Henan, Chine
Produits Principaux:
Substrats en saphir , substrats en silicium , substrats GaN autoportants de précision et modèles GaN , fenêtres optiques , plaquettes en carbure de silicium , TeO2 cristaux , prismes , Linbo3 Crystals&Litao3 cristaux , lentilles , Yvo4 cristaux et cristaux Ktp
Adresse:
Autoparts Community, Jiefang District, Jiaozuo, Henan, China
Principaux Marchés:
Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l′Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l′Est, Europe de l′Ouest
Conditions Commerciales Internationales(Incoterms):
FOB, CFR, CIF
Conditions de Paiement:
T/T, PayPal, Western Union, Paiement d′un petit montant
Délai Moyen:
Délai de Livraison en Pleine Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables, Délai de Livraison hors Saison, Dans les 15 Jours Ouvrables
Entrepôt aux États-Unis
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Évaluation:
5.0/5

Fabricant et fournisseur de Substrats en saphir, substrats en silicium, substrats GaN autoportants de précision et modèles GaN, fenêtres optiques, plaquettes en carbure de silicium, TeO2 cristaux, prismes, Linbo3 Crystals&Litao3 cristaux, lentilles, Yvo4 cristaux et cristaux Ktp de la Chine, offrant Unités d′orientation par rayons X pour tester l′orientation du cristal simple de saphir, Unité d′orientation des rayons X en monocristal de semi-conducteur pour le test de cristaux semences, 10mm*10mm*1mm Srtio3 Substrats en cristal unique de qualité etc.

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Accueil Produits Plaques de silicium

Plaques de silicium

Total 155 Plaques de silicium Produits

2 Pouce 275um Épaisseur P-Type 1-30ohm. Cm Résistivité Ssp Silicium Wafers

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Type P 4 Pouce 525um Épaisseur Résistivité 1-30ohm. Cm Ssp Wafer en silicium

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

4 Pouce 525um Épaisseur Type P Résistivité 1-30ohm. Cm Ssp Silicium Plaques

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Type P 8inch 725um Résistivité Épaisse 1-100ohm. Cm Test Wafers en Silicium

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Dopant de type N en 4inch 525um Silicium épais

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Dopant de type P de qualité prime Bore 4inch 525um Épais Si/Sio2 Wafers d′oxyde

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

N-Type 4inch 525um Résistivité Épaisse 0.05-0.1ohm. Cm DSP Silicium Wafers

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

6 Plaques de silicium de type P de pouce

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

8inch 700± 25μ M Pensez Ssp Dummy Plaques de Silicium

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Fz Ssp 6inch Silicium non dopé de type N

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Fz/CZ Monocristallin 2-12 Pouce Silicon/Sio2 Wafer

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Wafer en silicium monocrystallin 4-8 pouces dummy

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Fourniture d′usine de plaquettes de silicium IR lointain, cristaux de silicium, plaquettes de silicium de haute qualité

Commande Min.: 25 Pièces
Certification: RoHS
Matériel: Semiconducteur composé
Modèle: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Wafer en silicium monocristallin poli des deux côtés de haute qualité sur mesure de 2-12 pouces pour l′électronique

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Wafer en silicium monocristallin personnalisé 1 Inch-12inch avec une couche d′oxyde de 100 nm -1000nm

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Fournir un wafer en silicium poli sur une seule face de qualité prime grade 50mm-300mm pour dispositif de puissance

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Wafer en silicium monocristallin de haute pureté de type P personnalisé de 4 pouces avec une face polie

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Fournir un cristal unique 4-6 pouce de qualité prime type N et type P de wafer en silicium

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Wafer en silicium monocristallin non dopé personnalisé avec une haute résistivité 2-12inch Wafers semi-conducteurs

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Wafer en Carbure de Silicium de Qualité Prime 2/3/4/6/8/12inch Wafers Dummy pour Dispositifs Électroniques de Puissance

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Fournir un wafer en silicium monocrystallin 2-12 pouces poli des deux côtés pour semi-conducteur

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

4-6 "Plaquettes épitaxiales GaN-sur-Si à base de silicium pour dispositifs de puissance verticaux

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Fournir un substrat en silicium monocristallin de type N/P pour matériaux optiques infrarouges

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Fournir un wafer en silicium monocristallin de type N 300mm pour cellule solaire

Prix FOB: 1,00-100,00 $US / Pièce
Commande Min.: 25 Pièces
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um