximale,  en utilisant  la résistance thermique du boîtier de jonction.
4)   la valeur de RθJA  est  mesurée avec  l' appareil  monté  sur     une carte FR-4 1 en 2 avec 2oz.  Cuivre,  dans un environnement à air fixe  avec Ta=25  °C.
5)   VDD=30 V,VGS=10 V,  L=0.3  mH,  TJ de départ=25  °C.