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à propos de Transistor de commutation
  • Innovation technologique
  • Chaînes d'Achats fiables
  • Capacités de Fabrication Substantielles

Transistor de commutation300+ usines vérifiées

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
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Transistor à effet de champ à mode d'amélioration P-Channel Perte de commutation extrêmement faible PDFN5060-8L Caractéristiques Applications YJG25GP10AQ

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration P-Channel Perte de commutation extrêmement faible PDFN5060-8L Caractéristiques Applications YJG25GP10AQ

0,85 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Transistor à effet de champ à canal P en mode d'amélioration commutation haute vitesse SOT-23 Caractéristiques Applications YJL3407AQ

Transistor à effet de champ à canal P en mode d'amélioration commutation haute vitesse SOT-23 Caractéristiques Applications YJL3407AQ

0,79 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Transistor à effet de champ à mode d'enrichissement N-Channel à vitesse de commutation rapide SOT-23 Caractéristiques Applications 2N7002KCQ

Transistor à effet de champ à mode d'enrichissement N-Channel à vitesse de commutation rapide SOT-23 Caractéristiques Applications 2N7002KCQ

0,14-1,15 $US
1 Pièce(MOQ)
Transistor à effet de champ à canal P en mode d'amélioration pour des commutations à haute vitesse SOT-23 Caractéristiques Applications YJL3401AQ

Transistor à effet de champ à canal P en mode d'amélioration pour des commutations à haute vitesse SOT-23 Caractéristiques Applications YJL3401AQ

0,92 $US
1 000 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

5.0
Envoyer demande
PMBT3904,215 PMBT3904 Série 40 V 200 mA SMT NPN Transistor de commutation

PMBT3904,215 PMBT3904 Série 40 V 200 mA SMT NPN Transistor de commutation

0,072-15,00 $US
100 Pièces(MOQ)
MMBT4403LT1G Série MMBT 40V 600mA Transistor de commutation PNP en silicium monté en surface

MMBT4403LT1G Série MMBT 40V 600mA Transistor de commutation PNP en silicium monté en surface

0,05-200,00 $US
500 Pièces(MOQ)
MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Transistor de commutation en silicium NPN en montage en surface

MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Transistor de commutation en silicium NPN en montage en surface

0,05-200,00 $US
500 Pièces(MOQ)
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS transistor mosfet

SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS transistor mosfet

0,12-15,00 $US
100 Pièces(MOQ)
1/4

Simentor Electronic Limited

13 ans·5.0
·Société Commerciale
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Bdx53c Transistor de puissance - Idéal pour les amplificateurs audio et les applications de commutation

Bdx53c Transistor de puissance - Idéal pour les amplificateurs audio et les applications de commutation

Négociable
10 Pièces(MOQ)
IC d'interface RS-485 Transvolt Spprssn Diff Transceiver#Sn65lbc184D

IC d'interface RS-485 Transvolt Spprssn Diff Transceiver#Sn65lbc184D

Négociable
1 Pièce(MOQ)
Commutation Rapide Fqpf16n25c Mosfet avec Faible Résistance à l'État Conducteur

Commutation Rapide Fqpf16n25c Mosfet avec Faible Résistance à l'État Conducteur

Négociable
10 Pièces(MOQ)
Alimentation DC/DC Module#Irm-20-24#20W DIP 3.3V 5V 12V 15V 24V

Alimentation DC/DC Module#Irm-20-24#20W DIP 3.3V 5V 12V 15V 24V

Négociable
1 Pièce(MOQ)
1/4

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 ans·4.9
Envoyer demande
Puissance Originale E13003 Commutation D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

Puissance Originale E13003 Commutation D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

0,10-0,50 $US
1 Pièce(MOQ)
2n7002p, 215 Transistors Mosfet N-Channel 60V 360mA pour des applications de commutation efficaces améliore la performance du circuit

2n7002p, 215 Transistors Mosfet N-Channel 60V 360mA pour des applications de commutation efficaces améliore la performance du circuit

0,01-1,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Texte original Bcm847BS135 Réseau de transistors bipolaires 2NPN Paire appariée 45V 100mA 250MHz Bcm847

Texte original Bcm847BS135 Réseau de transistors bipolaires 2NPN Paire appariée 45V 100mA 250MHz Bcm847

0,10 $US
1 Pièce(MOQ)
Meilleur Prix Transistor Mpsa05 Mpsa06 NPN DIP to-92 Amplificateur à Usage Général

Meilleur Prix Transistor Mpsa05 Mpsa06 NPN DIP to-92 Amplificateur à Usage Général

0,57-1,23 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

18 ans
·Société Commerciale
Envoyer demande
Lm2575t-Adj P+ Commutateur Régulateur de Tension Intégré Bloc Régulateur à Trois Terminaux Bloc Transistor

Lm2575t-Adj P+ Commutateur Régulateur de Tension Intégré Bloc Régulateur à Trois Terminaux Bloc Transistor

0,41 $US
10 Pièces(MOQ)
Transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension

Transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension

2,00 $US
2 000 Pièces(MOQ)
Puissance Originale E13003 Commutation D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

Puissance Originale E13003 Commutation D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

0,09 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension Mje 13009A 13009 Mje13009A

Transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension Mje 13009A 13009 Mje13009A

0,21 $US
500 Pièces(MOQ)
1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

Envoyer demande
Transistor amplificateur NPN à commutation haute vitesse Pxt2222A Boîtier Sot-89

Transistor amplificateur NPN à commutation haute vitesse Pxt2222A Boîtier Sot-89

0,02 $US
1 000 Pièces(MOQ)
1200V/10A Diode Schottky à Carbure de Silicium G5s12010c to-252 Transistor

1200V/10A Diode Schottky à Carbure de Silicium G5s12010c to-252 Transistor

0,769 $US
2 500 Pièces(MOQ)
Diode Schottky en Carbure de Silicium G3s06520b to-247ab Transistor Mosfet

Diode Schottky en Carbure de Silicium G3s06520b to-247ab Transistor Mosfet

1,465 $US
600 Pièces(MOQ)
Asr320n650MD88 650V Tube MOS en carbure de silicium (SIC) N-Channel 650V Pdfn8*8 Transistor

Asr320n650MD88 650V Tube MOS en carbure de silicium (SIC) N-Channel 650V Pdfn8*8 Transistor

2,04 $US
500 Pièces(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Envoyer demande
Excellente conduction et perte de commutation To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V fabricant Trident transistor bipolaire à porte

Excellente conduction et perte de commutation To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V fabricant Trident transistor bipolaire à porte

2,50-3,00 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Diode de récupération rapide régulateur de haute tension transistor

Diode de récupération rapide régulateur de haute tension transistor

0,20 $US
660 Pièces(MOQ)
Pdfn5× 6 Sfs10r12ugnf Vds-100 ID-280A RDS (ON) -12milliohm Qg-22nc Régulateur de tension à découpage Mosfet de puissance N-Channel

Pdfn5× 6 Sfs10r12ugnf Vds-100 ID-280A RDS (ON) -12milliohm Qg-22nc Régulateur de tension à découpage Mosfet de puissance N-Channel

0,10-0,20 $US
10 000 Pièces(MOQ)
Transistor Mosfet de puissance PC à très faibles pertes de commutation

Transistor Mosfet de puissance PC à très faibles pertes de commutation

0,35-0,60 $US
600 Pièces(MOQ)
1/4

Beijing Jingbei Components Co., Ltd.

14 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
Envoyer demande
S8550 Transistor Bipolaire (BJT) PNP 25 V 500 Ma 150MHz 300 MW Montage en Surface Sot-23

S8550 Transistor Bipolaire (BJT) PNP 25 V 500 Ma 150MHz 300 MW Montage en Surface Sot-23

0,01-0,03 $US
1 Pièce(MOQ)
Mmbt5551 Transistor Bipolaire (BJT) NPN 160 V 600 Ma 300MHz 250 MW Montage en Surface

Mmbt5551 Transistor Bipolaire (BJT) NPN 160 V 600 Ma 300MHz 250 MW Montage en Surface

0,01-0,03 $US
1 Pièce(MOQ)
Ao3400A Transistor à effet de champ N-Canal 30 V 5.7A (Ta) 1.4W (Ta) Montage en surface Sot-23-3

Ao3400A Transistor à effet de champ N-Canal 30 V 5.7A (Ta) 1.4W (Ta) Montage en surface Sot-23-3

0,59-0,61 $US
1 Pièce(MOQ)
Ao3401 Transistor P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Montage en surface Sot-23-3 Transistor

Ao3401 Transistor P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Montage en surface Sot-23-3 Transistor

0,01-0,02 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
Envoyer demande
Transistor en silicium épitaxial NPN Tip41c to-220 to-252

Transistor en silicium épitaxial NPN Tip41c to-220 to-252

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Vente Chaude Transistor Silicium Épitaxial NPN Tip122 to-220

Vente Chaude Transistor Silicium Épitaxial NPN Tip122 to-220

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
40A 650V Transistor Bipolaire à Grille Isolée Trenchstop G40t65lbbn to-3pn

40A 650V Transistor Bipolaire à Grille Isolée Trenchstop G40t65lbbn to-3pn

0,22 $US
5 000 Pièces(MOQ)
110A 60V Transistor Mosfet de puissance à canal N en mode d'enrichissement Dh066n06e

110A 60V Transistor Mosfet de puissance à canal N en mode d'enrichissement Dh066n06e

0,01-0,20 $US
5 000 Pièces(MOQ)
1/4

Finest Printed Circuit Board Ltd.

23 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
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Diode Laser Nichia RS3060cj Cbt 120 2sc5200 Tubes Triode Haute Fréquence Transistor NPN Usine

Diode Laser Nichia RS3060cj Cbt 120 2sc5200 Tubes Triode Haute Fréquence Transistor NPN Usine

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Tube électronique triode SMD 13009 D882 2n3906 4cx800A Transistor Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode SMD 13009 D882 2n3906 4cx800A Transistor Irf530n BTA41 600b Prix

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
4cx1000A 3cx1500d3 Triacs 25A Bc847 Bzx84 Sot 23 Transistor de puissance RF haute tension Nxsmd 78L05

4cx1000A 3cx1500d3 Triacs 25A Bc847 Bzx84 Sot 23 Transistor de puissance RF haute tension Nxsmd 78L05

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Transistors Mosfet de puissance PNP NPN SMD Amplificateur Triode Transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Transistors Mosfet de puissance PNP NPN SMD Amplificateur Triode Transistor IGBT

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Guangdong Global Well Electronic Limited

4 ans
Envoyer demande
Transistors2sc5200 Kit de test de Mosfets Transistors

Transistors2sc5200 Kit de test de Mosfets Transistors

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
Transistors de dépôt haute puissance en silicium original composant électronique

Transistors de dépôt haute puissance en silicium original composant électronique

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
Composants électroniques transistors pour circuits intégrés et modules semi-conducteurs

Composants électroniques transistors pour circuits intégrés et modules semi-conducteurs

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
B772equivalent Codes SMD Transistors

B772equivalent Codes SMD Transistors

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
1/4

Shenzhen Lianxiong Trading Co., Ltd.

6 ans
·Société Commerciale
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Transistors Irf3808 Mosfet N Canal 75V 140A MOS Irf3808 Irf3808pbf to-220

Transistors Irf3808 Mosfet N Canal 75V 140A MOS Irf3808 Irf3808pbf to-220

0,50-0,70 $US
200 pieces(MOQ)
Transistor Irf7404 Sop-8 Distributeurs de Circuits Intégrés Originaux Irf7404trpbf

Transistor Irf7404 Sop-8 Distributeurs de Circuits Intégrés Originaux Irf7404trpbf

0,20-0,30 $US
200 pieces(MOQ)
Nouveau fournisseur de transistor Mosfet de haute qualité to-220ab Irf3205 Irf3205pbf

Nouveau fournisseur de transistor Mosfet de haute qualité to-220ab Irf3205 Irf3205pbf

0,10-0,30 $US
500 pieces(MOQ)
Elq3h7 (TA) Composants électroniques à transistor d'origine Optoisolateurs 3.75kv 4CH Trans 16-Ssop

Elq3h7 (TA) Composants électroniques à transistor d'origine Optoisolateurs 3.75kv 4CH Trans 16-Ssop

0,10-0,30 $US
100 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.

20 ans·5.0
·Société Commerciale
Envoyer demande
MOSFET SOP8 mode AO4435

MOSFET SOP8 mode AO4435

0,03 $US
1 000 Pièces(MOQ)
2301 Transistor 20V Mosfet P-Canal

2301 Transistor 20V Mosfet P-Canal

0,006 $US
30 000 Pièces(MOQ)
Transistor Mosfet P-Channel fiable Ao4435 -30V pour une gestion efficace de l'énergie

Transistor Mosfet P-Channel fiable Ao4435 -30V pour une gestion efficace de l'énergie

0,05 $US
20 000 Pièces(MOQ)
Mmbt3904 Transistors encapsulés en plastique NPN

Mmbt3904 Transistors encapsulés en plastique NPN

0,0034-0,0035 $US
21 000 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Xinjiaye Electronics Technology Co., Ltd.

Envoyer demande
Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Manchon d'isolation en silicone thermique conducteur pour to-220 / to-3p transistor de puissance Mosfet IGBT

Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Manchon d'isolation en silicone thermique conducteur pour to-220 / to-3p transistor de puissance Mosfet IGBT

0,02 $US
1 Pièce(MOQ)
Ll4148 Diode Standard 100V 200mA SOD-80 Emballage - 20PCS Composants Électroniques Haute Performance

Ll4148 Diode Standard 100V 200mA SOD-80 Emballage - 20PCS Composants Électroniques Haute Performance

3 000,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shenzhen Gewei Technology Co., Ltd.

5.0
Envoyer demande
CD4069ubm96 CI Circuit Intégré CI Puce Transistor en Stock Fournitures CI Circuit Intégré

CD4069ubm96 CI Circuit Intégré CI Puce Transistor en Stock Fournitures CI Circuit Intégré

0,001 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Qingdao Jia En Semiconductor Co., Ltd.

Envoyer demande
Le MOSFET 500 V-1500V matures Vdmos Haute Tension appliquée dans les onduleurs, chargeurs haute tension Alimentations à découpage et d'autres domaines

Le MOSFET 500 V-1500V matures Vdmos Haute Tension appliquée dans les onduleurs, chargeurs haute tension Alimentations à découpage et d'autres domaines

0,50 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Jiaen Sic Mosfet, 1200V 50A, haute efficacité pour l'EV de commutation rapide Le chargeur et convertisseur PV

Jiaen Sic Mosfet, 1200V 50A, haute efficacité pour l'EV de commutation rapide Le chargeur et convertisseur PV

1,20 $US
1 000 Pièces(MOQ)
MOSFET haute tension

MOSFET haute tension

0,50 $US
1 000 Pièces(MOQ)
1200V/80d'un mosfet Jiaen sic pour chargeur EV & Energy Storage

1200V/80d'un mosfet Jiaen sic pour chargeur EV & Energy Storage

1,20 $US
1 000 Pièces(MOQ)

CTC Technology Co., Ltd.

20 ans
Envoyer demande
alimentation électronique diode Schottky transistor SBD20C100F

alimentation électronique diode Schottky transistor SBD20C100F

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
composant électronique Diode Schottky Transistor SBD10C100F

composant électronique Diode Schottky Transistor SBD10C100F

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
Haute capacité de surtension SBD10C100F circuit de protection de transistor Schottky

Haute capacité de surtension SBD10C100F circuit de protection de transistor Schottky

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
Dispositif Discret SBD10C100T/F/D/S Puissance Diode Schottky Transistor

Dispositif Discret SBD10C100T/F/D/S Puissance Diode Schottky Transistor

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
1/4

Baoding Sanzheng Electrical Equipment Co., Ltd.

