Accueil Électricité & Électronique Gaine de Câble e tube 2024 Liste de Produits

e tube

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Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

1/ 6

Collection

Tube électronique triode CMS 13009 D882 2n3906 transistor 4cx800A Irf530n BTA41 600b Prix

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

1/ 6

Collection

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

IC Mosfet de tube à effet de champ de l'IGBT FGA15N120 Cuisinière à induction, des équipements mécaniques, composants électroniques

IC Mosfet de tube à effet de champ de l'IGBT FGA15N120 Cuisinière à induction, des équipements mécaniques, composants électroniques

IC Mosfet de tube à effet de champ de l'IGBT FGA15N120 Cuisinière à induction, des équipements mécaniques, composants électroniques

IC Mosfet de tube à effet de champ de l'IGBT FGA15N120 Cuisinière à induction, des équipements mécaniques, composants électroniques

IC Mosfet de tube à effet de champ de l'IGBT FGA15N120 Cuisinière à induction, des équipements mécaniques, composants électroniques

IC Mosfet de tube à effet de champ de l'IGBT FGA15N120 Cuisinière à induction, des équipements mécaniques, composants électroniques

1/ 6

Collection

IC Mosfet de tube à effet de champ de l'IGBT FGA15N120 Cuisinière à induction, des équipements mécaniques, composants électroniques

0,42-0,49 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Photosensible,Puissance Triode

Emballage: Box

Standard: to-3p

Origine: Make in China

Code SH: 8541290000

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

1/ 6

Collection

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

1/ 6

Collection

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

0,515-0,632 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

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Collection

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

0,044 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Emballage: Carton

Standard: metal

Marque Déposée: Merryelc

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

1/ 6

Collection

Diode 10A tube photomultiplicateur 1000V transistors IGBT transistor MOSFET Prix Diode 10 a 1 000 V.

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

1/ 6

Collection

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

1/ 6

Collection

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

1/ 6

Collection

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

0,1-1,2 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

1/ 6

Collection

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

1/ 6

Collection

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

0,1-1,2 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

1/ 6

Collection

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Sqj409ep-T1_Be3 MOSFET 175c canal P 40 V.

Transistors Sqj409ep-T1_Be3 MOSFET 175c canal P 40 V.

Transistors Sqj409ep-T1_Be3 MOSFET 175c canal P 40 V.

Transistors Sqj409ep-T1_Be3 MOSFET 175c canal P 40 V.

Transistors Sqj409ep-T1_Be3 MOSFET 175c canal P 40 V.

Transistors Sqj409ep-T1_Be3 MOSFET 175c canal P 40 V.

1/ 6

Collection

Transistors Sqj409ep-T1_Be3 MOSFET 175c canal P 40 V.

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

1/ 6

Collection

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

1/ 6

Collection

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

1/ 6

Collection

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET Sihk105n60ef-T1ge3 série EF puissance 600V 5V CMS

MOSFET Sihk105n60ef-T1ge3 série EF puissance 600V 5V CMS

MOSFET Sihk105n60ef-T1ge3 série EF puissance 600V 5V CMS

MOSFET Sihk105n60ef-T1ge3 série EF puissance 600V 5V CMS

MOSFET Sihk105n60ef-T1ge3 série EF puissance 600V 5V CMS

MOSFET Sihk105n60ef-T1ge3 série EF puissance 600V 5V CMS

1/ 6

Collection

MOSFET Sihk105n60ef-T1ge3 série EF puissance 600V 5V CMS

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Sqs181elnw-T1_Ge3 MOSFET PowerPak 1212-8sw, 31mohm 10V 48mohm

Sqs181elnw-T1_Ge3 MOSFET PowerPak 1212-8sw, 31mohm 10V 48mohm

Sqs181elnw-T1_Ge3 MOSFET PowerPak 1212-8sw, 31mohm 10V 48mohm

Sqs181elnw-T1_Ge3 MOSFET PowerPak 1212-8sw, 31mohm 10V 48mohm

Sqs181elnw-T1_Ge3 MOSFET PowerPak 1212-8sw, 31mohm 10V 48mohm

Sqs181elnw-T1_Ge3 MOSFET PowerPak 1212-8sw, 31mohm 10V 48mohm

1/ 6

Collection

Sqs181elnw-T1_Ge3 MOSFET PowerPak 1212-8sw, 31mohm 10V 48mohm

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

1/ 6

Collection

Ipb017n10n5atma1 MOSFET N-CH 100 V 180A D2PAK-2 Enhancement Electronics

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

1/ 6

Collection

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Composant électronique Ipb011n04NF2satma1 201 a 40 V 20 V + 20 V.

Composant électronique Ipb011n04NF2satma1 201 a 40 V 20 V + 20 V.

Composant électronique Ipb011n04NF2satma1 201 a 40 V 20 V + 20 V.

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Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Sct040hu65g3AG MOSFET de puissance au carbure de silicium de qualité automobile 650 V, 40 Mohm 30 a

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Bobine MOSFET Ssm6j825r Electronics CMS/CMS Pmpb09r1xnx

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Composant électronique Bsc093n15ns5scatma1 9,3 mohms 89A CMS 150V

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MOSFET 60 V à canal N Triode Sidr626ep-T1-re3

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Nouveau et original Ipt015n Ipt015n10n5atma1 MOSFET N-CH 100V 300A HsoF-8

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Structure: NPN

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Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

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Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

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Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Composant électronique Psmnr90-50slhax Sot1235 Lfpak88 900 uohms 410A 50 V.

Composant électronique Psmnr90-50slhax Sot1235 Lfpak88 900 uohms 410A 50 V.

Composant électronique Psmnr90-50slhax Sot1235 Lfpak88 900 uohms 410A 50 V.

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Composant électronique Psmnr90-50slhax Sot1235 Lfpak88 900 uohms 410A 50 V.

Composant électronique Psmnr90-50slhax Sot1235 Lfpak88 900 uohms 410A 50 V.

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Composant électronique Psmnr90-50slhax Sot1235 Lfpak88 900 uohms 410A 50 V.

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