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à propos de Transistor de commutation
  • Innovation technologique
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  • Capacités de Fabrication Substantielles

Transistor de commutation300+ usines vérifiées

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

5.0
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MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Transistor de commutation en silicium NPN en montage en surface

MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Transistor de commutation en silicium NPN en montage en surface

0,05-200,00 $US
500 Pièces(MOQ)
PMBT3904,215 PMBT3904 Série 40 V 200 mA SMT NPN Transistor de commutation

PMBT3904,215 PMBT3904 Série 40 V 200 mA SMT NPN Transistor de commutation

0,072-15,00 $US
100 Pièces(MOQ)
MMBT4403LT1G Série MMBT 40V 600mA Transistor de commutation PNP en silicium monté en surface

MMBT4403LT1G Série MMBT 40V 600mA Transistor de commutation PNP en silicium monté en surface

0,05-200,00 $US
500 Pièces(MOQ)
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS transistor mosfet

SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS transistor mosfet

0,12-15,00 $US
100 Pièces(MOQ)
1/4

Shengxinweiye (Shenzhen) Co., Ltd

9 ans
·Société Commerciale
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Transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension Mje 13009A 13009 Mje13009A

Transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension Mje 13009A 13009 Mje13009A

0,21 $US
500 Pièces(MOQ)
Lm2575t-Adj P+ Commutateur Régulateur de Tension Intégré Bloc Régulateur à Trois Terminaux Bloc Transistor

Lm2575t-Adj P+ Commutateur Régulateur de Tension Intégré Bloc Régulateur à Trois Terminaux Bloc Transistor

0,41 $US
10 Pièces(MOQ)
Transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension Bux48A

Transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension Bux48A

0,80 $US
1 000 Pièces(MOQ)
C3198 Transistor NPN plan épitaxial à usage général, commutation

C3198 Transistor NPN plan épitaxial à usage général, commutation

2,00-3,00 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
Envoyer demande
Transistor à effet de champ à mode d'enrichissement N-Channel à vitesse de commutation rapide SOT-23 Caractéristiques Applications 2N7002KCQ

Transistor à effet de champ à mode d'enrichissement N-Channel à vitesse de commutation rapide SOT-23 Caractéristiques Applications 2N7002KCQ

0,14-1,15 $US
1 Pièce(MOQ)
Transistor à effet de champ à mode d'amélioration P-Channel Perte de commutation extrêmement faible PDFN5060-8L Caractéristiques Applications YJG25GP10AQ

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration P-Channel Perte de commutation extrêmement faible PDFN5060-8L Caractéristiques Applications YJG25GP10AQ

0,85 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Transistor à effet de champ à mode d'enrichissement N-Channel à vitesse de commutation rapide SOT-363 Caractéristiques Applications 2N7002KDDWQ

Transistor à effet de champ à mode d'enrichissement N-Channel à vitesse de commutation rapide SOT-363 Caractéristiques Applications 2N7002KDDWQ

0,18-1,31 $US
1 Pièce(MOQ)
Transistor à effet de champ à mode d'enrichissement N-Channel commutation haute vitesse SOT-23 Caractéristiques Applications YJL3400AQ

Transistor à effet de champ à mode d'enrichissement N-Channel commutation haute vitesse SOT-23 Caractéristiques Applications YJL3400AQ

0,95 $US
1 000 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

18 ans
·Société Commerciale
Envoyer demande
Lm2575t-Adj P+ Commutateur Régulateur de Tension Intégré Bloc Régulateur à Trois Terminaux Bloc Transistor

Lm2575t-Adj P+ Commutateur Régulateur de Tension Intégré Bloc Régulateur à Trois Terminaux Bloc Transistor

0,41 $US
10 Pièces(MOQ)
Puissance Originale E13003 Commutation D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

Puissance Originale E13003 Commutation D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

0,09 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Transistor MOS de l'alimentation électrique à découpage importé Stf10nm60n Nouveau 600V10A To220f

Transistor MOS de l'alimentation électrique à découpage importé Stf10nm60n Nouveau 600V10A To220f

2,70-4,00 $US
10 Pièces(MOQ)
Buh515D Transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension

Buh515D Transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension

1,02-2,00 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

Simentor Electronic Limited

13 ans·5.0
·Société Commerciale
Envoyer demande
Bdx53c Transistor de puissance - Idéal pour les amplificateurs audio et les applications de commutation

Bdx53c Transistor de puissance - Idéal pour les amplificateurs audio et les applications de commutation

Négociable
10 Pièces(MOQ)
Tny278pn Alimentation AC-DC 700V Mosfet -40° C à +150° C 8-Pin DIP

Tny278pn Alimentation AC-DC 700V Mosfet -40° C à +150° C 8-Pin DIP

Négociable
10 Pièces(MOQ)
Condensateur SMD Mlcc B32923c3105m000, 1µ F ± 20%, Conforme RoHS, Haute Fiabilité

Condensateur SMD Mlcc B32923c3105m000, 1µ F ± 20%, Conforme RoHS, Haute Fiabilité

Négociable
1 Pièce(MOQ)
Fqd5n20L Transistor Mosfet avec faible résistance à l'état passant et commutation rapide

Fqd5n20L Transistor Mosfet avec faible résistance à l'état passant et commutation rapide

Négociable
10 Pièces(MOQ)
1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

Envoyer demande
Transistor amplificateur NPN à commutation haute vitesse Pxt2222A Boîtier Sot-89

Transistor amplificateur NPN à commutation haute vitesse Pxt2222A Boîtier Sot-89

0,02 $US
1 000 Pièces(MOQ)
1200V/20A Diode Schottky à Carbure de Silicium G5s12020pm to-247AC Transistor

1200V/20A Diode Schottky à Carbure de Silicium G5s12020pm to-247AC Transistor

1,465 $US
600 Pièces(MOQ)
Asr320n650MD88 650V Tube MOS en carbure de silicium (SIC) N-Channel 650V Pdfn8*8 Transistor

Asr320n650MD88 650V Tube MOS en carbure de silicium (SIC) N-Channel 650V Pdfn8*8 Transistor

2,04 $US
500 Pièces(MOQ)
Asc100n1200mt4 1200V Mosfet N-Canal Sic to-247-4 Transistor Boîtier Conforme RoHS

Asc100n1200mt4 1200V Mosfet N-Canal Sic to-247-4 Transistor Boîtier Conforme RoHS

20,42 $US
500 Pièces(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Envoyer demande
Excellente conduction et perte de commutation To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V fabricant Trident transistor bipolaire à porte

Excellente conduction et perte de commutation To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V fabricant Trident transistor bipolaire à porte

2,50-3,00 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Diode de récupération rapide régulateur de haute tension transistor

Diode de récupération rapide régulateur de haute tension transistor

0,20 $US
660 Pièces(MOQ)
UPS et Mosfet d'inverseur d'énergie à commutation rapide et récupération douce

UPS et Mosfet d'inverseur d'énergie à commutation rapide et récupération douce

0,20 $US
660 Pièces(MOQ)
Aec-Q101 Faible Tension de Conduite 40V Commutation Rapide Faible RDS (sur Mosfet

Aec-Q101 Faible Tension de Conduite 40V Commutation Rapide Faible RDS (sur Mosfet

0,20 $US
660 Pièces(MOQ)
1/4

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 ans·4.9
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Puissance Originale E13003 Commutation D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

Puissance Originale E13003 Commutation D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

0,10-0,50 $US
1 Pièce(MOQ)
Transistor MOSFET à canal N en mode haute puissance Hy4008p/M/B/PS/Pm

Transistor MOSFET à canal N en mode haute puissance Hy4008p/M/B/PS/Pm

0,25 $US
100 Pièces(MOQ)
Transistors NPN de haute qualité 2n5551 2n5550 pour des applications d'amplificateurs à haute tension to-92

Transistors NPN de haute qualité 2n5551 2n5550 pour des applications d'amplificateurs à haute tension to-92

0,57-1,23 $US
10 Pièces(MOQ)
Texte original Bcm847BS135 Réseau de transistors bipolaires 2NPN Paire appariée 45V 100mA 250MHz Bcm847

Texte original Bcm847BS135 Réseau de transistors bipolaires 2NPN Paire appariée 45V 100mA 250MHz Bcm847

0,10 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Guangdong Global Well Electronic Limited

3 ans
Envoyer demande
Transistors pour le prix des semi-conducteurs Transistors

Transistors pour le prix des semi-conducteurs Transistors

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
Transistors2sc5200 Kit de test de Mosfets Transistors

Transistors2sc5200 Kit de test de Mosfets Transistors

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
B772equivalent Codes SMD Transistors

B772equivalent Codes SMD Transistors

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
Composants électroniques transistors pour circuits intégrés et modules semi-conducteurs

Composants électroniques transistors pour circuits intégrés et modules semi-conducteurs

0,10-0,20 $US
1 000 pieces(MOQ)
1/4

Beijing Jingbei Components Co., Ltd.

