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e tube

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Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817 70MW Juxing avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817 70MW Juxing avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817 70MW Juxing avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817 70MW Juxing avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817 70MW Juxing avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817 70MW Juxing avec boîtier DIP-4

1/ 6

Collection

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817 70MW Juxing avec boîtier DIP-4

0,0111-0,0232 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-2 70 MW avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-2 70 MW avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-2 70 MW avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-2 70 MW avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-2 70 MW avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-2 70 MW avec boîtier DIP-4

1/ 6

Collection

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-2 70 MW avec boîtier DIP-4

0,0111-0,0232 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

MOSFET de puissance à super jonction WML15N70C4 700V 0,26Q

MOSFET de puissance à super jonction WML15N70C4 700V 0,26Q

MOSFET de puissance à super jonction WML15N70C4 700V 0,26Q

MOSFET de puissance à super jonction WML15N70C4 700V 0,26Q

MOSFET de puissance à super jonction WML15N70C4 700V 0,26Q

MOSFET de puissance à super jonction WML15N70C4 700V 0,26Q

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à super jonction WML15N70C4 700V 0,26Q

0,352 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Triodes de tubes à vide dans les oscillateurs (CTK15-2, CTK12-4, CTK12-1)

Triodes de tubes à vide dans les oscillateurs (CTK15-2, CTK12-4, CTK12-1)

Triodes de tubes à vide dans les oscillateurs (CTK15-2, CTK12-4, CTK12-1)

Triodes de tubes à vide dans les oscillateurs (CTK15-2, CTK12-4, CTK12-1)

Triodes de tubes à vide dans les oscillateurs (CTK15-2, CTK12-4, CTK12-1)

Triodes de tubes à vide dans les oscillateurs (CTK15-2, CTK12-4, CTK12-1)

1/ 6

Collection

Triodes de tubes à vide dans les oscillateurs (CTK15-2, CTK12-4, CTK12-1)

2 500,00-3 500,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Ningbo Setec Electron Co., Ltd.

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Méthode de refroidissement: Eau Tube Refroidi

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Emballage: Foam Packing

Marque Déposée: SETEC

Origine: China

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-3 70 MW avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-3 70 MW avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-3 70 MW avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-3 70 MW avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-3 70 MW avec boîtier DIP-4

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-3 70 MW avec boîtier DIP-4

1/ 6

Collection

Optocoupleur Vceo35V Viso5000vrms Jpc817-3 70 MW avec boîtier DIP-4

0,0111-0,0232 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

1/ 2

Collection

Le transistor de puissance Field-Effect Irfb4020pbf Irfb4020 à-220 IR

0,8-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Le transistor de nouveau et original de l'IRF1010epbf à220 de l'IRF1010 to-220 F1010E L'IRF1010e

Le transistor de nouveau et original de l'IRF1010epbf à220 de l'IRF1010 to-220 F1010E L'IRF1010e

Le transistor de nouveau et original de l'IRF1010epbf à220 de l'IRF1010 to-220 F1010E L'IRF1010e

Le transistor de nouveau et original de l'IRF1010epbf à220 de l'IRF1010 to-220 F1010E L'IRF1010e

Le transistor de nouveau et original de l'IRF1010epbf à220 de l'IRF1010 to-220 F1010E L'IRF1010e

Le transistor de nouveau et original de l'IRF1010epbf à220 de l'IRF1010 to-220 F1010E L'IRF1010e

1/ 6

Collection

Le transistor de nouveau et original de l'IRF1010epbf à220 de l'IRF1010 to-220 F1010E L'IRF1010e

1,00-1,2 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: La diffusion

C106 C106M C106mg 4A 600V 0,5W à-126 Thyristor Transistor SCR

C106 C106M C106mg 4A 600V 0,5W à-126 Thyristor Transistor SCR

C106 C106M C106mg 4A 600V 0,5W à-126 Thyristor Transistor SCR

C106 C106M C106mg 4A 600V 0,5W à-126 Thyristor Transistor SCR

C106 C106M C106mg 4A 600V 0,5W à-126 Thyristor Transistor SCR

C106 C106M C106mg 4A 600V 0,5W à-126 Thyristor Transistor SCR

1/ 6

Collection

C106 C106M C106mg 4A 600V 0,5W à-126 Thyristor Transistor SCR

0,17-0,172 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

1/ 6

Collection

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

0,5-1,5 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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Forme: GT

