Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd.

Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (NANOWIN), fondée à Suzhou Industry Park, Chine en mai 2007, est une société de haute technologie qui se consacre à la fabrication de substrats Gallium Nitrude (GAN) de haute qualité et au développement des technologies connexes.

NANOWIN a pour principal avantage d′offrir une expertise inégalée en matière de matériaux, qui possède des brevets essentiels dans les substrats GAN et les technologies de croissance. NANOWIN propose des substrats GAN standard et personnalisés et des modèles GAN/saphir épais avec des densités de dislocation très faibles, adaptés aux applications dans les circuits électriques/électroniques de haute puissance LED, bleu LD et bleu. Les principaux produits de NANOWIN sont des modèles GAN/saphir de 2 pouces avec une épaisseur GAN de 15 à 90 microns, des substrats GAN autoportants de 2 pouces avec une épaisseur d′environ 350 microns et une densité de dislocation de la face GA de 106 cm-2, des petits carrés (longueur latérale de 1 à 2 centimètres/1,5 pouce/1,8 pouce) des substrats GAN autoportants, des substrats GAN non polaires (surface) Poudre de GAN à haute cristallinité et substrats d′AlN (PSS). Tous les modèles et substrats GAN produits par NANOWIN comprennent trois catégories : dopé de type N, non dopé et semi-isolant dopé.

Notre objectif stratégique est de devenir un fournisseur de matériaux semi-conducteurs nitrure de premier plan et un pionnier dans les applications industrielles des semi-conducteurs nitrure.