13 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
Envoyer demande
B772 Réseau de Transistors Bipolaires (BJT) Réseaux de Transistors Bipolaires

B772 Réseau de Transistors Bipolaires (BJT) Réseaux de Transistors Bipolaires

0,01-0,03 $US
1 Pièce(MOQ)
Ao3401A Transistor à effet de champ P-Canal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Montage en surface Sot-23-3

Ao3401A Transistor à effet de champ P-Canal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Montage en surface Sot-23-3

1,75-1,78 $US
1 Pièce(MOQ)
Ao3400A Transistor à effet de champ N-Canal 30 V 5.7A (Ta) 1.4W (Ta) Montage en surface Sot-23-3

Ao3400A Transistor à effet de champ N-Canal 30 V 5.7A (Ta) 1.4W (Ta) Montage en surface Sot-23-3

0,59-0,61 $US
1 Pièce(MOQ)
Ss8550 Transistor Bipolaire (BJT) PNP 25 V 1.5 a 100MHz 300 Montage de Surface MW Sot-23

Ss8550 Transistor Bipolaire (BJT) PNP 25 V 1.5 a 100MHz 300 Montage de Surface MW Sot-23

0,01-0,03 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
Envoyer demande
Vente Chaude Transistor Silicium Épitaxial NPN Tip122 to-220

Vente Chaude Transistor Silicium Épitaxial NPN Tip122 to-220

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
Transistor en silicium épitaxial NPN Tip41c to-220 to-252

Transistor en silicium épitaxial NPN Tip41c to-220 to-252

0,01-1,50 $US
5 000 Pièces(MOQ)
40A 650V Transistor Bipolaire à Grille Isolée Trenchstop G40t65lbbn to-3pn

40A 650V Transistor Bipolaire à Grille Isolée Trenchstop G40t65lbbn to-3pn

0,22 $US
5 000 Pièces(MOQ)
110A 60V Transistor Mosfet de puissance à canal N en mode d'enrichissement Dh066n06e

110A 60V Transistor Mosfet de puissance à canal N en mode d'enrichissement Dh066n06e

0,01-0,20 $US
5 000 Pièces(MOQ)
1/4

Finest Printed Circuit Board Ltd.

23 ans
·Fabricant/Usine & Société Commerciale
Envoyer demande
2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 Meilleur amplificateur audio à tube tetrode avec transistors SMD 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 Meilleur amplificateur audio à tube tetrode avec transistors SMD 23 J313

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
2n3906 Transistors de puissance NPN PNP en silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

2n3906 Transistors de puissance NPN PNP en silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Tube électronique triode SMD 13009 D882 2n3906 4cx800A Transistor Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode SMD 13009 D882 2n3906 4cx800A Transistor Irf530n BTA41 600b Prix

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Amplificateur RF Tube Électronique SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 Irf3205 Bt169 3cx1500A7

Amplificateur RF Tube Électronique SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 Irf3205 Bt169 3cx1500A7

5,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shenzhen Lianxiong Trading Co., Ltd.

6 ans
·Société Commerciale
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Transistor Irf7404 Sop-8 Distributeurs de Circuits Intégrés Originaux Irf7404trpbf

Transistor Irf7404 Sop-8 Distributeurs de Circuits Intégrés Originaux Irf7404trpbf

0,20-0,30 $US
200 pieces(MOQ)
Transistors Irf3808 Mosfet N Canal 75V 140A MOS Irf3808 Irf3808pbf to-220

Transistors Irf3808 Mosfet N Canal 75V 140A MOS Irf3808 Irf3808pbf to-220

0,50-0,70 $US
200 pieces(MOQ)
Nouveau fournisseur de transistor Mosfet de haute qualité to-220ab Irf3205 Irf3205pbf

Nouveau fournisseur de transistor Mosfet de haute qualité to-220ab Irf3205 Irf3205pbf

0,10-0,30 $US
500 pieces(MOQ)
Elq3h7 (TA) Composants électroniques à transistor d'origine Optoisolateurs 3.75kv 4CH Trans 16-Ssop

Elq3h7 (TA) Composants électroniques à transistor d'origine Optoisolateurs 3.75kv 4CH Trans 16-Ssop

0,10-0,30 $US
100 Pièces(MOQ)
1/4

Jiangsu Zhongxin Semiconductor Co., Ltd.

