Henan, Chine
Produits Principaux:
Substrats en saphir , substrats en silicium , substrats GaN autoportants de précision et modèles GaN , fenêtres optiques , plaquettes en carbure de silicium , TeO2 cristaux , prismes , Linbo3 Crystals&Litao3 cristaux , lentilles , Yvo4 cristaux et cristaux Ktp
Adresse:
Autoparts Community, Jiefang District, Jiaozuo, Henan, China
Principaux Marchés:
Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l′Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l′Est, Europe de l′Ouest
Conditions Commerciales Internationales(Incoterms):
FOB, CFR, CIF
Conditions de Paiement:
T/T, PayPal, Western Union, Paiement d′un petit montant
Délai Moyen:
Délai de Livraison en Pleine Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables, Délai de Livraison hors Saison, Dans les 15 Jours Ouvrables
Entrepôt aux États-Unis
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Évaluation:
5.0/5

Fabricant et fournisseur de Substrats en saphir, substrats en silicium, substrats GaN autoportants de précision et modèles GaN, fenêtres optiques, plaquettes en carbure de silicium, TeO2 cristaux, prismes, Linbo3 Crystals&Litao3 cristaux, lentilles, Yvo4 cristaux et cristaux Ktp de la Chine, offrant Unités d′orientation par rayons X pour tester l′orientation du cristal simple de saphir, Unité d′orientation des rayons X en monocristal de semi-conducteur pour le test de cristaux semences, 10mm*10mm*1mm Srtio3 Substrats en cristal unique de qualité etc.

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SiO2 wafers oxyde thermique wafers en silicium

Total 11 SiO2 wafers oxyde thermique wafers en silicium Produits

Grade Prime CZ 2inch, 4inch Wafer en oxyde de silicium Sio2 Couche

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

2/4/6/8/12 Plaque de silicium oxydé Sio2 Plaque

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Plaque de silicium oxyde pouces personnalisée monocristalline avec nm 4-12 Sio2 200-300

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

4inch Prime Sio2 Wafers avec Couche d′Oxyde 2um, 500nm Épaisseur de Silicium 525um

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Application: LED
Type de conductivité: Type N
Pureté: EG-Si
Type: Silicium monocristallin
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100

Silicium Wafer de Grade Prime CZ N/P Type Sio2, Wafer Oxydé de Sio2 Couche

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Application: LED
Type: Intrinsic Semiconductor
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished

Wafer en oxyde de silicium prime Ssp personnalisé en usine de 2-4 pouces

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Application: LED
Type: Intrinsic Semiconductor
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished

2/4/6/8/12 Plaque de silicium poli de type N DSP Sio2 Plaque d′oxyde de silicium

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Application: LED
Type: Intrinsic Semiconductor
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished

6 Plaque de silicium poli de type N DSP Sio2 Plaque d′oxyde de silicium

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Application: LED
Type: Intrinsic Semiconductor
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished

Wafer en silicium Wafer en silicium dopé Oxydation thermique Wafer en silicium

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Application: LED
Type: Intrinsic Semiconductor
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished

Prix de gros d′usine pour wafer en silicium, semi-conducteur, wafer en silicium oxydé

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Application: LED
Type: Intrinsic Semiconductor
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished

Fabricant sur mesure de haute qualité de plaquettes de silicium en oxyde cristallin

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Application: LED
Type: Intrinsic Semiconductor
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished