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e tube

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2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

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2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

1/ 6

Collection

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

1/ 6

Collection

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

1/ 6

Collection

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors CMS à chaud Triode SOT23 Bc857

Transistors CMS à chaud Triode SOT23 Bc857

Transistors CMS à chaud Triode SOT23 Bc857

Transistors CMS à chaud Triode SOT23 Bc857

Transistors CMS à chaud Triode SOT23 Bc857

Transistors CMS à chaud Triode SOT23 Bc857

1/ 6

Collection

Transistors CMS à chaud Triode SOT23 Bc857

0,1 $US / Pièce

200 Pièces (MOQ)

Jinjiang Chaote Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Structure: Planar

Matériel: Germanium

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

0,044 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Emballage: Carton

Standard: metal

Marque Déposée: Merryelc

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

1/ 6

Collection

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

1/ 6

Collection

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

0,02 $US / Pièce

200 Pièces (MOQ)

Jinjiang Chaote Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Structure: NPN

Emballage: Each Packed in a Polybag

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

1/ 6

Collection

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

1/ 6

Collection

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

1/ 6

Collection

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

1/ 6

Collection

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

1/ 6

Collection

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

0,1-1,2 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

1/ 6

Collection

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

0,1-1,2 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET 60 V à canal N Triode Sidr626ep-T1-re3

MOSFET 60 V à canal N Triode Sidr626ep-T1-re3

MOSFET 60 V à canal N Triode Sidr626ep-T1-re3

MOSFET 60 V à canal N Triode Sidr626ep-T1-re3

MOSFET 60 V à canal N Triode Sidr626ep-T1-re3

MOSFET 60 V à canal N Triode Sidr626ep-T1-re3

1/ 6

Collection

MOSFET 60 V à canal N Triode Sidr626ep-T1-re3

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Composant électronique Ipt009n06nm5atma1 1 canal 60V 427A 1.2 Mohms

Composant électronique Ipt009n06nm5atma1 1 canal 60V 427A 1.2 Mohms

Composant électronique Ipt009n06nm5atma1 1 canal 60V 427A 1.2 Mohms

Composant électronique Ipt009n06nm5atma1 1 canal 60V 427A 1.2 Mohms

Composant électronique Ipt009n06nm5atma1 1 canal 60V 427A 1.2 Mohms

Composant électronique Ipt009n06nm5atma1 1 canal 60V 427A 1.2 Mohms

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Collection

Composant électronique Ipt009n06nm5atma1 1 canal 60V 427A 1.2 Mohms

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

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Collection

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

0,001-0,1 $US / Pièce

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

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Collection

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

0,001-0,1 $US / Pièce

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Electronique MOSFET Irfr320trpbf-Be3 canal N 400 V CMS/CMS

Electronique MOSFET Irfr320trpbf-Be3 canal N 400 V CMS/CMS

Electronique MOSFET Irfr320trpbf-Be3 canal N 400 V CMS/CMS

Electronique MOSFET Irfr320trpbf-Be3 canal N 400 V CMS/CMS

Electronique MOSFET Irfr320trpbf-Be3 canal N 400 V CMS/CMS

Electronique MOSFET Irfr320trpbf-Be3 canal N 400 V CMS/CMS

1/ 6

Collection

Electronique MOSFET Irfr320trpbf-Be3 canal N 400 V CMS/CMS

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

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Collection

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Stwa60n043dm9 600 V 38 Mohm Typ 56 a MDmesh DM9 Power MOSFET

Stwa60n043dm9 600 V 38 Mohm Typ 56 a MDmesh DM9 Power MOSFET

Stwa60n043dm9 600 V 38 Mohm Typ 56 a MDmesh DM9 Power MOSFET

Stwa60n043dm9 600 V 38 Mohm Typ 56 a MDmesh DM9 Power MOSFET

Stwa60n043dm9 600 V 38 Mohm Typ 56 a MDmesh DM9 Power MOSFET

Stwa60n043dm9 600 V 38 Mohm Typ 56 a MDmesh DM9 Power MOSFET

1/ 6

Collection

Stwa60n043dm9 600 V 38 Mohm Typ 56 a MDmesh DM9 Power MOSFET

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

1/ 6

Collection

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

1/ 6

Collection

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

0,001-0,1 $US / Pièce

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET S1f G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 48mohm Tw048z65c

MOSFET S1f G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 48mohm Tw048z65c

MOSFET S1f G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 48mohm Tw048z65c

MOSFET S1f G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 48mohm Tw048z65c

MOSFET S1f G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 48mohm Tw048z65c

MOSFET S1f G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 48mohm Tw048z65c

1/ 6

Collection

MOSFET S1f G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 48mohm Tw048z65c

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Arrêt de champ de tranchée à transistor IGBT Stgw40h65fb original 650 V 80 a 283 W. to-247-3

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Arrêt de champ de tranchée à transistor IGBT Stgw40h65fb original 650 V 80 a 283 W. to-247-3

Arrêt de champ de tranchée à transistor IGBT Stgw40h65fb original 650 V 80 a 283 W. to-247-3

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Arrêt de champ de tranchée à transistor IGBT Stgw40h65fb original 650 V 80 a 283 W. to-247-3

1,9-2,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,ISO

Installation: Plug-in Triode

Emballage: Standard

Standard: Standard

Marque Déposée: Original

Origine: Original

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

1/ 6

Collection

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

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1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode

Composant électronique Bsc093n15ns5scatma1 9,3 mohms 89A CMS 150V

Composant électronique Bsc093n15ns5scatma1 9,3 mohms 89A CMS 150V

Composant électronique Bsc093n15ns5scatma1 9,3 mohms 89A CMS 150V

Composant électronique Bsc093n15ns5scatma1 9,3 mohms 89A CMS 150V

Composant électronique Bsc093n15ns5scatma1 9,3 mohms 89A CMS 150V

Composant électronique Bsc093n15ns5scatma1 9,3 mohms 89A CMS 150V

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Composant électronique Bsc093n15ns5scatma1 9,3 mohms 89A CMS 150V

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

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Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

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MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

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Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

1/ 6

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MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

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Structure: NPN

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