Envoyer demande
Diode de commutation haute vitesse Ll4148 circuit intégré transistor

Diode de commutation haute vitesse Ll4148 circuit intégré transistor

Négociable
10 000 Pièces(MOQ)
680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 Mosfet de puissance avancé N-Channel

680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 Mosfet de puissance avancé N-Channel

0,083 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Zg Mosfet 5N60 600V 2.8A d220f 5N60

Zg Mosfet 5N60 600V 2.8A d220f 5N60

0,039 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Nouvelle Originale to-220f 7A 680V Transistor Mosfet N-Canal 7n65

Nouvelle Originale to-220f 7A 680V Transistor Mosfet N-Canal 7n65

0,041 $US
1 000 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.

20 ans·5.0
·Société Commerciale
Envoyer demande
MOSFET SOP8 mode AO4435

MOSFET SOP8 mode AO4435

0,03 $US
1 000 Pièces(MOQ)
Transistor Mosfet P-Channel fiable Ao4435 -30V pour une gestion efficace de l'énergie

Transistor Mosfet P-Channel fiable Ao4435 -30V pour une gestion efficace de l'énergie

0,05 $US
20 000 Pièces(MOQ)
Mmbt3904 Transistors encapsulés en plastique NPN

Mmbt3904 Transistors encapsulés en plastique NPN

0,0034-0,0035 $US
21 000 Pièces(MOQ)
Sot-23 100V Mosfet 3n10I pour une performance et une fiabilité de circuit améliorées

Sot-23 100V Mosfet 3n10I pour une performance et une fiabilité de circuit améliorées

0,0105 $US
42 000 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Xinjiaye Electronics Technology Co., Ltd.

Envoyer demande
Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Manchon d'isolation en silicone thermique conducteur pour to-220 / to-3p transistor de puissance Mosfet IGBT

Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Manchon d'isolation en silicone thermique conducteur pour to-220 / to-3p transistor de puissance Mosfet IGBT

0,02 $US
1 Pièce(MOQ)
Ll4148 Diode Standard 100V 200mA SOD-80 Emballage - 20PCS Composants Électroniques Haute Performance

Ll4148 Diode Standard 100V 200mA SOD-80 Emballage - 20PCS Composants Électroniques Haute Performance

3 000,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Shenzhen Gewei Technology Co., Ltd.

5.0
Envoyer demande
CD4069ubm96 CI Circuit Intégré CI Puce Transistor en Stock Fournitures CI Circuit Intégré

CD4069ubm96 CI Circuit Intégré CI Puce Transistor en Stock Fournitures CI Circuit Intégré

0,001 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

CTC Technology Co., Ltd.

20 ans
Envoyer demande
alimentation électronique diode Schottky transistor SBD20C100F

alimentation électronique diode Schottky transistor SBD20C100F

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
Transistor Mosfet à haute tension N-Channel Super Jonction

Transistor Mosfet à haute tension N-Channel Super Jonction

0,05-0,15 $US
5 000 Pièces(MOQ)
composant électronique Diode Schottky Transistor SBD10C100F

composant électronique Diode Schottky Transistor SBD10C100F

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
Haute capacité de surtension SBD10C100F circuit de protection de transistor Schottky

Haute capacité de surtension SBD10C100F circuit de protection de transistor Schottky

0,03-0,15 $US
2 000 Pièces(MOQ)
1/4

Baoding Sanzheng Electrical Equipment Co., Ltd.