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: La diffusion

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

1/ 6

Collection

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

2,362-4,129 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: GT

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Le transistor N Channel 1200V 50A 3 broches à l'IGBT-3pn Fga25N120

Le transistor N Channel 1200V 50A 3 broches à l'IGBT-3pn Fga25N120

Le transistor N Channel 1200V 50A 3 broches à l'IGBT-3pn Fga25N120

Le transistor N Channel 1200V 50A 3 broches à l'IGBT-3pn Fga25N120

Le transistor N Channel 1200V 50A 3 broches à l'IGBT-3pn Fga25N120

Le transistor N Channel 1200V 50A 3 broches à l'IGBT-3pn Fga25N120

1/ 6

Collection

Le transistor N Channel 1200V 50A 3 broches à l'IGBT-3pn Fga25N120

0,7-0,85 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: La diffusion

Niveau d'énergie: Haute puissance

Bu208 8 a 1 500 V transistor de puissance à ultrasons Bu208A

Bu208 8 a 1 500 V transistor de puissance à ultrasons Bu208A

Bu208 8 a 1 500 V transistor de puissance à ultrasons Bu208A

Bu208 8 a 1 500 V transistor de puissance à ultrasons Bu208A

Bu208 8 a 1 500 V transistor de puissance à ultrasons Bu208A

Bu208 8 a 1 500 V transistor de puissance à ultrasons Bu208A

1/ 6

Collection

Bu208 8 a 1 500 V transistor de puissance à ultrasons Bu208A

12,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Alliage

MOSFET de puissance 60 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications SiliconGear-DG60N02Q

MOSFET de puissance 60 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications SiliconGear-DG60N02Q

MOSFET de puissance 60 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications SiliconGear-DG60N02Q

MOSFET de puissance 60 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications SiliconGear-DG60N02Q

MOSFET de puissance 60 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications SiliconGear-DG60N02Q

MOSFET de puissance 60 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications SiliconGear-DG60N02Q

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 60 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications SiliconGear-DG60N02Q

0,16-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

80V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-SG75N07P

80V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-SG75N07P

80V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-SG75N07P

80V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-SG75N07P

80V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-SG75N07P

80V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-SG75N07P

1/ 6

Collection

80V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-SG75N07P

0,08-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

80V N-Canal MOSFET de puissance faible sur-Résistance faible capacité d'entrée SOP-8 / Applications Fetures Silicongear-DG80N02S

80V N-Canal MOSFET de puissance faible sur-Résistance faible capacité d'entrée SOP-8 / Applications Fetures Silicongear-DG80N02S

80V N-Canal MOSFET de puissance faible sur-Résistance faible capacité d'entrée SOP-8 / Applications Fetures Silicongear-DG80N02S

80V N-Canal MOSFET de puissance faible sur-Résistance faible capacité d'entrée SOP-8 / Applications Fetures Silicongear-DG80N02S

80V N-Canal MOSFET de puissance faible sur-Résistance faible capacité d'entrée SOP-8 / Applications Fetures Silicongear-DG80N02S

80V N-Canal MOSFET de puissance faible sur-Résistance faible capacité d'entrée SOP-8 / Applications Fetures Silicongear-DG80N02S

1/ 6

Collection

80V N-Canal MOSFET de puissance faible sur-Résistance faible capacité d'entrée SOP-8 / Applications Fetures Silicongear-DG80N02S

0,18-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

SOP-8 40V / -40 V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear-SGD4232S

SOP-8 40V / -40 V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear-SGD4232S

SOP-8 40V / -40 V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear-SGD4232S

SOP-8 40V / -40 V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear-SGD4232S

SOP-8 40V / -40 V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear-SGD4232S

SOP-8 40V / -40 V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear-SGD4232S

1/ 6

Collection

SOP-8 40V / -40 V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear-SGD4232S

0,21-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Silicongear-SG60N03Q 60V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller

Silicongear-SG60N03Q 60V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller

Silicongear-SG60N03Q 60V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller

Silicongear-SG60N03Q 60V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller

Silicongear-SG60N03Q 60V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller

Silicongear-SG60N03Q 60V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller

1/ 6

Collection

Silicongear-SG60N03Q 60V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller

0,16-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

D'-252 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-SG60N03LD

D'-252 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-SG60N03LD

D'-252 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-SG60N03LD

D'-252 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-SG60N03LD

D'-252 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-SG60N03LD

D'-252 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-SG60N03LD

1/ 6

Collection

D'-252 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-SG60N03LD

0,11-1,09 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

100V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-220AB-D / Silicongear-SG100N07PB

