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Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

1/ 6

Collection

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

40t120fes Machine à souder à tube unique de l'IGBT High-Power-247 Circuit intégré, les composants électroniques, l'onduleur

40t120fes Machine à souder à tube unique de l'IGBT High-Power-247 Circuit intégré, les composants électroniques, l'onduleur

40t120fes Machine à souder à tube unique de l'IGBT High-Power-247 Circuit intégré, les composants électroniques, l'onduleur

40t120fes Machine à souder à tube unique de l'IGBT High-Power-247 Circuit intégré, les composants électroniques, l'onduleur

40t120fes Machine à souder à tube unique de l'IGBT High-Power-247 Circuit intégré, les composants électroniques, l'onduleur

40t120fes Machine à souder à tube unique de l'IGBT High-Power-247 Circuit intégré, les composants électroniques, l'onduleur

1/ 6

Collection

40t120fes Machine à souder à tube unique de l'IGBT High-Power-247 Circuit intégré, les composants électroniques, l'onduleur

0,96-1,138 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

1/ 6

Collection

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

0,23 $US / Pièce

200 Pièces (MOQ)

Shenzhen Airuixin Technology Co., Ltd.

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Installation: Plug-in Triode

Fonction: Darlington Tube

Structure: NPN

Emballage: Tube

Standard: 50/TUBE

Marque Déposée: CJ

2sk3878 Field Effect Transistor MOSFET à canal N de silicium de type-3p Circuit intégré, les composants électroniques

2sk3878 Field Effect Transistor MOSFET à canal N de silicium de type-3p Circuit intégré, les composants électroniques

2sk3878 Field Effect Transistor MOSFET à canal N de silicium de type-3p Circuit intégré, les composants électroniques

2sk3878 Field Effect Transistor MOSFET à canal N de silicium de type-3p Circuit intégré, les composants électroniques

2sk3878 Field Effect Transistor MOSFET à canal N de silicium de type-3p Circuit intégré, les composants électroniques

2sk3878 Field Effect Transistor MOSFET à canal N de silicium de type-3p Circuit intégré, les composants électroniques

1/ 6

Collection

2sk3878 Field Effect Transistor MOSFET à canal N de silicium de type-3p Circuit intégré, les composants électroniques

0,192-0,607 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Amplificateur et les applications de commutation' s' Cilicon complémentaires que le transistor NPN 5une astuce122

Amplificateur et les applications de commutation' s' Cilicon complémentaires que le transistor NPN 5une astuce122

Amplificateur et les applications de commutation' s' Cilicon complémentaires que le transistor NPN 5une astuce122

Amplificateur et les applications de commutation' s' Cilicon complémentaires que le transistor NPN 5une astuce122

Amplificateur et les applications de commutation' s' Cilicon complémentaires que le transistor NPN 5une astuce122

Amplificateur et les applications de commutation' s' Cilicon complémentaires que le transistor NPN 5une astuce122

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Collection

Amplificateur et les applications de commutation' s' Cilicon complémentaires que le transistor NPN 5une astuce122

0,062-0,077 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Structure: NPN

Emballage: Box

Standard: TO-220

Origine: Make in China

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

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Collection

Transistors CMS à circuit intégré de microcontrôleur à puce Triode

0,02 $US / Pièce

200 Pièces (MOQ)

Jinjiang Chaote Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Structure: NPN

Emballage: Each Packed in a Polybag

1/ 4

Collection

Fqpf12n60c MOSFET canal N 600 V 12 a à 220f pour alimentation à découpage à haut rendement, correction active du facteur de puissance, ballast électronique de la lampe

0,15-0,2 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

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Collection

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

0,2-0,23 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Triode, amplificateur audio, composants électroniques à transistor bipolaire planaire épitaxial NPN haute puissance 2SD1047, circuit intégré

Triode, amplificateur audio, composants électroniques à transistor bipolaire planaire épitaxial NPN haute puissance 2SD1047, circuit intégré

Triode, amplificateur audio, composants électroniques à transistor bipolaire planaire épitaxial NPN haute puissance 2SD1047, circuit intégré

Triode, amplificateur audio, composants électroniques à transistor bipolaire planaire épitaxial NPN haute puissance 2SD1047, circuit intégré

Triode, amplificateur audio, composants électroniques à transistor bipolaire planaire épitaxial NPN haute puissance 2SD1047, circuit intégré

Triode, amplificateur audio, composants électroniques à transistor bipolaire planaire épitaxial NPN haute puissance 2SD1047, circuit intégré