Envoyer demande
Fabricant 1500kw Équipement de soudage Type d'induction Configuré avec Mosfet ou IGBT

Fabricant 1500kw Équipement de soudage Type d'induction Configuré avec Mosfet ou IGBT

100 000,00-150 000,00 $US
1 Jeu(MOQ)
800kw Équipement de soudage de type induction configuré avec Mosfet ou IGBT

800kw Équipement de soudage de type induction configuré avec Mosfet ou IGBT

60 000,00-80 000,00 $US
1 Jeu(MOQ)
Nouvel équipement de soudage 1800kw de type induction conçu avec Mosfet ou IGBT

Nouvel équipement de soudage 1800kw de type induction conçu avec Mosfet ou IGBT

290 000,00-320 000,00 $US
1 Jeu(MOQ)
Équipement de soudage à induction de type CE 1200kw configuré avec Mosfet ou IGBT

Équipement de soudage à induction de type CE 1200kw configuré avec Mosfet ou IGBT

100 000,00-150 000,00 $US
1 Jeu(MOQ)
1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

2 ans
·Société Commerciale
Envoyer demande
1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

12,11 $US
10 Pièces(MOQ)
Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj avec faible perte de commutation, faible EMI

Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj avec faible perte de commutation, faible EMI

0,13 $US
10 Pièces(MOQ)
600 V, 20 a, 190 MΩ , [Bmf60n190c1], Transistor Mosfet Sj à Haute Efficacité avec Faible EMI et Faibles Pertes de Commutation

600 V, 20 a, 190 MΩ , [Bmf60n190c1], Transistor Mosfet Sj à Haute Efficacité avec Faible EMI et Faibles Pertes de Commutation

0,35 $US
10 Pièces(MOQ)
650 V, 8 un, [Bmd60n650UC1], Transistor Mosfet à Haute Efficacité Super Jonction

650 V, 8 un, [Bmd60n650UC1], Transistor Mosfet à Haute Efficacité Super Jonction

0,55 $US
10 Pièces(MOQ)
1/1

Sailing Commercial (Tianjin) Co., Ltd.

9 ans·5.0
Envoyer demande
Thyristor à contrôle de phase de type capsule série ordinaire Kp Kp1600A 2000V Transistor SCR

Thyristor à contrôle de phase de type capsule série ordinaire Kp Kp1600A 2000V Transistor SCR

100,00 $US
10 Pièces(MOQ)
Dispositif à semi-conducteurs chauffage par induction performance de commutation rapide contrôle de phase thyristor Kp4000A1200V

Dispositif à semi-conducteurs chauffage par induction performance de commutation rapide contrôle de phase thyristor Kp4000A1200V

150,00-570,00 $US
5 Pièces(MOQ)
Applications de transmission d'énergie Chauffage par induction Performance de commutation rapide Contrôle de phase Thyristor Kp3800A1200V

Applications de transmission d'énergie Chauffage par induction Performance de commutation rapide Contrôle de phase Thyristor Kp3800A1200V

150,00-570,00 $US
5 Pièces(MOQ)
Module SCR Chauffage par induction Performance de commutation rapide Contrôle de phase Thyristor Kp3500A3500V

Module SCR Chauffage par induction Performance de commutation rapide Contrôle de phase Thyristor Kp3500A3500V

150,00-570,00 $US
5 Pièces(MOQ)
1/4

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

Envoyer demande
-60V -12A Nce60p12as Transistor Mosfet de puissance à canal P en mode d'amélioration

-60V -12A Nce60p12as Transistor Mosfet de puissance à canal P en mode d'amélioration

0,001-0,109 $US
5 000 Pièces(MOQ)
82V 140A Nce82h140 Nce82h140d Transistor Mosfet N-Canal Mode Amélioré 220W avec to-220

82V 140A Nce82h140 Nce82h140d Transistor Mosfet N-Canal Mode Amélioré 220W avec to-220

0,38-0,437 $US
1 000 Pièces(MOQ)
60V 5A Nce6005as Transistor Mosfet de puissance N-Channel en mode d'amélioration м о п -т р а н з и с т о р

60V 5A Nce6005as Transistor Mosfet de puissance N-Channel en mode d'amélioration м о п -т р а н з и с т о р

0,077-0,089 $US
5 000 Pièces(MOQ)
-60V -45A Nce60p45K Transistor Mosfet de puissance à canal P en mode d'amélioration

-60V -45A Nce60p45K Transistor Mosfet de puissance à canal P en mode d'amélioration

0,116-0,20 $US
2 500 Pièces(MOQ)
1/4

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Envoyer demande
Transistor à effet de champ en mode d'amélioration 20n06 60V 25A Applications de commutation Mosfet