100V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-220AB-D / Silicongear-SG100N07PB

100V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-220AB-D / Silicongear-SG100N07PB

100V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-220AB-D / Silicongear-SG100N07PB

100V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-220AB-D / Silicongear-SG100N07PB

100V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-220AB-D / Silicongear-SG100N07PB

1/ 6

Collection

100V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-220AB-D / Silicongear-SG100N07PB

0,13-1,26 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MK3045PS Diode photovoltaïque protection de cellule solaire photovoltaïque Diode Schottky Module de diodes de dérivation

MK3045PS Diode photovoltaïque protection de cellule solaire photovoltaïque Diode Schottky Module de diodes de dérivation

MK3045PS Diode photovoltaïque protection de cellule solaire photovoltaïque Diode Schottky Module de diodes de dérivation

MK3045PS Diode photovoltaïque protection de cellule solaire photovoltaïque Diode Schottky Module de diodes de dérivation

MK3045PS Diode photovoltaïque protection de cellule solaire photovoltaïque Diode Schottky Module de diodes de dérivation

MK3045PS Diode photovoltaïque protection de cellule solaire photovoltaïque Diode Schottky Module de diodes de dérivation

1/ 6

Collection

MK3045PS Diode photovoltaïque protection de cellule solaire photovoltaïque Diode Schottky Module de diodes de dérivation

0,3546-0,4123 $US / Pièce

3 000 000 Pièces (MOQ)

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Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Tranchée de 30V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance Fetures Applications performances de commutation de puissance de la diode Wayon-WMB60P03TA

Tranchée de 30V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance Fetures Applications performances de commutation de puissance de la diode Wayon-WMB60P03TA

Tranchée de 30V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance Fetures Applications performances de commutation de puissance de la diode Wayon-WMB60P03TA

Tranchée de 30V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance Fetures Applications performances de commutation de puissance de la diode Wayon-WMB60P03TA

Tranchée de 30V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance Fetures Applications performances de commutation de puissance de la diode Wayon-WMB60P03TA

Tranchée de 30V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance Fetures Applications performances de commutation de puissance de la diode Wayon-WMB60P03TA

1/ 6

Collection

Tranchée de 30V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance Fetures Applications performances de commutation de puissance de la diode Wayon-WMB60P03TA

0,19-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET de puissance à CANAL N 30 V VDSS-30V, ID-5.5A, faible charge de grille technologie Trench avancée SiliconGear-SGN3025N

MOSFET de puissance à CANAL N 30 V VDSS-30V, ID-5.5A, faible charge de grille technologie Trench avancée SiliconGear-SGN3025N

MOSFET de puissance à CANAL N 30 V VDSS-30V, ID-5.5A, faible charge de grille technologie Trench avancée SiliconGear-SGN3025N

MOSFET de puissance à CANAL N 30 V VDSS-30V, ID-5.5A, faible charge de grille technologie Trench avancée SiliconGear-SGN3025N

MOSFET de puissance à CANAL N 30 V VDSS-30V, ID-5.5A, faible charge de grille technologie Trench avancée SiliconGear-SGN3025N

MOSFET de puissance à CANAL N 30 V VDSS-30V, ID-5.5A, faible charge de grille technologie Trench avancée SiliconGear-SGN3025N

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à CANAL N 30 V VDSS-30V, ID-5.5A, faible charge de grille technologie Trench avancée SiliconGear-SGN3025N

0,11-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

D'-220 / 30V N-Canal Fetures MOSFET de puissance des applications à faible charge Miller faible fuite Entrée/Sortie Silicongear-SG30N08P

D'-220 / 30V N-Canal Fetures MOSFET de puissance des applications à faible charge Miller faible fuite Entrée/Sortie Silicongear-SG30N08P

D'-220 / 30V N-Canal Fetures MOSFET de puissance des applications à faible charge Miller faible fuite Entrée/Sortie Silicongear-SG30N08P

D'-220 / 30V N-Canal Fetures MOSFET de puissance des applications à faible charge Miller faible fuite Entrée/Sortie Silicongear-SG30N08P

D'-220 / 30V N-Canal Fetures MOSFET de puissance des applications à faible charge Miller faible fuite Entrée/Sortie Silicongear-SG30N08P

