Mr. Kevin
Sales Director
Saledepartment
Adresse:
112 Minziqian Road, Lixia District, Jinan, Shandong, China
Téléphone:
Code Postal:
Fax:
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Compte Enregistré dans:
2021
Gamme de Produits:
Électricité & Électronique
Certification du Système de Gestion:
ISO 9001, ISO 9000, ISO 14000, OHSAS/ OHSMS 18001, IATF16949, QC 080000
Type d'Entreprise:
Fabricant/Usine
Présentation de l'Entreprise
Capacité Commerciale
Capacité de Production
Advanced Semiconductor Materials Co., Ltd. (ASMC) est une branche de Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (Nanowin).
Nous sommes engagés à élaborer et de meilleure qualité et le coût de fabrication efficace de l'écart à large bande matériaux : GaN, SiC, AlN, Diamond substrats un cristal unique et d'epi de gaufrettes.
Nos principaux produits :
Le Nitrure de gallium
2-6 pouces ...
Nous sommes engagés à élaborer et de meilleure qualité et le coût de fabrication efficace de l'écart à large bande matériaux : GaN, SiC, AlN, Diamond substrats un cristal unique et d'epi de gaufrettes.
Nos principaux produits :
Le Nitrure de gallium
2-6 pouces ...
Advanced Semiconductor Materials Co., Ltd. (ASMC) est une branche de Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (Nanowin).
Nous sommes engagés à élaborer et de meilleure qualité et le coût de fabrication efficace de l′écart à large bande matériaux : GaN, SiC, AlN, Diamond substrats un cristal unique et d′epi de gaufrettes.
Nos principaux produits :
Le Nitrure de gallium
2-6 pouces des substrats de GaN permanent libre
standard de 2 à 8 pouces GaN gaufrettes épitaxiale
gaufrettes épitaxiale personnalisé pour la broche/smd/HEMT/MOS/LED etc.
nitrure d′aluminium de
2 pouces de libre-substrats AlN permanent,
2-4 inchAlN gaufrettes épitaxiale.
Le carbure de silicium de
4 à 6 pouce de haut de la qualité des substrats semi-isolant de
4 à 6 pouces de SiC SiC substrats epi
Diamond
10*10*0.3mm, 10*10*0.5mm d′un cristal unique ou de diamants de qualité optique polysrystaline diamond (, Electronic Grade)
n′hésitez pas à nous laisser savoir, si vous êtes intéressés par nos produits. : )
Nous sommes engagés à élaborer et de meilleure qualité et le coût de fabrication efficace de l′écart à large bande matériaux : GaN, SiC, AlN, Diamond substrats un cristal unique et d′epi de gaufrettes.
Nos principaux produits :
Le Nitrure de gallium
2-6 pouces des substrats de GaN permanent libre
standard de 2 à 8 pouces GaN gaufrettes épitaxiale
gaufrettes épitaxiale personnalisé pour la broche/smd/HEMT/MOS/LED etc.
nitrure d′aluminium de
2 pouces de libre-substrats AlN permanent,
2-4 inchAlN gaufrettes épitaxiale.
Le carbure de silicium de
4 à 6 pouce de haut de la qualité des substrats semi-isolant de
4 à 6 pouces de SiC SiC substrats epi
Diamond
10*10*0.3mm, 10*10*0.5mm d′un cristal unique ou de diamants de qualité optique polysrystaline diamond (, Electronic Grade)
n′hésitez pas à nous laisser savoir, si vous êtes intéressés par nos produits. : )
Conditions Commerciales Internationales(Incoterms):
DAP
Conditions de Paiement:
T/T
Nombre d'Employés du Commerce Extérieur:
1~3 Personnes
Année d'Exportation:
2012-02-03
Pourcentage d'Exportation:
51%~70%
Principaux Marchés:
Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l′Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l′Est, Europe de l′Ouest
Mode d'Importation & d'Exportation:
Exportation via l'Agence
Adresse de l'Usine:
112 Minziqian Road, Lixia District, Jinan, Shandong, China
Capacité de R&D:
ODM, Marque Propre(Nanowin)
Nombre d'Employés R&D:
31-40 Personnes
Nombre de Lignes de Production:
Above 10
Valeur de la Production Annuelle:
Plus de 100 Millions $ US
Production Annuelle Moyenne des Principaux Produits:
| Nom du Produit | Unités Produites (Année Précédente) |
|---|---|
| Gallium nitride substrate | 500000 Autre |