Envoyer demande
Fabricant 1500kw Équipement de soudage Type d'induction Configuré avec Mosfet ou IGBT

Fabricant 1500kw Équipement de soudage Type d'induction Configuré avec Mosfet ou IGBT

100 000,00-150 000,00 $US
1 Jeu(MOQ)
800kw Équipement de soudage de type induction configuré avec Mosfet ou IGBT

800kw Équipement de soudage de type induction configuré avec Mosfet ou IGBT

60 000,00-80 000,00 $US
1 Jeu(MOQ)
1200 Équipement de soudage à induction configuré avec Mosfet ou IGBT

1200 Équipement de soudage à induction configuré avec Mosfet ou IGBT

100 000,00-150 000,00 $US
1 Jeu(MOQ)
Nouvel équipement de soudage 1500kw de type induction conçu avec Mosfet ou IGBT

Nouvel équipement de soudage 1500kw de type induction conçu avec Mosfet ou IGBT

100 000,00-150 000,00 $US
1 Jeu(MOQ)
1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

2 ans
·Société Commerciale
Envoyer demande
1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet N-Canal en Carbure de Silicium à Haute Efficacité

12,11 $US
10 Pièces(MOQ)
Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj avec faible perte de commutation, faible EMI

Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj avec faible perte de commutation, faible EMI

0,13 $US
10 Pièces(MOQ)
600 V, 20 a, 190 MΩ , [Bmf60n190c1], Transistor Mosfet Sj à Haute Efficacité avec Faible EMI et Faibles Pertes de Commutation

600 V, 20 a, 190 MΩ , [Bmf60n190c1], Transistor Mosfet Sj à Haute Efficacité avec Faible EMI et Faibles Pertes de Commutation

0,35 $US
10 Pièces(MOQ)
650 V, 8 un, [Bmd60n650UC1], Transistor Mosfet à Haute Efficacité Super Jonction

650 V, 8 un, [Bmd60n650UC1], Transistor Mosfet à Haute Efficacité Super Jonction

0,55 $US
10 Pièces(MOQ)
1/1

Sailing Commercial (Tianjin) Co., Ltd.

9 ans·5.0
Envoyer demande
Thyristor à contrôle de phase de type capsule série ordinaire Kp Kp1600A 2000V Transistor SCR

Thyristor à contrôle de phase de type capsule série ordinaire Kp Kp1600A 2000V Transistor SCR

100,00 $US
10 Pièces(MOQ)
Chauffage par induction industriel haute puissance performance de commutation rapide contrôle de phase thyristor Kp4000A2000V

Chauffage par induction industriel haute puissance performance de commutation rapide contrôle de phase thyristor Kp4000A2000V

150,00-560,00 $US
5 Pièces(MOQ)
Dispositif à semi-conducteurs chauffage par induction performance de commutation rapide contrôle de phase thyristor Kp4000A1200V

Dispositif à semi-conducteurs chauffage par induction performance de commutation rapide contrôle de phase thyristor Kp4000A1200V

150,00-570,00 $US
5 Pièces(MOQ)
Modules de thyristors à commutation rapide Sailton, dispositifs semi-conducteurs

Modules de thyristors à commutation rapide Sailton, dispositifs semi-conducteurs

100,00 $US
10 Pièces(MOQ)
1/4

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

Envoyer demande
60V 5A Nce6005as Transistor Mosfet de puissance N-Channel en mode d'amélioration м о п -т р а н з и с т о р

60V 5A Nce6005as Transistor Mosfet de puissance N-Channel en mode d'amélioration м о п -т р а н з и с т о р

0,077-0,089 $US
5 000 Pièces(MOQ)
82V 140A Nce82h140 Nce82h140d Transistor Mosfet N-Canal Mode Amélioré 220W avec to-220

82V 140A Nce82h140 Nce82h140d Transistor Mosfet N-Canal Mode Amélioré 220W avec to-220

0,38-0,437 $US
1 000 Pièces(MOQ)
-60V -12A Nce60p12as Transistor Mosfet de puissance à canal P en mode d'amélioration

-60V -12A Nce60p12as Transistor Mosfet de puissance à canal P en mode d'amélioration

0,001-0,109 $US
5 000 Pièces(MOQ)
30V 8A Nce3008xm Transistor Mosfet de puissance N-Channel en mode d'amélioration avec Sot-89

30V 8A Nce3008xm Transistor Mosfet de puissance N-Channel en mode d'amélioration avec Sot-89

0,001-0,066 $US
5 000 Pièces(MOQ)
1/4

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Envoyer demande
Transistor à effet de champ en mode d'amélioration 20n06 60V 25A Applications de commutation Mosfet

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration 20n06 60V 25A Applications de commutation Mosfet