D'-220 / 30V N-Canal Fetures MOSFET de puissance des applications à faible charge Miller faible fuite Entrée/Sortie Silicongear-SG30N08P

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Collection

D'-220 / 30V N-Canal Fetures MOSFET de puissance des applications à faible charge Miller faible fuite Entrée/Sortie Silicongear-SG30N08P

0,2-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

1/ 6

Collection

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

0,08-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

1/ 6

Collection

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

0,16-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Zg Original nouvelle puce de dB4 ne-35 Tube de déclenchement de la diode bleue

Zg Original nouvelle puce de dB4 ne-35 Tube de déclenchement de la diode bleue

Zg Original nouvelle puce de dB4 ne-35 Tube de déclenchement de la diode bleue

Zg Original nouvelle puce de dB4 ne-35 Tube de déclenchement de la diode bleue

Zg Original nouvelle puce de dB4 ne-35 Tube de déclenchement de la diode bleue

Zg Original nouvelle puce de dB4 ne-35 Tube de déclenchement de la diode bleue

1/ 6

Collection

Zg Original nouvelle puce de dB4 ne-35 Tube de déclenchement de la diode bleue

0,0047 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Zhongxin Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Eau Tube Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

TO-251AA / 60 V MOSFET de puissance canal N charge des applications Capacité SiliconGear-SG60N11I

TO-251AA / 60 V MOSFET de puissance canal N charge des applications Capacité SiliconGear-SG60N11I

TO-251AA / 60 V MOSFET de puissance canal N charge des applications Capacité SiliconGear-SG60N11I

TO-251AA / 60 V MOSFET de puissance canal N charge des applications Capacité SiliconGear-SG60N11I

TO-251AA / 60 V MOSFET de puissance canal N charge des applications Capacité SiliconGear-SG60N11I

TO-251AA / 60 V MOSFET de puissance canal N charge des applications Capacité SiliconGear-SG60N11I

1/ 6

Collection

TO-251AA / 60 V MOSFET de puissance canal N charge des applications Capacité SiliconGear-SG60N11I

0,13-1,08 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

SiliconGear-SG60N02P MOSFET de puissance 60 V canal N faible résistance à l'allumage faible charge Miller Applications de Fetures

SiliconGear-SG60N02P MOSFET de puissance 60 V canal N faible résistance à l'allumage faible charge Miller Applications de Fetures

SiliconGear-SG60N02P MOSFET de puissance 60 V canal N faible résistance à l'allumage faible charge Miller Applications de Fetures

SiliconGear-SG60N02P MOSFET de puissance 60 V canal N faible résistance à l'allumage faible charge Miller Applications de Fetures

SiliconGear-SG60N02P MOSFET de puissance 60 V canal N faible résistance à l'allumage faible charge Miller Applications de Fetures

SiliconGear-SG60N02P MOSFET de puissance 60 V canal N faible résistance à l'allumage faible charge Miller Applications de Fetures

1/ 6

Collection

SiliconGear-SG60N02P MOSFET de puissance 60 V canal N faible résistance à l'allumage faible charge Miller Applications de Fetures

0,13-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et Avalanche à-263 / Applications Fetures Silicongear-DG60N11G

60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et Avalanche à-263 / Applications Fetures Silicongear-DG60N11G

60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et Avalanche à-263 / Applications Fetures Silicongear-DG60N11G

60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et Avalanche à-263 / Applications Fetures Silicongear-DG60N11G

60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et Avalanche à-263 / Applications Fetures Silicongear-DG60N11G

60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et Avalanche à-263 / Applications Fetures Silicongear-DG60N11G

1/ 6

Collection

60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et Avalanche à-263 / Applications Fetures Silicongear-DG60N11G

0,16-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

30V p-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique chargé de la capacité PDFN 5*6-8L Silicongear-SG30N09Q

30V p-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique chargé de la capacité PDFN 5*6-8L Silicongear-SG30N09Q

30V p-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique chargé de la capacité PDFN 5*6-8L Silicongear-SG30N09Q

30V p-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique chargé de la capacité PDFN 5*6-8L Silicongear-SG30N09Q

30V p-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique chargé de la capacité PDFN 5*6-8L Silicongear-SG30N09Q

30V p-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique chargé de la capacité PDFN 5*6-8L Silicongear-SG30N09Q

1/ 6

Collection

30V p-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique chargé de la capacité PDFN 5*6-8L Silicongear-SG30N09Q

0,12-0,87 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

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