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration 20n06 60V 25A Applications de commutation Mosfet

Négociable
100 Pièces(MOQ)
G20n06D52 60V 20A Transistor Mosfet pour application de commutation de puissance (partie IC)

G20n06D52 60V 20A Transistor Mosfet pour application de commutation de puissance (partie IC)

Négociable
100 Pièces(MOQ)
Amplificateur de puissance électronique Transistor Mosfet G20n06j 60V 20A to-251

Amplificateur de puissance électronique Transistor Mosfet G20n06j 60V 20A to-251

Négociable
100 Pièces(MOQ)
Transistor Mosfet Trench Planar de la marque Goford dans un to-220f emballage

Transistor Mosfet Trench Planar de la marque Goford dans un to-220f emballage

0,17-0,20 $US
20 Pièces(MOQ)

Henan 4.0 Automation Equipment Co., Ltd.

5.0
Envoyer demande
8dq Sortie de transistor au lieu de Siemens 6es7 222-1bf32-0xb0 pour S7-1200

8dq Sortie de transistor au lieu de Siemens 6es7 222-1bf32-0xb0 pour S7-1200

50,00-60,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Dq16 Mise à niveau du transistor pour Sm1222 Modules de sortie numérique

Dq16 Mise à niveau du transistor pour Sm1222 Modules de sortie numérique

80,00-85,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Sm1223 Module d'entrée sortie numérique 16di/16dq, Sortie transistor au lieu de 6es7223-1bl32-0xb0 pour Siemens S7-1200

Sm1223 Module d'entrée sortie numérique 16di/16dq, Sortie transistor au lieu de 6es7223-1bl32-0xb0 pour Siemens S7-1200

135,00-140,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

9 ans·5.0
·Société Commerciale
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Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

1,19-2,28 $US
600 Pièces(MOQ)
Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

1,19-2,28 $US
100 Pièces(MOQ)
Sgt25u120fd1p7 Silan micro 25A IGBT 1200V d'origine

Sgt25u120fd1p7 Silan micro 25A IGBT 1200V d'origine

1,19-2,28 $US
100 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Cansheng Industry Development Co., Ltd.

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Swithicng Transistor (MMBT3904/MMBT3906)

Swithicng Transistor (MMBT3904/MMBT3906)

Négociable
1 000 Pièces(MOQ)
Swithing Le transistor pour lampe à économie d'énergie (13002/13003)

Swithing Le transistor pour lampe à économie d'énergie (13002/13003)

Négociable
1 000 Pièces(MOQ)
Simiconductor (BAV99)

Simiconductor (BAV99)

Négociable

Winsemi Microelectronics Company Limited

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Fast-Switching NPN Transistor de puissance (MJE13005)

Fast-Switching NPN Transistor de puissance (MJE13005)

Négociable
Transistor de puissance NPN Fast-Switching (SBP13003-O)

Transistor de puissance NPN Fast-Switching (SBP13003-O)

Négociable
Transistor de commutation (SBP13007-O)

Transistor de commutation (SBP13007-O)

Négociable

Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited

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Le transistor NPN : Mmbt5551

Le transistor NPN : Mmbt5551

30,00 $US
3 000 Pièces(MOQ)
Cj3401 MOSFET canal P en mode d'amélioration de transistor à effet de champ

Cj3401 MOSFET canal P en mode d'amélioration de transistor à effet de champ

0,025 $US
1 Pièce(MOQ)

Guangdong Shikues Mirco industrial Co., Ltd.

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Bcp56 transistor NPN SOT-223

Bcp56 transistor NPN SOT-223

Négociable
10 Pièces(MOQ)
Shikues BCP69 Transistor PNP

Shikues BCP69 Transistor PNP

Négociable
10 Pièces(MOQ)

Huzhou Yifan Electron Co., Ltd.

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Transistor (13002A)

Transistor (13002A)

Négociable
Transistor (13003m4)

Transistor (13003m4)

Négociable

Yachtron International Co., Ltd.

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Transistors faible signal

Transistors faible signal

Négociable
Mosfet à canal N (SOT-23)

Mosfet à canal N (SOT-23)

Négociable
112
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