Négociable
100 Pièces(MOQ)
G08p02ts -20V, -8.2A Transistor Mosfet à Tranchée Unique pour Circuits de Commutation de Puissance

G08p02ts -20V, -8.2A Transistor Mosfet à Tranchée Unique pour Circuits de Commutation de Puissance

0,085-0,105 $US
20 Pièces(MOQ)
20V Sot-23-6 6703 Transistor Fet Fdc6420c MOS (composants électroniques)

20V Sot-23-6 6703 Transistor Fet Fdc6420c MOS (composants électroniques)

0,06-0,065 $US
20 Pièces(MOQ)
Alimentation en énergie Silicium avec Transistor Mos N-CH à porte isolée 60V 80A G80n06 to-220

Alimentation en énergie Silicium avec Transistor Mos N-CH à porte isolée 60V 80A G80n06 to-220

0,219-0,239 $US
20 Pièces(MOQ)
1/4

Henan 4.0 Automation Equipment Co., Ltd.

5.0
Envoyer demande
8dq Sortie de transistor au lieu de Siemens 6es7 222-1bf32-0xb0 pour S7-1200

8dq Sortie de transistor au lieu de Siemens 6es7 222-1bf32-0xb0 pour S7-1200

50,00-60,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Dq16 Mise à niveau du transistor pour Sm1222 Modules de sortie numérique

Dq16 Mise à niveau du transistor pour Sm1222 Modules de sortie numérique

80,00-85,00 $US
1 Pièce(MOQ)
Sm1223 Module d'entrée sortie numérique 16di/16dq, Sortie transistor au lieu de 6es7223-1bl32-0xb0 pour Siemens S7-1200

Sm1223 Module d'entrée sortie numérique 16di/16dq, Sortie transistor au lieu de 6es7223-1bl32-0xb0 pour Siemens S7-1200

135,00-140,00 $US
1 Pièce(MOQ)
1/4

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

8 ans·5.0
·Société Commerciale
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Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

1,19-2,28 $US
600 Pièces(MOQ)
Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

1,19-2,28 $US
100 Pièces(MOQ)
Sgt25u120fd1p7 Silan micro 25A IGBT 1200V d'origine

Sgt25u120fd1p7 Silan micro 25A IGBT 1200V d'origine

1,19-2,28 $US
100 Pièces(MOQ)
1/4

Shenzhen Cansheng Industry Development Co., Ltd.

Envoyer demande
Swithing Le transistor pour lampe à économie d'énergie (13002/13003)

Swithing Le transistor pour lampe à économie d'énergie (13002/13003)

Négociable
1 000 Pièces(MOQ)
Swithicng Transistor (MMBT3904/MMBT3906)

Swithicng Transistor (MMBT3904/MMBT3906)

Négociable
1 000 Pièces(MOQ)
Simiconductor (BAV99)

Simiconductor (BAV99)

Négociable

Winsemi Microelectronics Company Limited

Envoyer demande
Fast-Switching NPN Transistor de puissance (MJE13005)

Fast-Switching NPN Transistor de puissance (MJE13005)

Négociable
Transistor de puissance NPN Fast-Switching (SBP13003-O)

Transistor de puissance NPN Fast-Switching (SBP13003-O)

Négociable
Transistor de commutation (SBP13007-O)

Transistor de commutation (SBP13007-O)

Négociable

Guangdong Shikues Mirco industrial Co., Ltd.

Envoyer demande
Shikues BCP69 Transistor PNP

Shikues BCP69 Transistor PNP

Négociable
10 Pièces(MOQ)
Bcp56 transistor NPN SOT-223

Bcp56 transistor NPN SOT-223

Négociable
10 Pièces(MOQ)

Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited

Envoyer demande
Cj3401 MOSFET canal P en mode d'amélioration de transistor à effet de champ

Cj3401 MOSFET canal P en mode d'amélioration de transistor à effet de champ

0,025 $US
1 Pièce(MOQ)
Le transistor NPN : Mmbt5551

Le transistor NPN : Mmbt5551

30,00 $US
3 000 Pièces(MOQ)

Huzhou Yifan Electron Co., Ltd.

Envoyer demande
Transistor (13002A)

Transistor (13002A)

Négociable
Transistor (13003m4)

Transistor (13003m4)

Négociable
112
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