40mΩ 650V Mosfet de puissance N-Channel Sic Dccf040m65g2 to-247-4L

Détails du Produit
Personnalisation: Disponible
Application: inverseurs solaires
Numéro de lot: 2022
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Année de Création
2004-12-07
Nombre d'Employés
234
  • 40mΩ 650V Mosfet de puissance N-Channel Sic Dccf040m65g2 to-247-4L
  • 40mΩ 650V Mosfet de puissance N-Channel Sic Dccf040m65g2 to-247-4L
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Info de Base

N° de Modèle.
DCCF040M65G2
Technologie de fabrication
Dispositif discret
Matériel
sic
Modèle
dccf040m65g2
Paquet
to-247-4l
Type
Semi-conducteur de type N
tension
650V
cirrent
52A
marque
wxdh
Paquet de Transport
tube
Spécifications
sic
Marque Déposée
wxdh
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541100000
Capacité de Production
500000000 pièces/an

Description de Produit

40mΩ 650V N-Channel Sic Power Mosfet Dccf040m65g2 to-247-4L40mΩ 650V N-Channel Sic Power Mosfet Dccf040m65g2 to-247-4L40mΩ 650V N-Channel Sic Power Mosfet Dccf040m65g2 to-247-4L40mΩ 650V N-Channel Sic Power Mosfet Dccf040m65g2 to-247-4L
MOSFET de puissance SIC à canal N 5 a 1700 V.
 
Description
Cette famille de produits offre des performances de pointe. C'est le cas
conçu pour les applications haute fréquence où haute
efficacité et fiabilité élevées sont nécessaires.
40mΩ 650V N-Channel Sic Power Mosfet Dccf040m65g2 to-247-4L
 
Fonctionnalités
Efficacité du système accrue
Réduction des besoins en refroidissement
Densité de puissance accrue
Fréquence de commutation du système accrue
Applications
Alimentations
Convertisseurs DC/DC haute tension
Entraînements de moteur
Alimentations à découpage
Applications à puissance pulsée
 
PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
 
Tension source-Drian VDSS 650 V
Tension porte-à-source max VGSS -8/+22 V
Tension porte-à-source max VGSS -4/+18 V
Courant de vidange continu
VGS=20V,TC=25ºC
52 A
VGS=20V, TC=100ºC
37 A
Courant de vidange pulsé ID (IMPULSION) 140 A
Dissipation de puissance TJ=150ºC PD 176 W
TC=25 ºC PD W
Plage de température de jonction TJ -40 à 175 ºC
Plage de température de stockage Tstg -40 à 175 ºC
 
4.2 caractéristiques thermiques
Paramètre Symbole Classement Unitº
Résistance thermique, jonction au boîtier RthJC 1.8 ºC/W

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
DCCF040M65G2
TO-247-4L
DCCF040M65G2
Sans PB Tube 1800/boîte
 40mΩ 650V N-Channel Sic Power Mosfet Dccf040m65g2 to-247-4L

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