1/ 6

Collection

Triode, amplificateur audio, composants électroniques à transistor bipolaire planaire épitaxial NPN haute puissance 2SD1047, circuit intégré

0,34-0,42 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Emballage: Box

Standard: to-3p

Origine: Make in China

Transistor IGBT à induction transistor de puissance pour cuisinière Fga15n120antd Trench 1 200 V NPT, circuit intégré, composants électroniques, équipement de cuisine

Transistor IGBT à induction transistor de puissance pour cuisinière Fga15n120antd Trench 1 200 V NPT, circuit intégré, composants électroniques, équipement de cuisine

Transistor IGBT à induction transistor de puissance pour cuisinière Fga15n120antd Trench 1 200 V NPT, circuit intégré, composants électroniques, équipement de cuisine

Transistor IGBT à induction transistor de puissance pour cuisinière Fga15n120antd Trench 1 200 V NPT, circuit intégré, composants électroniques, équipement de cuisine

Transistor IGBT à induction transistor de puissance pour cuisinière Fga15n120antd Trench 1 200 V NPT, circuit intégré, composants électroniques, équipement de cuisine

Transistor IGBT à induction transistor de puissance pour cuisinière Fga15n120antd Trench 1 200 V NPT, circuit intégré, composants électroniques, équipement de cuisine

1/ 6

Collection

Transistor IGBT à induction transistor de puissance pour cuisinière Fga15n120antd Trench 1 200 V NPT, circuit intégré, composants électroniques, équipement de cuisine

0,64-0,8 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

H1061 transistor NPN silicium triple diffusé/tube de commutation haute puissance/Triode to-220

H1061 transistor NPN silicium triple diffusé/tube de commutation haute puissance/Triode to-220

H1061 transistor NPN silicium triple diffusé/tube de commutation haute puissance/Triode to-220

H1061 transistor NPN silicium triple diffusé/tube de commutation haute puissance/Triode to-220

H1061 transistor NPN silicium triple diffusé/tube de commutation haute puissance/Triode to-220

H1061 transistor NPN silicium triple diffusé/tube de commutation haute puissance/Triode to-220

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Collection

H1061 transistor NPN silicium triple diffusé/tube de commutation haute puissance/Triode to-220

0,095 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

0,36-0,45 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

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Collection

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

0,1-1,2 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

0,63-0,7 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

1/ 6

Collection

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

0,03-0,275 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

0,38-0,5 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

1/ 6

Collection

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

0,1-1,2 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Composant électronique Stwa65n023m9 19.9 Mohm Typ 95 a MDmesh M9 MOSFET de puissance

Composant électronique Stwa65n023m9 19.9 Mohm Typ 95 a MDmesh M9 MOSFET de puissance

Composant électronique Stwa65n023m9 19.9 Mohm Typ 95 a MDmesh M9 MOSFET de puissance

Composant électronique Stwa65n023m9 19.9 Mohm Typ 95 a MDmesh M9 MOSFET de puissance

Composant électronique Stwa65n023m9 19.9 Mohm Typ 95 a MDmesh M9 MOSFET de puissance

Composant électronique Stwa65n023m9 19.9 Mohm Typ 95 a MDmesh M9 MOSFET de puissance

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Collection

Composant électronique Stwa65n023m9 19.9 Mohm Typ 95 a MDmesh M9 MOSFET de puissance

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

1/ 6

Collection

Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos Electronics

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Electronique transistors Sija54ADP-T1-Ge3 MOSFET canal N 40 V (D-S)

Electronique transistors Sija54ADP-T1-Ge3 MOSFET canal N 40 V (D-S)

Electronique transistors Sija54ADP-T1-Ge3 MOSFET canal N 40 V (D-S)

Electronique transistors Sija54ADP-T1-Ge3 MOSFET canal N 40 V (D-S)

Electronique transistors Sija54ADP-T1-Ge3 MOSFET canal N 40 V (D-S)

Electronique transistors Sija54ADP-T1-Ge3 MOSFET canal N 40 V (D-S)

1/ 6

Collection

Electronique transistors Sija54ADP-T1-Ge3 MOSFET canal N 40 V (D-S)

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

1/ 6

Collection

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

1/ 6

Collection

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

1/ 6

Collection

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

1/ 6

Collection

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Ipb020n10n5atma1 MOSFET N-CH 100V 120A composant électronique D2PAK-2

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET dsmn012-100ysfx Nextpower 100 V 11.8 Mohm canal N

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Transistors Tw030z120c, S1f G3 1 200 V SIC-MOSFET to-247-4L 30 mohm

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Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

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Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

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