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Modules thyristor/Diode VRRM/VDRM=800 à 1600V VRSM=900V à 1900V IFAV/ITAV=25A applications de fœtus MT25CB08T1

Modules thyristor/Diode VRRM/VDRM=800 à 1600V VRSM=900V à 1900V IFAV/ITAV=25A applications de fœtus MT25CB08T1 pictures & photos

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certificat:	RoHS
Fonction:	Commutateur Transistor
Encapsulation Structure:	T1
Matériel:	Silicium
Features1:	Extremely Low Switching Loss
Features2:	Excellent Stability and Uniformity

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